引言

描述了溢流晶片清洗工藝中的流場。該信息被用于一項倡議，其主要目的是減少晶片清洗中的用水量。使用有限元數(shù)值技術計算速度場。大部分的水無助于晶片清洗。

介紹

清洗步驟占工廠中使用的ulaa純水(UPW)的6()%。一個工廠一年就可以使用數(shù)十億加侖的水。大量的水是重要的制造費用。此外，在一些地方，用水是一個環(huán)境問題。然而，隨著芯片復雜性和晶片尺寸的增加，UPW的使用可能會顯著增加。因此，有強烈的動機來提高漂洗過程的效率。

這項工作的主要目的是減少溢流漂洗槽中UPW的消耗。其他目標是減少清洗時間、提高清洗均勻性和提高整個晶片的光潔度。

我們的方法是使用實驗和數(shù)值分析來表征在穩(wěn)態(tài)溢流模式下運行的理想漂洗槽的流體動力學，如下所示，表征流體動力學提供了對如何實現(xiàn)目標的更清楚的理解。特別是，這種分析可以識別流場的不良方面。然后，設計考慮可以集中在改進不期望的方面，以產生改進的漂洗槽。

通常，流體動力學被認為是沖洗最重要的方面，因為它經常影響其他重要的現(xiàn)象。例如，如果從晶片表面去除污染物是純擴散性的，去除速率仍然強烈依賴于流場。此外，一旦從晶片上去除了污染物，流體動力學就會影響污染物向槽外的輸送。因此，盡管其他現(xiàn)象也很重要，但流體動力學是一般漂洗過程中的主要物理機制。

本研究的結果允許考慮流體運動對表面擴散通量的影響，這在之前的分析中被忽略了。我們的方法還考慮了流體中所有點的擴散輸運的組合，這在前面提到的分析中也被忽略了。這里給出的結果只包括我們研究的第一步，即描述水的速度場。在目前正在進行的工作中，這里描述的速度場被用于確定污染物和顆粒的輸送，假設它們足夠稀釋，使得流體速度場不受影響。

結論和未來方向

給出了描述包含一堆晶片的理想清洗槽中的流動的數(shù)值結果。二維結果表明，容器末端和堆疊末端上的晶片之間的間隙(晶片壁間隙)對于晶片垂直中心線上的流速至關重要。結果表明，大部分水流過晶片-壁間隙，而不是晶片之間的間隙。三維結果表明，流動的solne也通過晶片邊緣和側壁之間的間隙轉移。我們得出結論，流過水槽的大部分水不會有助于清洗任何晶片。通過集中設計力量來減少通過槽壁和晶片之間的間隙的不期望的流動，可以獲得提高的清洗效率，這是本工作的目標。

該領域的未來工作包括對整個儲罐進行三維分析，進行流動可視化實驗，并比較數(shù)值和分析結果。將特別注意評估均勻入口假設的準確性。此外，此處展示的速度場將用于檢查水箱中污染物(液體層x和顆粒)的傳輸，以深入了解如何調整速度場，從而改善沖洗效果并減少用水量。

審核編輯：符乾江