高精密電子儀器和通信系統(tǒng)的應(yīng)用下，我們需要考慮不同封裝的石英晶振的電性能參數(shù)變化對(duì)系統(tǒng)的影響。

1、晶振的發(fā)展趨勢(shì)

近年來(lái)，晶振朝著小型化發(fā)展,例如便攜式設(shè)備：

SMD 2.0x1.6mm尺寸:

CMOS輸出時(shí)鐘振蕩器(KS20);

SMD 2.5x2.0mm尺寸：

LVDS輸出時(shí)鐘振蕩器 (KD256D);

HCSL輸出時(shí)鐘振蕩器 (KD256C);

2、低功耗晶振：

1.2V低電壓MHz晶體振蕩器, 尺寸可選2.5x2.0mm, 3.2x2.5mm, 5.0x3.2mm, 7.0x5.0mm。

100μA最大KHz晶體振蕩器, 尺寸可選3.2x2.5mm, 5.0x3.2mm, 7.0x5.0mm。

同時(shí)具備小尺寸和低功耗的晶振適合在移動(dòng)設(shè)備和穿戴設(shè)備中使用。

起振時(shí)間

起振時(shí)間主要由晶體的諧振電阻與負(fù)性阻抗共同決定。

晶體的諧振電阻越小，起振越快；

負(fù)性阻抗大小由振蕩IC和負(fù)載電容CL決定，負(fù)載電容與負(fù)性阻抗大小成反比。

CL值大→負(fù)性阻抗較小→起振較慢

CL值小→負(fù)性阻抗較大→起振較快

相位噪聲/抖動(dòng)

KOAN建議選用諧振電阻較小的晶片，才能給CL保留調(diào)整空間，改善近端和遠(yuǎn)端低相位噪聲需求。

起振較慢→電路相對(duì)穩(wěn)定→遠(yuǎn)端相噪好→不利于近端相噪

起振較快→近端相噪好→但是牽引量較大→線(xiàn)路不穩(wěn)定→頻率漂移較大→不利遠(yuǎn)端相噪

其它：電壓/電流/功耗...

隨著小型化低功耗發(fā)展趨勢(shì)，電源電壓，電流，體積，功耗相應(yīng)減小，驅(qū)動(dòng)能力變?nèi)酢?/p>

如果電子設(shè)備需要驅(qū)動(dòng)能力比較強(qiáng)的振蕩器，盡量選擇體積大，電壓高，避免選擇電壓高低兼容晶振；

如果既要體積小又要驅(qū)動(dòng)能力相對(duì)較強(qiáng)，可選用負(fù)載能力比較高的振蕩IC，同時(shí)選擇高Q晶體。需要注意的是：體積越小，電壓也要隨之降低，防止晶體激勵(lì)功率過(guò)高。

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