2004年左右，第一個氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）才開始商用。這些晶體管通常用于需要高效能、高電壓的射頻基礎設施。

2008年，氮化鎵金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET在硅襯底上形成得到推廣，但由于電路復雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較低。

2018年，氮化鎵大規(guī)模應用于快充，從此充電器進入氮化鎵時代。

2021年3月13日，新華網刊登了《中華人民共和國國民經濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》，其中“集成電路”領域，特別提出碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體要取得發(fā)展。

時代速信作為一家致力于發(fā)展化合物半導體的民營公司，緊跟國家的發(fā)展戰(zhàn)略，努力深耕于第三代半導體產業(yè)，并形成了以碳化硅基氮化鎵和硅基氮化鎵為核心的產品布局。近期，時代速信推出系列硅基氮化鎵HEMT產品。該系列產品特別適用于高功率密度、超高開關頻率和高效率的電源類應用場景，并且已完全應用于快充領域。由于工藝材料上的天然優(yōu)勢，硅基氮化鎵器件與硅功率器件相比，開關頻率可提升10倍，同時與其匹配的無源器件尺寸可大幅縮小，相應的最終電源產品，以PD快充為例，尺寸可縮小1/3。

時代速信此次推出的產品：GHHS065200AD，GHHS065400AD，均是N溝道650V增強型HEMT功率管，具有極低的導通電阻，極低的輸入和輸出電容，零反向恢復電荷。目前，市場對電源產品的效率要求越來越高，而GHHS065200AD在對應不同輸入電壓和輸出規(guī)格的條件下與友商進行比較，其效率全方位均有提升。同時GHH065200AD已經完全通過可靠性測試認證。

使用GHHS065200AD的準諧振（QR）PD65WDemo，方案成熟，性能優(yōu)異實測效率可達92%。通過傳導、輻射測試及3C認證，可完全商用。

基于OR模式的30WPD產品亦同時面市。

審核編輯：符乾江