91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

什么是OptiMOS MOSFET?

倩倩 ? 來源:駿龍電子 ? 作者:駿龍電子 ? 2022-08-19 15:05 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

?OptiMOS 5 80V/100V MOSFET 簡介

OptiMOS 5 (SFET5) 是基于溝槽技術的新一代 MOSFET,目前已實現(xiàn)量產(chǎn)。除了傳統(tǒng)的 40V 系列外,英飛凌還推出主要用于汽車 48V 電池系統(tǒng)的 80V 和 100V 小型封裝 MOSFET 產(chǎn)品。OptiMOS 5 80V/100V MOSFET 采用 3mm x 3mm S3O8 封裝和 5mm x 6mm SSO8 封裝,有多種 RDS(on) 配置,在減小尺寸的同時,進一步降低了導通損耗,優(yōu)化了開關性能。英飛凌為需要高效率和小型化的系統(tǒng),提供最佳的解決方案。

OptiMOS 5 80V/100V MOSFET 特性

低導通損耗

優(yōu)化開關性能

更小的 SMD 封裝

更小的 RDS(on)

符合 AEC-Q101 的要求,達到英飛凌自有的更高質(zhì)量標準

最大工作溫度:TjMax=175°C

什么是 OptiMOS MOSFET?

OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨特技術的中低耐壓 MOSFET 的商標,有多種耐壓、RDS(on)、封裝,適用于汽車和消費類應用。英飛凌在功率半導體領域的市場占有率位居全球第一,特別是在汽車 MOSFET 方面。英飛凌自 2010 年以來的出貨量已達 10 億個,致力于提升質(zhì)量水平,目前已經(jīng)實現(xiàn)低于 100ppb (十億分之一) 的產(chǎn)品不良率。

OptiMOS 5 80V/100V MOSFET 規(guī)格

d2778aea-1f8c-11ed-ba43-dac502259ad0.png

補充說明

NL (Non Logic): Vgs=7V 或更高;例如:由柵極驅(qū)動 IC 驅(qū)動。

LL (Logic Level): Vgs=4.5V 或更高;例如:由 MCU 直接驅(qū)動。

OptiMOS 5 80V/100V MOSFET 規(guī)格命名規(guī)則

用于汽車 MOSFET 新規(guī)格的命名規(guī)則,如下圖 (圖2) 所示:

d2a83280-1f8c-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

圖2 汽車MOSFET新規(guī)格命名規(guī)則

目標應用

48V - 12V 電池直流/直流轉(zhuǎn)換器

48V 電池管理系統(tǒng)、電源

48V 蓄電池電動助力器、電動壓縮機、電動懸掛

48V 電池輔助電源

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 英飛凌
    +關注

    關注

    68

    文章

    2521

    瀏覽量

    142951
  • 轉(zhuǎn)換器

    關注

    27

    文章

    9423

    瀏覽量

    156453
  • MOSFET
    +關注

    關注

    151

    文章

    9686

    瀏覽量

    233770

原文標題:英飛凌車用小型高效的 OptiMOS? 5 80V/100V MOSFET

文章出處:【微信號:駿龍電子,微信公眾號:駿龍電子】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    MOSFET相關問題分享

    1.Q:并聯(lián)使用MOS存在一些問題,那我們要怎樣做才能避免這些問題? A:首先,器件的一致性一定要好。在功率MOSFET多管并聯(lián)時,器件內(nèi)部參數(shù)的微小差異就會引起并聯(lián)各支路電流的不平衡而導致單管過流
    發(fā)表于 01-26 07:46

    MOSFET耐壓BVdss

    (1)產(chǎn)品的額定電壓是固定的,MOSFET的耐壓選取也就比較容易,由于BVdss具有正溫度系數(shù),在實際的應用中要結(jié)合這些因素綜合考慮。 (2)VDS中的最高尖峰電壓如果大于BVdss,即便這個尖峰
    發(fā)表于 12-23 08:37

