NP50P03D6 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述
NP50P03D6采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)
提供優(yōu)良的RDS(ON)，本設(shè)備適合使用
作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM應(yīng)用。
一般特征
?VDS = -30v, id = -50a
RDS(上)(Typ) = 5.8Ω@VGS = -10 v
RDS(上)(Typ) = 9.9Ω@VGS = -4.5 v
?高功率和電流處理能力
?獲得無(wú)鉛產(chǎn)品
?表面安裝包
?150℃的工作溫度
?100% ui測(cè)試
應(yīng)用程序
? PWM 應(yīng)用 程序
? Load 開(kāi)關(guān)
?不間斷電源
包
?PDFN5 * 6-8L-A
訂購(gòu)信息
絕對(duì)最大額定值(除非另有說(shuō)明，TA=25℃)
電特性(除非另有說(shuō)明，TA=25℃)
熱特性
答:R qJA是用設(shè)備安裝在1in 2 FR-4單板上2oz測(cè)量的。銅，在靜止的空氣環(huán)境中
T = 25°C。在任何給定的應(yīng)用程序中的值取決于用戶的特定板設(shè)計(jì)。目前的評(píng)級(jí)是基于
t≤10s熱阻額定值。
B: R qJA是從結(jié)到引線R qJL和引線到環(huán)境的熱阻抗之和。
審核編輯 黃昊宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
單片機(jī)
+關(guān)注
關(guān)注
6077文章
45515瀏覽量
671566 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
9747瀏覽量
233961
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
SGMPM21330：30V P溝道MOSFET的特性與應(yīng)用
SGMPM21330：30V P溝道MOSFET的特性與應(yīng)用 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET是一種常用的功率開(kāi)關(guān)器件。今天我們來(lái)深入了解SG Micro Corp推出的SGMPM2133
選型手冊(cè)：VS3508AS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AS是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配低壓電
選型手冊(cè)：VS3510AD P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AD是一款面向30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-252封裝，適配低壓
選型手冊(cè)：VS3510AS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AS是一款面向30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配低壓電源
IXTY2P50PA MOSFET：高性能P溝道增強(qiáng)型器件的深度解析
IXTY2P50PA是一款 -500 V、 -2 A的P溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用了PolarPTM工藝。它具備低封裝電感的特點(diǎn)，易于安
選型手冊(cè)：VS3540AC P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負(fù)電源切換、小型負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
選型手冊(cè)：VS3510AE P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AE是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，適配低壓負(fù)電源切換、電源路徑管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：
選型手冊(cè)：VS3508AP P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AP是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓負(fù)電源切換、電源路徑
選型手冊(cè)：VS3510AP P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V，適配低壓負(fù)電壓供電場(chǎng)景
?onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET是一種單通道、-30V MOSFET
onsemi NTMFSS0D9N03P8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
N溝道MOSFET的漏極-源極電壓 ( ~VDS~ ) 為30V，柵極-源極電壓 ( ~VGS~ ) 為±20 V,漏極電流為294A。NTMFSS0D9N03P8
選型手冊(cè)：MOT3712G P 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-30V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器
選型手冊(cè)：MOT3650J N+P 增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管
、產(chǎn)品基本信息器件類型：N+P增強(qiáng)型MOSFET（同時(shí)集成N溝道與P溝道單元）核心參數(shù)：N溝道：漏源耐壓（\(BV_{DSS}\)）：30V
選型手冊(cè)：MOT50N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、50A大電流承
合科泰P溝道MOSFET HKTQ30P03P在VBUS開(kāi)關(guān)中的應(yīng)用
在電子工程領(lǐng)域，VBUS開(kāi)關(guān)的性能對(duì)于電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。很多中層管理者在實(shí)際工作中，常常會(huì)遇到VBUS開(kāi)關(guān)方面的各種問(wèn)題，今天就來(lái)和大家深入探討這些問(wèn)題，并介紹一款能有效解決問(wèn)題的產(chǎn)品——HKTQ30P03P溝道MOSFET。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論