2021年全球半導(dǎo)體市場回暖向好，市場需求旺盛，作為國內(nèi)存儲芯片的領(lǐng)先企業(yè)，東芯半導(dǎo)體2021業(yè)績表現(xiàn)非常亮眼。

4月23日，東芯半導(dǎo)體發(fā)布《2021年年度報(bào)告》。報(bào)告顯示，2021年度東芯半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入約11.34億元，較上年7.84億元增長了44.62%。最為驚人的是，東芯半導(dǎo)體年收12倍凈利，實(shí)現(xiàn)2.62億元的歸母凈利潤，同比增長1240.27%，扣非凈利潤為2.55億元，同比增長1354.24%。

圖片：東芯股份2021年年度報(bào)告

東芯半導(dǎo)體成立之后，2017-2019連年虧損，在2020年首次扭虧為盈之后，去年公司業(yè)績實(shí)現(xiàn)最大幅度增長。這是目前東芯半導(dǎo)體歷史的最高業(yè)績，凈利潤首次突破2億大關(guān)，未來可期。除了業(yè)績報(bào)喜之外，2021年底東芯半導(dǎo)體也完成了上交所科創(chuàng)板上市，首日股價(jià)大漲54.90%，開啟成長新里程碑。

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業(yè)績暴漲原因三大點(diǎn)

在存儲芯片領(lǐng)域內(nèi)，東芯半導(dǎo)體是獨(dú)具實(shí)力的后起之秀，自成立以來聚焦該領(lǐng)域研發(fā)中小容量NAND/NOR/DRAM芯片產(chǎn)品，其量產(chǎn)的24nmNAND、48nmNOR均為國內(nèi)領(lǐng)先的NAND、NOR工藝制程，并擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)，僅成立八年的時間便搶奪到存儲芯片領(lǐng)域9.3%的市場份額。

耕耘存儲芯片多年，東芯半導(dǎo)體已經(jīng)進(jìn)入了三星電子、海康威視、歌爾股份、傳音控股、惠爾豐等國內(nèi)外龍頭企業(yè)的供應(yīng)鏈體系，并獲得高通、博通、聯(lián)發(fā)科、紫光展銳、中興微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技等多家知名平臺廠商的認(rèn)證，與這些優(yōu)質(zhì)客戶達(dá)成長期穩(wěn)定良好的合作，是東芯半導(dǎo)體大額長訂單簽訂業(yè)績暴漲的基礎(chǔ)。

東芯半導(dǎo)體2021年業(yè)績實(shí)現(xiàn)歷史最大幅度增長，其公開披露的原因有兩點(diǎn)。（1）東芯半導(dǎo)體產(chǎn)品線2021年進(jìn)一步豐富，導(dǎo)入了新客戶，產(chǎn)品放量增加，銷售規(guī)模較2020年有較大幅度地?cái)U(kuò)大。（2）受全球半導(dǎo)體市場回暖，需求強(qiáng)勁帶動產(chǎn)品價(jià)格上漲。

東芯半導(dǎo)體主營的NAND、NOR、DRAM這三款芯片產(chǎn)品，2021年實(shí)現(xiàn)的銷售量分別是9032.96萬顆、9357.85萬顆、2379.83萬顆。DRAM的銷售量增幅最大，較2020年的1996.50萬顆增長了19.20%。

總體歸納為，外核市場推動，內(nèi)核產(chǎn)品線、優(yōu)質(zhì)客戶驅(qū)動，促使2021年度東芯半導(dǎo)體業(yè)績大漲。

車規(guī)級領(lǐng)域進(jìn)展按下“快進(jìn)鍵”

為了保障未來業(yè)績的持續(xù)性增長，東芯半導(dǎo)體開始積極拓展車規(guī)級領(lǐng)域，在這個新領(lǐng)域的最新進(jìn)展，據(jù)其在公開平臺表示目前公司車規(guī)級產(chǎn)品都按照預(yù)定時間點(diǎn)穩(wěn)步推進(jìn)。

車規(guī)級芯片，顧名思義，就是使用在汽車上的芯片元器件，因其應(yīng)用領(lǐng)域比較特殊，對芯片所提出的硬性要求會更高。首先，車規(guī)級芯片的使用壽命至少要在10年以上；其次要具備高可靠高穩(wěn)定性，避免汽車在高速行駛過程中碰撞、抖動干擾對芯片產(chǎn)生不利影響；再者就是芯片的耐溫能力要非常好，要確保汽車在寒冷和炎熱的惡劣環(huán)境下能夠正常啟動并行駛。據(jù)悉，普通汽車標(biāo)準(zhǔn)芯片的耐溫范圍在-40℃到150℃之間。

為了達(dá)到車規(guī)級芯片的高硬性要求，更快進(jìn)入車企供應(yīng)鏈，東芯半導(dǎo)體近年來明顯加大了研發(fā)投入比例。2021年研發(fā)投入7481.38萬元，較上年的4754.15萬元增長了57.37%，報(bào)告期內(nèi)營業(yè)收入的6.60%。且研發(fā)及技術(shù)人員數(shù)量較上年同期增加29.85%。

圖：東芯股份2021年年度報(bào)告

目前東芯半導(dǎo)體的NAND Flash產(chǎn)品已經(jīng)基本滿足車規(guī)級芯片的要求。這款產(chǎn)品采用了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的單芯片集成技術(shù)，在工業(yè)溫控標(biāo)準(zhǔn)下單顆芯片擦寫次數(shù)已經(jīng)超過10萬次，同時可在-40℃到105℃的極端環(huán)境下保持?jǐn)?shù)據(jù)有效性長達(dá)10年，離車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)越來越近。

另外東芯半導(dǎo)體還有一個車規(guī)級產(chǎn)品的在研項(xiàng)目，據(jù)悉該項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資14273.88萬元，2021年投入金額是202.23萬元，產(chǎn)品將達(dá)到AEC國際車規(guī)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用于車聯(lián)網(wǎng)、儀表盤等，技術(shù)水平國內(nèi)領(lǐng)先。種種跡象表明東芯半導(dǎo)體從消費(fèi)電子、工業(yè)控制升級走向車規(guī)級領(lǐng)域的堅(jiān)定決心，未來車規(guī)級芯片供貨將成為東芯半導(dǎo)體業(yè)績新的增長點(diǎn)，保障業(yè)績得以持續(xù)性增長。