近日，據(jù)外媒報道稱，芯片設(shè)計巨頭Intel位于美國俄亥俄州的晶圓廠已經(jīng)開始建設(shè)，并且該項目獲得了美國政府的補貼。

Intel公司于去年推出了IDM2.0戰(zhàn)略，其中有在美國本土建設(shè)晶圓廠的計劃，預計將建立兩座先進工藝晶圓廠，總投資約200億美元。不過在前段時間，由于美國520億美元的芯片補貼法案還沒通過，Intel暫時擱置了掛計劃，而據(jù)媒體報道稱，本月7日Intel已經(jīng)買下了美國俄亥俄州的一片土地，將在這塊土地上建立新的晶圓廠，并且已經(jīng)獲得了美國政府的補貼。

目前該廠已經(jīng)開工建設(shè)，據(jù)了解，Intel的新晶圓廠將采用20A的先進制程工藝，并且預計會在2024年正式實現(xiàn)20A工藝的量產(chǎn)。20A工藝中的A代表著埃米，因此Intel的20A工藝就相當于臺積電和三星的2nm工藝，在20A工藝中，Intel還透露過會采用一種全新的晶體管架構(gòu)，將比現(xiàn)在的FinFET晶體管更加先進。

不過作為全球晶圓代工巨頭的臺積電和三星都表示要在2025年才會量產(chǎn)2nm芯片，而Intel的新晶圓廠要比他們還早一年完成2nm工藝的量產(chǎn)，如果Intel的計劃如實進行，那么在芯片領(lǐng)域Intel又將占據(jù)巨大優(yōu)勢。

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綜合整理自 PConline 快科技 扣丁書屋

審核編輯 黃昊宇