91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

WAT測(cè)試介紹

電子工程師 ? 來(lái)源:半導(dǎo)體設(shè)備與材料 ? 作者:曉曉是VIP ? 2022-08-09 10:20 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

WAT(wafer acceptable test)

1.概述:

WAT(wafer acceptable test)是一項(xiàng)使用特定測(cè)試機(jī)臺(tái)(分自動(dòng)測(cè)試機(jī)以及手動(dòng)測(cè)試臺(tái))在wafer階段對(duì)特定測(cè)試結(jié)構(gòu)(testkey)進(jìn)行的測(cè)量。WAT可以反應(yīng)wafer流片階段的工藝波動(dòng)以及偵測(cè)產(chǎn)線(xiàn)的異常。WAT會(huì)作為wafer是否可以正常出貨的卡控標(biāo)準(zhǔn)。

2.1測(cè)試階段:

WAT測(cè)試可以分為inline WAT、Final WAT。

Inline WAT是在inter-metal階段對(duì)器件做測(cè)試。Final WAT是在wafer整個(gè)制程完成后對(duì)器件進(jìn)行測(cè)試。

2.2測(cè)試機(jī)臺(tái):

WAT自動(dòng)測(cè)試需要使用特定的測(cè)試機(jī)臺(tái)。主要是Keithley 和 Agilent的測(cè)試機(jī)。測(cè)試機(jī)臺(tái)分為測(cè)試機(jī)柜以及測(cè)試頭。

ebcce6a0-170f-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

2.3測(cè)試板卡:

WAT自動(dòng)測(cè)試使用特定的測(cè)試板卡,通過(guò)測(cè)試頭操作測(cè)試板卡進(jìn)行測(cè)試。

ebeb4c30-170f-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

WAT手動(dòng)測(cè)試需要使用探針臺(tái),手動(dòng)將測(cè)試探針扎到相應(yīng)的測(cè)試PAD上。

ec021c4e-170f-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

2.4測(cè)試結(jié)構(gòu):

A. WAT是對(duì)特定的測(cè)試結(jié)構(gòu)(testkey)做測(cè)試。測(cè)試結(jié)構(gòu)(testkey)放置在劃片槽內(nèi)。由測(cè)試探針扎到測(cè)試PAD上進(jìn)行測(cè)試。

B. 為保證測(cè)試一致性以及測(cè)試硬件的重復(fù)利用,器件結(jié)構(gòu)(testkey)都是有統(tǒng)一的PAD數(shù)以及PAD間距。測(cè)試pattern放置在PAD間。具體的標(biāo)準(zhǔn)需要向各家FAB咨詢(xún)。

ec1dc3fe-170f-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

2.5測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):

ec4745f8-170f-11ed-ba43-dac502259ad0.png

ec6e05ee-170f-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

ec7a1df2-170f-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

2.6測(cè)試項(xiàng)目:

A. WAT可以測(cè)試電流/電壓/電阻/電容

B. FAB內(nèi)主要的測(cè)試項(xiàng)目:

ec950c84-170f-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

2.7測(cè)試結(jié)果的分析:

A. WAT測(cè)試項(xiàng)目可以分為正態(tài)分布項(xiàng)目和非正態(tài)分布項(xiàng)目。

B. 正態(tài)分布項(xiàng)目需要review Cpk,Cpk需要滿(mǎn)足大于1.33。分布的差異來(lái)自于工藝造成的偏差。

ecb20a82-170f-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

ecc221ba-170f-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

C. 非正態(tài)分布項(xiàng)目需要分析長(zhǎng)期測(cè)試結(jié)果的一致性以及異常離散點(diǎn)的原因。

3.WAT測(cè)試的意義:

A.表征產(chǎn)品器件速度 B.體現(xiàn)工藝能力 C.監(jiān)控產(chǎn)線(xiàn)工藝波動(dòng) D.監(jiān)控產(chǎn)線(xiàn)工藝異常

4.總結(jié):

WAT在工藝開(kāi)發(fā)制程階段是工藝調(diào)整的依據(jù)。WAT在量產(chǎn)階段反應(yīng)的是產(chǎn)線(xiàn)工藝的波動(dòng)。對(duì)于FAB來(lái)說(shuō),WAT是重要的監(jiān)控手段。對(duì)于設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),WAT是驗(yàn)證設(shè)計(jì)的重要參數(shù)。分析利用好WAT對(duì)于產(chǎn)品驗(yàn)證以及量產(chǎn)維護(hù)都有重要的意義。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 探針
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    229

