隨著PD快充技術(shù)的普及以及氮化鎵快充市場的爆發(fā)，消費(fèi)類電源市場對高頻率、高效率、小體積的產(chǎn)品需求量日益提升。而在開發(fā)高頻率快充電源時(shí)，除了利用氮化鎵器件的高頻特性縮小變壓器的體積之外，氮化鎵快充的高頻特性也會(huì)帶來EMI的問題。

MDD推出的恢復(fù)橋系列產(chǎn)品，可更好地解決這一難題。這得益于MDD針對性的開發(fā)，讓恢復(fù)橋具備較快的恢復(fù)特性，可以大幅減少諧波振蕩的發(fā)生，可以有效減少X電容、共模電感、差模電感等EMI抑制器件的使用數(shù)量或者減小使用規(guī)格，從而實(shí)現(xiàn)更簡潔、更高密度的快充電源方案。尤其適合小型化、高功率密度的氮化鎵快充產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與開發(fā)。

MDD恢復(fù)橋系列

封裝類型

MDD擁有高可靠性的封裝結(jié)構(gòu)

并采用常規(guī)整流或快恢復(fù)整流光阻芯片

因此能更好地應(yīng)用于18-75W電源適配器中

同時(shí)也適用于TV、適配器、PD快充等領(lǐng)域

應(yīng)用案例

65W氮化鎵快充充電器

這次65W氮化鎵快充充電器應(yīng)用方案，選用了 MDD 快恢復(fù)整流橋 TTR8MF，這款整流橋采用的是TTF封裝，反向重復(fù)峰值電壓1000V，浪涌電流可達(dá)220A。

TTR8MF

具有體積小、耐壓高、抗沖擊電流大、反向恢復(fù)時(shí)間低至500ns的特性

可大幅減少諧波振蕩的發(fā)生

有效減少EMI抑制器件的數(shù)量或者減小使用規(guī)格

實(shí)現(xiàn)更簡潔、更高密度的快充電源方案

可以直接替代普通橋堆

具有改善電源EMI的作用

同時(shí)還可以提高產(chǎn)品能源轉(zhuǎn)換效率

PD ZD-PD65AC智電科技氮化鎵高能效方案：

智電科技搭載MDD TTR8MF + 英諾賽科 INN650D02氮化鎵功率開關(guān)管 + 南芯主控SC3021A + 同步整流SC3503 + 協(xié)議SC2151A。

產(chǎn)品體積：55.68*31.6*22.08=38849.49mm3

功率密度：65/38.85=1.673W/cm3

外部配置：1A1C雙口以及折疊美規(guī)插腳等常規(guī)的配置

這是業(yè)界基于國產(chǎn)氮化鎵控制芯片、國產(chǎn)氮化鎵功率器件、以及國產(chǎn)快充協(xié)議芯片開發(fā)并正式量產(chǎn)的產(chǎn)品。

輸入端外殼上印有充電器參數(shù)充電名稱：GaN PD Fast Charger氮化鎵快充充電器輸入：100-240V 50/60Hz 1.5A單口輸出：USB-A：5.0V 2.4A，12W MaxUSB-C：5V3A. 9V3A. 11V5A. 12V3A. 15V3A. 20V3.25A，65W Max雙口輸出：USB-A：5.0V 2.4A，12W MaxUSB-C：5V3A. 9V3A. 12V3A. 15V3A. 20V2.25A，45W Max

這次應(yīng)用方案是MDD與客戶共同研發(fā)完成，同時(shí)也得到客戶高度的認(rèn)可，為消費(fèi)者帶來更好的充電體驗(yàn)。

審核編輯：湯梓紅