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比亞迪半導體光伏IGBT模塊可根據(jù)客戶需求進行定制開發(fā)

科技綠洲 ? 來源:比亞迪半導體 ? 作者:比亞迪半導體 ? 2022-06-29 10:36 ? 次閱讀
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在“碳達峰“、“碳中和”背景下,太陽能作為可再生、清潔能源的代表,其光伏規(guī)?;瘧贸蔀槭澜缒茉窗l(fā)展的必然趨勢,國內(nèi)光伏市場規(guī)模也仍在不斷擴大。

光伏逆變器是太陽能光伏系統(tǒng)的“心臟”,而IGBT模塊是光伏逆變器的核心組件,占逆變器成本的10%~15%,光伏裝機量的提升成為光伏IGBT模塊需求量增加的重要推力。

比亞迪半導體憑借在IGBT領域十余年的技術積累,針對光伏IGBT模塊進行了前瞻布局和大力開發(fā),積極研判市場趨勢,結合客戶需求,始終堅持自主研發(fā)設計與生產(chǎn)。目前的光伏逆變器中,以T型三電平和I型三電平兩種拓撲結構最為常見。

相較于傳統(tǒng)兩電平拓撲,三電平結構除了使單個IGBT阻斷電壓減半之外,還具有諧波小、損耗低、效率高等優(yōu)勢,比亞迪半導體也正圍繞這兩種拓撲展開系列化開發(fā)。

多 樣 化 封 裝

多 規(guī) 格 布 局

比亞迪半導體光伏IGBT模塊可兼容flow、Easy等主流封裝系列,實現(xiàn)T型三電平、I型三電平拓撲。封裝生產(chǎn)工藝成熟,已通線量產(chǎn)??稍诂F(xiàn)有封裝基礎上拓展不同電壓及電流規(guī)格型號,也可根據(jù)客戶需求進行定制開發(fā)。

現(xiàn)有IGBT模塊非常適用于光伏逆變器和UPS等市場,采用低導通損耗和低開關損耗的溝槽場終止IGBT和快恢復二極管芯片,方形的RBSOA及較低的開關損耗,可帶來系統(tǒng)的效率提升。

審核編輯:彭靜
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