1存儲(chǔ)器和總線(xiàn)構(gòu)架

1.1系統(tǒng)構(gòu)架

l一個(gè)驅(qū)動(dòng)單元

nCortex?-M0內(nèi)核系統(tǒng)總線(xiàn)(S-bus)

l四個(gè)被動(dòng)單元

n內(nèi)部SRAM

n內(nèi)部Flash閃存存儲(chǔ)器

nAHB所連接的所有外設(shè)

nAHB到APB的橋，它連接的所有APB設(shè)備

1.1.1系統(tǒng)總線(xiàn)

此總線(xiàn)連接Cortex?-M0內(nèi)核的系統(tǒng)總線(xiàn)(外設(shè)總線(xiàn))到總線(xiàn)矩陣，總線(xiàn)矩陣協(xié)調(diào)內(nèi)核與外部總線(xiàn)的訪(fǎng)問(wèn)。

1.1.2 AHB/APB橋(APB)

“AHB/APB橋”在AHB和APB總線(xiàn)間提供同步連接。AHB和APB的操作速度均與系統(tǒng)時(shí)鐘SYS_CLK同步。

連接到每個(gè)橋的不同外設(shè)的地址映射請(qǐng)參考表1-1。在每一次復(fù)位過(guò)程當(dāng)中，除SRAM以外的所有外設(shè)都被關(guān)閉。

注意：對(duì)AHB或APB總線(xiàn)上的寄存器進(jìn)行8位或者16位操作時(shí)，由于數(shù)據(jù)字節(jié)以小端格式存放在存儲(chǔ)器中，故有：

1.讀操作：該操作會(huì)被自動(dòng)轉(zhuǎn)換成32位的讀，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)將按照小端格式被存儲(chǔ)在中間變量；

2.寫(xiě)操作：總線(xiàn)和橋會(huì)自動(dòng)將8位或者16位的寫(xiě)入數(shù)據(jù)擴(kuò)展，并將缺失的高位補(bǔ)0，以配合

32位的向量。

1.2存儲(chǔ)器組織

程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、寄存器和輸入輸出端口被組織在同一個(gè)4GB的線(xiàn)性地址空間內(nèi)。

數(shù)據(jù)字節(jié)以小端格式存放在存儲(chǔ)器中。一個(gè)字里的最低地址字節(jié)被認(rèn)為是該字的最低有效字節(jié)，而最高地址字節(jié)是最高有效字節(jié)。

1.3嵌入式SRAM

PT32x00x內(nèi)置最大2K字節(jié)的SRAM。它可以以字節(jié)、半字(16位)或全字(32位)訪(fǎng)問(wèn)。SRAM的起始地址是0x2000 0000。

1.4嵌入式Flash閃存

PT32x00x內(nèi)置的閃存存儲(chǔ)器可以用于在線(xiàn)編程(ICP)，在線(xiàn)編程(In-Circuit Programming–ICP)方式用于更新閃存存儲(chǔ)器的全部?jī)?nèi)容，它通過(guò)SWD協(xié)議或系統(tǒng)加載程序(Bootloader)下載

用戶(hù)應(yīng)用程序到微控制器中。ICP是一種快速有效的編程方法，消除了封裝和管座的困擾。

高性能的閃存模塊有以下的主要特性：

最大32K字節(jié)的閃存存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，下面羅列存儲(chǔ)器的組成部分：

l主程序區(qū)

lBootloader區(qū)

l用戶(hù)配置區(qū)

通過(guò)片內(nèi)閃存控制器IFMC可以便捷的控制Flash閃存，有關(guān)IFMC的詳細(xì)信息，請(qǐng)參考”16片內(nèi)閃存控制器(IFMC)”。

注意：PT32x00x不支持中斷向量表重映射，故不支持IAP應(yīng)用。

1.5啟動(dòng)配置

PT32x00x支持兩種啟動(dòng)模式：

l從主程序區(qū)啟動(dòng)

l從Bootloader區(qū)啟動(dòng)

這兩種啟動(dòng)模式都基于Flash片內(nèi)閃存，通過(guò)特定的程序配置以實(shí)現(xiàn)不同的啟動(dòng)模式，而無(wú)需外部硬件的介入。

注意：默認(rèn)從主程序區(qū)啟動(dòng)，關(guān)于從Bootloader 區(qū)啟動(dòng)的詳細(xì)信息，請(qǐng)參考”16.3.6系統(tǒng)啟動(dòng)配置”

審核編輯：湯梓紅