常見的MOS管驅(qū)動方式有非隔離的直接驅(qū)動、自舉驅(qū)動，和有隔離的變壓器驅(qū)動、光耦隔離驅(qū)動等，ir2110驅(qū)動芯片替代料ID7S625高壓高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，廣泛應用于DCDC轉(zhuǎn)換器、功率MOSFET和IGBT驅(qū)動、DC/AC轉(zhuǎn)換器等領域。

ir2110替代芯片ID7S625特征

■ 芯片工作電壓范圍10V~20V

■ 輸入邏輯兼容3.3V/5V/15V

■ 輸出電流能力2.5A

■ 高側(cè)浮動偏移電壓600V

■ 自舉工作的浮地通道

■ 所有通道均有延時匹配功能

■ 所有通道均具有欠壓保護功能(UVLO)

ID7S625具有獨立的高低側(cè)輸出通道，其浮地通道能工作在60OV的高壓下，可用于驅(qū)動一個N溝道功率MOSFE或IGBT半橋拓撲結(jié)構(gòu)，非常適合硬開關逆變器驅(qū)動器、DCDC 變換器。低壓側(cè)和高壓側(cè)控制和驅(qū)動器均為自供電，無需外部輔助電源。

IR2110國產(chǎn)替代芯片ID7S625驅(qū)動采用外部自舉電容上電，因其體積小、速度快等優(yōu)點，使得驅(qū)動電源路數(shù)目較其他IC驅(qū)動大大減小，降低了產(chǎn)品成本, 提高了系統(tǒng)的可靠性，已成為大多數(shù)中小功率變換裝置中驅(qū)動器件的選擇，

審核編輯 黃昊宇