    瀏覽量

    21628
  • 自動(dòng)測(cè)試
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    104

    瀏覽量

    19413
  • 測(cè)試機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    267

    瀏覽量

    14203

原文標(biāo)題:WAT測(cè)試介紹(內(nèi)容搬運(yùn)自:知乎賬戶(hù)曉曉是VIP,芯片開(kāi)放社區(qū)-carl_shen)

文章出處:【微信號(hào):半導(dǎo)體設(shè)備與材料,微信公眾號(hào):半導(dǎo)體設(shè)備與材料】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    半導(dǎo)體測(cè)試制程介紹

    半導(dǎo)體產(chǎn)品的附加價(jià)值高、制造成本高,且產(chǎn)品的性能對(duì)于日后其用于最終電子商品的功能有關(guān)鍵性的影響。因此,在半導(dǎo)體的生產(chǎn)過(guò)程中的每個(gè)階段,對(duì)于所生產(chǎn)的半導(dǎo)體IC產(chǎn)品,都有著層層的測(cè)試及檢驗(yàn)來(lái)為產(chǎn)品的質(zhì)量
    的頭像 發(fā)表于 01-16 10:04 ?351次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>測(cè)試</b>制程<b class='flag-5'>介紹</b>

    SILEX希來(lái)科SX-PCEBE 評(píng)估測(cè)試介紹

    SILEX希來(lái)科SX-PCEBE 評(píng)估測(cè)試介紹
    的頭像 發(fā)表于 12-14 15:14 ?1258次閱讀
    SILEX希來(lái)科SX-PCEBE 評(píng)估<b class='flag-5'>測(cè)試</b>版<b class='flag-5'>介紹</b>

    晶圓接受測(cè)試的具體內(nèi)容與重要作用

    在智能手機(jī)、電腦和自動(dòng)駕駛汽車(chē)等高科技產(chǎn)品的背后,隱藏著一項(xiàng)至關(guān)重要的半導(dǎo)體制造技術(shù)——晶圓接受測(cè)試(Wafer Acceptance Test, WAT)。它如同芯片的"全身
    的頭像 發(fā)表于 12-10 15:08 ?820次閱讀
    晶圓接受<b class='flag-5'>測(cè)試</b>的具體內(nèi)容與重要作用

    診斷路由功能及測(cè)試方案介紹

    ,則要求網(wǎng)關(guān)具備強(qiáng)大的S2S(SignaltoService)路由能力。本文將重點(diǎn)探討網(wǎng)關(guān)的診斷路由功能,并分享其性能測(cè)試方案。網(wǎng)關(guān)功能介紹依據(jù)在整車(chē)網(wǎng)絡(luò)中的核心
    的頭像 發(fā)表于 09-24 10:04 ?3406次閱讀
    診斷路由功能及<b class='flag-5'>測(cè)試</b>方案<b class='flag-5'>介紹</b>

    吉事勵(lì)相關(guān)逆變器測(cè)試設(shè)備介紹

    吉事勵(lì)電源測(cè)試系統(tǒng)以 模塊化設(shè)計(jì)、高精度控制及能量回饋技術(shù) 為核心,為新能源、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)電源等領(lǐng)域提供定制測(cè)試解決方案。以下是吉事勵(lì)關(guān)于逆變器測(cè)試設(shè)備的整合介紹: ? 一、 模塊化
    的頭像 發(fā)表于 07-30 17:58 ?1158次閱讀

    晶圓制造中的WAT測(cè)試介紹

    Wafer Acceptance Test (WAT) 是晶圓制造中確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的關(guān)鍵步驟。它通過(guò)對(duì)晶圓上關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)量和分析,幫助識(shí)別工藝中的問(wèn)題,并為良率提升提供數(shù)據(jù)支持。在芯片項(xiàng)目的量產(chǎn)管理中,WAT是您保持產(chǎn)線(xiàn)穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量的重要工具。
    的頭像 發(fā)表于 07-17 11:43 ?3179次閱讀

    CMOS工藝中方塊電阻的主要類(lèi)型和測(cè)試方法

    電阻的測(cè)試分為方塊電阻和接觸電阻,方塊電阻是電路設(shè)計(jì)的重要組成部分,其阻值準(zhǔn)確性嚴(yán)重影響電路的性能,F(xiàn)ab廠通過(guò)WAT參數(shù)方塊電阻Rs監(jiān)測(cè)它們。
    的頭像 發(fā)表于 07-15 14:33 ?2338次閱讀
    CMOS工藝中方塊電阻的主要類(lèi)型和<b class='flag-5'>測(cè)試</b>方法