    MOSFET的Id電流介紹

    (1)Id電流代表MOSFET能流過的最大電流,反映帶負載能力,超過這個值可能會因為超負荷導致MOSFET損壞。 (2)Id電流參數(shù)選擇時,需要考慮連續(xù)工作電流和電涌帶來的尖峰電流,確保
    發(fā)表于 12-23 08:22

    MOSFET導通電阻Rds

    (1)Rds(on)和導通損耗直接相關,RDSON越小,功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。 (2)Rds(on)時正溫度系數(shù),會隨著MOSFET溫度升高而變大,也就是Rds
    發(fā)表于 12-23 06:15

    探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術:從原理到應用

    ,近期推出了全新的OptiMOS? 6 120 V功率MOSFET技術,為我們帶來了諸多驚喜。今天,我們就來深入探討這一技術及其在三相功率逆變器板上的應用。 文件下載: Infineon
    的頭像 發(fā)表于 12-20 10:35 ?786次閱讀

    深入解析 IRF150DM115 MOSFET:特性、參數(shù)與應用

    IRF150DM115 OptiMOS? 5 150V MOSFET.pdf 一、產(chǎn)品概述 IRF150DM115 屬于 OptiMOS? 5 系列,耐壓為 150V,采用 DirectFET? 封裝技術。這種
    的頭像 發(fā)表于 12-20 10:15 ?870次閱讀

    探索 OptiMOS? 5 汽車功率 MOSFET IAUTN08S5N012L 的卓越性能

    探索 OptiMOS? 5 汽車功率 MOSFET IAUTN08S5N012L 的卓越性能 在汽車電子領域,功率 MOSFET 扮演著至關重要的角色。今天,我們將深入探討英飛凌(Infineon
    的頭像 發(fā)表于 12-19 10:20 ?395次閱讀

    OptiMOS? 5 Linear FET 2, 100 V IPT017N10NM5LF2 MOSFET深度解析

    OptiMOS? 5 Linear FET 2, 100 V IPT017N10NM5LF2 MOSFET深度解析 作為電子工程師,我們在設計中常常需要挑選合適的MOSFET來滿足特定的應用需求
    的頭像 發(fā)表于 12-19 09:35 ?1087次閱讀

    探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET:電機驅(qū)動的新突破

    探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET:電機驅(qū)動的新突破 在電子工程師的日常工作中,為電機驅(qū)動系統(tǒng)挑選合適的MOSFET至關重要。英飛凌最新推出的OptiMOS?
    的頭像 發(fā)表于 12-18 14:30 ?652次閱讀

    MOS管的損耗真相:誰在偷走你的效率?# MOS# MOSFET

    MOSFET
    微碧半導體VBsemi
    發(fā)布于 :2025年12月05日 17:44:32

    為什么超級結(jié) GaN Sic能避免熱損耗? #MOS #MOS管 #mosfet #mosfet工作原理

    MOSFET
    微碧半導體VBsemi
    發(fā)布于 :2025年12月05日 17:43:24

    功率MOSFET管的應用問題分析

    功率MOSFET管應用問題匯總 問題1:在功率MOSFET管應用中,主要考慮哪些參數(shù)?在負載開關的功率MOSFET管導通時間計算,通常取多少比較好?相應的PCB設計,銅箔面積布設多大散熱會比
    發(fā)表于 11-19 06:35

    一副AI眼鏡需要用到多少個MOSFET? #MOSFET #AI眼鏡 #小米ai眼鏡 #半導體 #應用

    MOSFET
    微碧半導體VBsemi
    發(fā)布于 :2025年06月28日 17:32:08

    MOSFET與IGBT的區(qū)別

    MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應用領域的不同. 1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強,IXYS有一款MOSFET
    發(fā)表于 03-25 13:43

    MOSFET開關損耗計算

    )與電源轉(zhuǎn)換技術來提高電源轉(zhuǎn)換效率之外,新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色,亦不容忽視。其中,Power MOSFET 目前已廣泛應用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性
    發(fā)表于 03-24 15:03