前言：半導(dǎo)體封裝是指將通過(guò)測(cè)試的晶圓按照產(chǎn)品型號(hào)及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過(guò)程。

一般來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體封裝及測(cè)試是半導(dǎo)體制造流程中極其重要的收尾工作。半導(dǎo)體封裝是利用薄膜細(xì)微加工等技術(shù)將芯片在基板上布局、固定及連接，并用可塑性絕緣介質(zhì)灌封后形成電子產(chǎn)品的過(guò)程，目的是保護(hù)芯片免受損傷，保證芯片的散熱性能，以及實(shí)現(xiàn)電能和電信號(hào)的傳輸，確保系統(tǒng)正常工作；而半導(dǎo)體測(cè)試主要是對(duì)芯片外觀(guān)、性能等進(jìn)行檢測(cè)，目的是確保產(chǎn)品質(zhì)量。

隨著技術(shù)發(fā)展，半導(dǎo)體芯片晶體管密度越來(lái)越高，相關(guān)產(chǎn)品復(fù)雜度及集成度呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，這對(duì)于芯片設(shè)計(jì)及開(kāi)發(fā)而言都是前所未有的挑戰(zhàn)。另一方面，隨著芯片開(kāi)發(fā)周期的縮短，對(duì)于流片的成功率要求非常高，任何一次失敗，對(duì)企業(yè)而言都是無(wú)法承受的。為此，在芯片設(shè)計(jì)及開(kāi)發(fā)過(guò)程中，需要進(jìn)行充分的驗(yàn)證和測(cè)試。除此之外，半導(dǎo)體制程工藝不斷提升，需要面臨大量的技術(shù)挑戰(zhàn)，測(cè)試變得更加重要。那么，半導(dǎo)體封裝測(cè)評(píng)中會(huì)用到哪些設(shè)備呢？

具體來(lái)看主要的半導(dǎo)體封裝測(cè)試設(shè)備具體包括：

（一）減薄機(jī)

由于制造工藝的要求，對(duì)晶片的尺寸精度、幾何精度、表面潔凈度以及表面微晶格結(jié)構(gòu)提出很高要求。因此在幾百道工藝流程中只能采用一定厚度的晶片在工藝過(guò)程中傳遞、流片。通常在集成電路封裝前，需要對(duì)晶片背面多余的基體材料去除一定的厚度。這一工藝過(guò)程稱(chēng)之為晶片背面減薄工藝，對(duì)應(yīng)裝備就是晶片減薄機(jī)。減薄機(jī)是通過(guò)減薄/研磨的方式對(duì)晶片襯底進(jìn)行減薄，改善芯片散熱效果，減薄到一定厚度有利于后期封裝工藝。

（二）四探針

測(cè)量不透明薄膜厚度。由于不透明薄膜無(wú)法利用光學(xué)原理進(jìn)行測(cè)量，因此會(huì)利用四探針儀器測(cè)量方塊電阻，根據(jù)膜厚與方塊電阻之間的關(guān)系間接測(cè)量膜厚。方塊電阻可以理解為硅片上正方形薄膜兩端之間的電阻，它與薄膜的電阻率和厚度相關(guān)，與正方形薄層的尺寸無(wú)關(guān)。四探針將四個(gè)在一條直線(xiàn)上等距離放置的探針依次與硅片進(jìn)行接觸，在外面的兩根探針之間施加已知的電流，同時(shí)測(cè)得內(nèi)側(cè)兩根探針之間的電勢(shì)差，由此便可得到方塊電阻值。

（三）劃片機(jī)

劃片機(jī)包括砂輪劃片機(jī)和激光劃片機(jī)兩類(lèi)。其中，砂輪劃片機(jī)是綜合了水氣電、空氣靜壓高速主軸、精密機(jī)械傳動(dòng)、傳感器及自動(dòng)化控制等技術(shù)的精密數(shù)控設(shè)備。主要用于硅集成電路，發(fā)光二極管，鈮酸鋰，壓電陶瓷，砷化鎵，藍(lán)寶石，氧化鋁，氧化鐵，石英，玻璃，陶瓷，太陽(yáng)能電池片等材料的劃切加工。國(guó)內(nèi)也將砂輪劃片機(jī)稱(chēng)為精密砂輪切割機(jī)。

