氬離子拋光技術(shù)又稱CP截面拋光技術(shù)，是利用氬離子束對樣品進(jìn)行拋光，可以獲得表面平滑的樣品，而不會對樣品造成機械損害。去除損傷層，從而得到高質(zhì)量樣品，用于在SEM，光鏡或者掃描探針顯微鏡上進(jìn)行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC或其它分析。

離子研磨CP截面拋光儀制樣廣泛，可用于于各種材料樣品（除了液態(tài)）的制備，適應(yīng)大多數(shù)材料類型，對大面積、表面或輻照及能量敏感樣品尤佳，有鋼鐵、地質(zhì)、油頁巖、線路板， 鋰離子電池、光伏材料、陶瓷、金屬(氧化物,合金)、高分子，聚合物、薄膜、半導(dǎo)體、EBSD樣品、生物材料等包括平面拋光與截面拋光。

為此，金鑒實驗室特向市場推出“氬離子拋光/CP截面拋光切割制作樣品檢測”業(yè)務(wù)，能夠針對不同的樣品的硬度，設(shè)置不同的電壓、電流、離子槍的角度、離子束窗口，控制氬離子作用的深度、強度、角度、這樣精準(zhǔn)的參數(shù)，有利于制備成研究者理想的材料樣品，這樣的樣品不僅表面光滑無損傷，而且還原材料內(nèi)部的真實結(jié)構(gòu)，正如頁巖內(nèi)部的細(xì)微孔隙在SEM下放大到100K時也能看得清清楚楚，以及材料內(nèi)部的不同物質(zhì)分層都能看的分界線明顯。

離子研磨制樣效果分享：

氬離子拋光制備EBSD樣品效果

左圖設(shè)備型號:Gatan 685； 右圖設(shè)備型號：Fischione 1061

氬離子拋光與切割/CP截面拋光的優(yōu)點

相比較下氬離子拋光/CP截面拋光的優(yōu)點：
（1）對由硬材料和軟材料組成的復(fù)合材料樣品,能夠很精細(xì)地制作軟硬接合部的截面,而使用傳統(tǒng)方法制樣是很困難的。

（2）比FIB方法的拋光面積更大（~1mm以上）。

寄樣要求

1. 送樣前需要對樣品進(jìn)行預(yù)處理：樣品預(yù)磨拋，樣品要磨平，樣品的上下表面要平行，樣品拋光面至少用4000目砂紙磨平，在顯微鏡下看起來光滑，不粗糙。

2. 金鑒樣品的尺寸要求：

2.1塊狀樣品：以待拋光區(qū)域為中心點，樣品直徑不超過30mm、厚度0~20mm。（超出部分需要磨走）

2.2粉末樣品：10g以上。

注：具體的樣品要求可咨詢在線業(yè)務(wù)！