今日，據(jù)媒體報(bào)道，三星的3nm制程芯片將在明天開(kāi)始量產(chǎn)。

作為晶圓代工界常年第二的三星，一度被臺(tái)積電壓一頭，超越臺(tái)積電也成為了三星的一個(gè)目標(biāo)。這次三星把目光集中在了3nm工藝上，不僅要搶在臺(tái)積電前面完成3nm工藝的量產(chǎn)，還要在3nm工藝的質(zhì)量上勝過(guò)臺(tái)積電。

據(jù)了解，三星3nm工藝將采用GAAFET全柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管，相較于之前的FinFET鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管更為先進(jìn)，與7nm工藝相比，三星的3nm工藝將會(huì)降低50%功耗，提高35%性能，并且大小僅為7nm的55%，近期還有爆料稱(chēng)，三星3nm工藝的良率遠(yuǎn)超市場(chǎng)預(yù)期。

而臺(tái)積電的3nm工藝雖然也是今年下半年量產(chǎn)，但至今還未公布具體時(shí)間，而且臺(tái)積電3nm工藝依舊會(huì)采用FinFET鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，相較于三星的GAAFET全柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管來(lái)說(shuō)自然是落了下風(fēng)，這次預(yù)計(jì)三星將成功實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē)，在3nm工藝上領(lǐng)先于臺(tái)積電。

不過(guò)從之前的報(bào)道來(lái)看，臺(tái)積電貌似并不擔(dān)心三星在3nm工藝上將其超過(guò)，或許臺(tái)積電還有更深的底牌沒(méi)有拿出來(lái)。

綜合整理自 中關(guān)村在線 雷科技 快科技

審核編輯 黃昊宇