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三星電子3nm良品率才10%-20%,大大低于預(yù)期

西西 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2022-04-20 10:43 ? 次閱讀
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繼臺(tái)積電宣布今年下半年將開啟3nm芯片量產(chǎn)之后,三星3nm制程芯片已經(jīng)開始試產(chǎn)。

據(jù)報(bào)道,三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠(yuǎn)低于預(yù)期,三星電子3nm制程工藝的良品率,才到10%-20%,遠(yuǎn)不及公司期望的目標(biāo),在提升3nm工藝的良品率方面,也陷入了掙扎。

這或許意味著公司需要更多的時(shí)間才能投入量產(chǎn)。所謂GAA晶體管即環(huán)繞柵極晶體管,它取代的是FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管),前者可以實(shí)現(xiàn)四邊充當(dāng)電流通道,二者則只有三邊。

三星本來想著通過搶占技術(shù)制高點(diǎn)“降維”打擊臺(tái)積電,沒想到后者堅(jiān)持在3nm使用FinFET后,結(jié)果更務(wù)實(shí)。

值得注意的是,在今年2月份曾有報(bào)道稱,三星重要客戶高通明年將推出的3nm工藝應(yīng)用處理器,將交由臺(tái)積電代工。

文章綜合閩南網(wǎng),人民資訊、ICGOO在線商城

編輯:黃飛

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