激光劃片機(jī)是利用高能激光束照射在工件表面，使被照射區(qū)域局部熔化、氣化、從而達(dá)到劃片的目的。因激光是經(jīng)專(zhuān)用光學(xué)系統(tǒng)聚焦后成為一個(gè)非常小的光點(diǎn)，能量密度高，因其加工是非接觸式的，對(duì)工件本身無(wú)機(jī)械沖壓力，工件不易變形。熱影響極小，劃精度高，廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池板、薄金屬片的切割和劃片。

（四）測(cè)試機(jī)

測(cè)試機(jī)是檢測(cè)芯片功能和性能的專(zhuān)用設(shè)備。測(cè)試時(shí)，測(cè)試機(jī)對(duì)待測(cè)芯片施加輸入信號(hào)，得到輸出信號(hào)與預(yù)期值進(jìn)行比較，判斷芯片的電性性能和產(chǎn)品功能的有效性。在CP、FT檢測(cè)環(huán)節(jié)內(nèi)，測(cè)試機(jī)會(huì)分別將結(jié)果傳輸給探針臺(tái)和分選機(jī)。當(dāng)探針臺(tái)接收到測(cè)試結(jié)果后，會(huì)進(jìn)行噴墨操作以標(biāo)記出晶圓上有缺損的芯片；而當(dāng)分選器接收到來(lái)自測(cè)試機(jī)的結(jié)果后，則會(huì)對(duì)芯片進(jìn)行取舍和分類(lèi)。

（五）分選機(jī)

分選設(shè)備應(yīng)用于芯片封裝之后的FT測(cè)試環(huán)節(jié)，它是提供芯片篩選、分類(lèi)功能的后道測(cè)試設(shè)備。分選機(jī)負(fù)責(zé)將輸入的芯片按照系統(tǒng)設(shè)計(jì)的取放方式運(yùn)輸?shù)綔y(cè)試模塊完成電路壓測(cè)，在此步驟內(nèi)分選機(jī)依據(jù)測(cè)試結(jié)果對(duì)電路進(jìn)行取舍和分類(lèi)。分選機(jī)按照系統(tǒng)結(jié)構(gòu)可以分為三大類(lèi)別，即重力式（Gravity）分選機(jī)、轉(zhuǎn)塔式（Turret）分選機(jī)、平移拾取和放置式（PickandPlace）分選機(jī)。

金譽(yù)半導(dǎo)體分粒車(chē)間

封裝測(cè)試的重要性主要體現(xiàn)在它是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)過(guò)程中的最后一道把關(guān)工序，半導(dǎo)體生產(chǎn)流程如下：由晶圓制造、晶圓測(cè)試、芯片封裝，最后進(jìn)行封裝測(cè)試。雖然生產(chǎn)中的每一步都進(jìn)行了把關(guān)，但封裝測(cè)試才是能夠投入使用的最終標(biāo)準(zhǔn)，因此封裝測(cè)試變得尤為重要。作為自產(chǎn)自銷(xiāo)的半導(dǎo)體企業(yè)，金譽(yù)半導(dǎo)體就設(shè)有專(zhuān)門(mén)的封裝測(cè)試服務(wù)，并向外界提供封裝測(cè)試的一站式應(yīng)用解決方案和現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)支持服務(wù)。

這些半導(dǎo)體設(shè)備都是半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵支撐環(huán)節(jié)，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)先導(dǎo)者，生產(chǎn)中的每一步都需在設(shè)備技術(shù)允許的范圍內(nèi)設(shè)計(jì)和制造，而設(shè)備的技術(shù)進(jìn)步又反過(guò)來(lái)推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。