    UL498溫升測(cè)試介紹

    UL498是一項(xiàng)針對(duì)電氣連接器和插座的安全標(biāo)準(zhǔn),涵蓋了插頭、插座、延長(zhǎng)線(xiàn)和類(lèi)似設(shè)備的設(shè)計(jì)、性能和安全要求。其中,溫升測(cè)試是UL498標(biāo)準(zhǔn)中的一個(gè)重要部分,目的是確保設(shè)備在使用過(guò)程中不會(huì)因過(guò)熱而導(dǎo)致
    的頭像 發(fā)表于 07-03 11:33 ?1125次閱讀
    UL498溫升<b class='flag-5'>測(cè)試</b><b class='flag-5'>介紹</b>

    半導(dǎo)體WAT測(cè)試的常見(jiàn)結(jié)構(gòu)

    WAT(Wafer Acceptance Test)測(cè)試,也叫PCM(Process Control Monitoring),對(duì)Wafer 劃片槽(Scribe Line)測(cè)試鍵(Test Key)的
    的頭像 發(fā)表于 06-28 10:26 ?3859次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>WAT</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b>的常見(jiàn)結(jié)構(gòu)

    盛華推出晶圓測(cè)試WAT PCM用Probe Card探針卡

    探針卡, WAT,PCM測(cè)試
    的頭像 發(fā)表于 06-26 19:23 ?809次閱讀

    半導(dǎo)體芯片的可靠性測(cè)試都有哪些測(cè)試項(xiàng)目?——納米軟件

    本文主要介紹半導(dǎo)體芯片的可靠性測(cè)試項(xiàng)目
    的頭像 發(fā)表于 06-20 09:28 ?1389次閱讀
    半導(dǎo)體芯片的可靠性<b class='flag-5'>測(cè)試</b>都有哪些<b class='flag-5'>測(cè)試</b>項(xiàng)目?——納米軟件

    晶圓接受測(cè)試中的閾值電壓測(cè)試原理

    在芯片制造的納米世界里,閾值電壓(Threshold Voltage, Vth)如同人體的“血壓值”——微小偏差即可導(dǎo)致系統(tǒng)性崩潰。作為晶圓接受測(cè)試(WAT)的核心指標(biāo)之一,Vth直接決定晶體管
    的頭像 發(fā)表于 05-21 14:10 ?2893次閱讀
    晶圓接受<b class='flag-5'>測(cè)試</b>中的閾值電壓<b class='flag-5'>測(cè)試</b>原理

    ESD技術(shù)文檔:芯片級(jí)ESD與系統(tǒng)級(jí)ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)介紹和差異分析

    ESD技術(shù)文檔:芯片級(jí)ESD與系統(tǒng)級(jí)ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)介紹和差異分析
    的頭像 發(fā)表于 05-15 14:25 ?4611次閱讀
    ESD技術(shù)文檔:芯片級(jí)ESD與系統(tǒng)級(jí)ESD<b class='flag-5'>測(cè)試</b>標(biāo)準(zhǔn)<b class='flag-5'>介紹</b>和差異分析

    半導(dǎo)體測(cè)試可靠性測(cè)試設(shè)備

    在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,可靠性測(cè)試設(shè)備如同產(chǎn)品質(zhì)量的 “守門(mén)員”,通過(guò)模擬各類(lèi)嚴(yán)苛環(huán)境,對(duì)半導(dǎo)體器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠性進(jìn)行評(píng)估,確保其在實(shí)際使用中能穩(wěn)定運(yùn)行。以下為你詳細(xì)介紹常見(jiàn)的半導(dǎo)體測(cè)試可靠性測(cè)
    的頭像 發(fā)表于 05-15 09:43 ?1294次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>測(cè)試</b>可靠性<b class='flag-5'>測(cè)試</b>設(shè)備

    QDAT非信令測(cè)試介紹

    高通WIFI6的IPQ系列芯片非信令測(cè)試常用的測(cè)試方法有兩種:QRCT(射頻調(diào)試工具)、QPSR(射頻校準(zhǔn)工具)。Chrent一、QPSR(射頻校準(zhǔn)工具)非信令測(cè)試首先設(shè)置一個(gè)校準(zhǔn)頻段,我這里設(shè)置
    的頭像 發(fā)表于 05-07 17:32 ?1725次閱讀
    QDAT非信令<b class='flag-5'>測(cè)試</b><b class='flag-5'>介紹</b>