了解集成電路的熱性能，無論是微控制器、FPGA 還是處理器，對于避免可能導(dǎo)致電路故障的過熱一直至關(guān)重要。電子系統(tǒng)的小型化和產(chǎn)生大量熱量的元件（例如 LED）的擴散，使得熱分析作為保證產(chǎn)品良好運行和可靠性的工具的作用越來越重要。

然而不幸的是，電子行業(yè)似乎還沒有為這個新挑戰(zhàn)做好充分的準備：事實上，元件制造商經(jīng)常提供關(guān)于其設(shè)備熱行為的非常稀缺的信息，有時將自己局限于用瓦特。在所有這些方面，軟件解決方案允許在熱級別解決設(shè)計問題以提高性能。

基于經(jīng)過高并行度測試的架構(gòu)，在不犧牲精度的情況下提供比上一代解決方案快 10 倍的性能，Cadence 攝氏溫度求解器與用于 IC、封裝和 PCB 的 Cadence 實施平臺集成。這允許執(zhí)行系統(tǒng)分析以在過程的早期檢測和減輕熱問題。Cadence 表示，其Celsius 熱解算器是第一個完整的電熱協(xié)同仿真解決方案，適用于從集成電路到物理容器的整個電子系統(tǒng)層次結(jié)構(gòu)。

熱性能
使用 3D 封裝的公司尤其面臨著巨大的熱挑戰(zhàn)，否則這些挑戰(zhàn)可能要到設(shè)計階段的最后階段后期才能確定，此時進行更改的成本最高。

這使得熱管理在封裝選擇過程中必不可少，以確保產(chǎn)品的高可靠性。良好的熱評估需要結(jié)合分析計算、經(jīng)驗分析和熱建模。問題是確定所討論的集成電路在高溫下是否可靠。

溫度隨時間變化的關(guān)系來自兩個主要定律：牛頓冷卻定律和非潛能守恒定律。第一個可以定義如下：

其中 T B是體溫，T A是環(huán)境溫度，而 K A是比例常數(shù)。以下等式給出了第二定律：

其中 P 是施加到物體上的功率，m 是質(zhì)量，c 是比容量。牛頓定律指出，身體的熱損失率與身體與環(huán)境之間的溫差成正比。結(jié)合這兩個方程，我們得到以下關(guān)系：

熱阻是要分析的主要因素。計算是根據(jù)熱平衡進行的，即，當：

開發(fā)函數(shù)，我們得到以下關(guān)系：

在哪里

是物體與環(huán)境之間的熱阻。問題是確定所討論的集成電路在高溫下是否可靠。沒有特定的分析方法，就不可能提供可靠的答案。在 DC 模式操作中，通常必須分析一些參數(shù)，例如 θ JA熱阻和 θ JC 結(jié)溫。第一個參數(shù)可以定義為熱導(dǎo)的倒數(shù)，它決定了紡織材料的隔熱性能。第二個，結(jié)溫，是半導(dǎo)體中的一個重要因素，與功耗直接相關(guān)。

熱工具
用于正確熱管理的主要技術(shù)可概括如下： 復(fù)合材料通常是熱管理組中的主要熱交換器（散熱器）；工程師和系統(tǒng)設(shè)計師用于測試、設(shè)計和分析熱元件生產(chǎn)率的設(shè)計、建模和分析工具；用于封裝電子產(chǎn)品的基板材料。

設(shè)計軟件允許通過模型和計算流體動力學(xué)執(zhí)行熱分析，以管理組件和各種接頭的氣流和溫度。

Cadence 提出的解決方案結(jié)合了固體結(jié)構(gòu)的有限元分析 (FEA) 技術(shù)和流體的計算流體動力學(xué) (CFD)，允許使用單個儀器對系統(tǒng)進行完整評估。在 PCB 和 IC 封裝中使用帶有 Voltus IC 電源完整性和 Sigrity 技術(shù)的攝氏度熱解算器時，設(shè)計團隊可以結(jié)合電氣和熱分析并仿真電流和熱流，獲得比上一代工具更準確的系統(tǒng)級熱仿真。

熱管理領(lǐng)域的趨勢與半導(dǎo)體、微處理器和計算機技術(shù)的發(fā)展保持一致。開發(fā)是不斷設(shè)計的解決方案協(xié)同作用的結(jié)果，以管理當今電子系統(tǒng)中的多余熱量。

“正如我們所知，電氣性能取決于熱分布。例如，設(shè)備內(nèi)的電阻和漏電取決于溫度。溫度也會影響設(shè)備的功能和可靠性。另一方面，熱分布將取決于電氣性能。焦耳加熱會在系統(tǒng)中引入額外的熱源，而糟糕的設(shè)計可能會在走線上產(chǎn)生高電流浪涌，從而引入不利的熱點。為了獲得更好的設(shè)計，同時考慮這些參數(shù)很重要，這是我們求解器的本質(zhì)，”Cadence 多域系統(tǒng)分析業(yè)務(wù)部產(chǎn)品管理總監(jiān) CT Kao 說。

例如，電子行業(yè)對高速和高性能的追求導(dǎo)致了三維 (3D) 集成電路的發(fā)展。3D 技術(shù)允許封裝中微處理器組件的垂直互連；這轉(zhuǎn)化為多芯片模塊 (MCM)、系統(tǒng)級封裝 (SiP)、系統(tǒng)級封裝 (SOP) 和封裝級封裝配置 (POP)。3D 處理器結(jié)構(gòu)緊湊，互連時間較短。這提高了內(nèi)存訪問帶寬并減少了耗散能級的互連。此外，它將異基因技術(shù)集成在一個單一的包中，以縮短上市時間并使其具有經(jīng)濟可行性。

但是，3D會導(dǎo)致高熱阻，時空功耗不均勻?qū)е聼狳c、高溫梯度、熱應(yīng)力等熱問題；這需要適用于 3D 微處理器的熱解決方案，包括液冷微通道散熱器 (MHS)、TSV（硅通孔）、熱材料接口 (TIM) 和風(fēng)冷散熱器 (AHS)。硅通孔 (TSV) 被認為是降低 3D IC 溫度的有效手段，代表了一種高性能互連技術(shù)，首次用于 CMOS 圖像傳感器。

攝氏熱解算器根據(jù)高級 3D 結(jié)構(gòu)中的實際電能流動執(zhí)行靜態(tài)（靜止）和動態(tài)（瞬態(tài)）電熱模擬，提供真實系統(tǒng)行為的最大可見性。

“我們已經(jīng)確定了三種類型的方法來解決工程師在設(shè)計中遇到的熱分析挑戰(zhàn)：以 IC 為中心、以封裝和 PCB 為中心以及以系統(tǒng)為中心。以 IC 為中心的方法可以對復(fù)雜的芯片級結(jié)構(gòu)進行電熱協(xié)同仿真，包括 3D-IC、芯片到芯片鍵合和硅通孔。功率輸入可以是用戶指定的，也可以是從芯片設(shè)計工具中導(dǎo)入的，該工具可在芯片上生成準確的功率曲線。對于以封裝和 PCB 為中心的應(yīng)用，我們將有限元分析和 CFD 集成在一起，對真正的 3D 結(jié)構(gòu)和 2D 分層結(jié)構(gòu)進行瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)分析。對于更大的以系統(tǒng)為中心的方法，再次集成有限元分析和 CFD 來執(zhí)行瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)分析。

審核編輯 黃昊宇