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太赫茲超材料:從有源超器件到拓?fù)涔庾泳w

MEMS ? 來源:MEMS ? 作者:MEMS ? 2022-08-19 15:59 ? 次閱讀
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主動超構(gòu)材料(active metamaterials)是推動超構(gòu)材料實用化的重要途徑之一。近日,南方科技大學(xué)叢龍慶團(tuán)隊,應(yīng)邀撰寫了題為“Terahertz Metamaterials for Free-Space and on-Chip Applications: From Active Metadevices to Topological Photonic Crystals”的綜述性文章,發(fā)表在2022年Advanced Devices & Instrumentation期刊上。本文聚焦未來在無線通信、成像、傳感領(lǐng)域都極具應(yīng)用潛力的太赫茲(THz)波段,重點總結(jié)基于復(fù)合超構(gòu)材料(hybrid metamaterials)實現(xiàn)主動調(diào)制的研究進(jìn)展,介紹幾種基本工作機(jī)制、相關(guān)器件性能指標(biāo)、發(fā)展概況、技術(shù)瓶頸等,為讀者了解技術(shù)原理、開展相關(guān)研究提供參考。目前,主動超構(gòu)材料的應(yīng)用主要針對自由空間太赫茲波調(diào)制,而片上信息傳輸將進(jìn)一步助力器件小型化,提升器件集成度。基于拓?fù)涔庾訉W(xué)的太赫茲波導(dǎo)有望解決片上傳輸效率問題,本文第二部分還重點介紹了當(dāng)前的熱點研究方向——拓?fù)涔庾訉W(xué),分別從基本原理、幾種典型的拓?fù)涔庾泳w類型、太赫茲應(yīng)用進(jìn)展三方面展開。

研究進(jìn)展

液晶-超構(gòu)材料復(fù)合器件
向列相液晶在可見波段已廣泛應(yīng)用于相位調(diào)制,在太赫茲波段的應(yīng)用價值也非常高。但想要獲得足夠大的相移,液晶的厚度需要與波長相近,因而增加了調(diào)制-恢復(fù)時間,這就為太赫茲應(yīng)用帶來挑戰(zhàn)。將液晶材料與超構(gòu)材料結(jié)合,可以大大減小液晶厚度、減小驅(qū)動電壓、提高器件開關(guān)速度,并利用超構(gòu)表面產(chǎn)生一系列功能應(yīng)用(圖1a)。

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圖1 幾種典型的復(fù)合超構(gòu)材料

(a)液晶-超構(gòu)材料器件;(b)相變材料-超構(gòu)材料太赫茲主動調(diào)控;(c)石墨烯-超構(gòu)材料太赫茲調(diào)控;(d)MEMS-超構(gòu)材料太赫茲調(diào)制器;(e)硅-超構(gòu)材料全光超快調(diào)制器。

相變材料-超構(gòu)材料器件

利用相變材料(GST、 VO2等)在外界驅(qū)動調(diào)制下由晶態(tài)到無定形態(tài)轉(zhuǎn)換的過程帶來材料折射率和吸收系數(shù)的變化,可以為復(fù)合超構(gòu)材料器件的主動調(diào)制帶來豐富的應(yīng)用場景,滿足不同的應(yīng)用需求(圖1b)。目前,相變材料的驅(qū)動手段多樣化,具備各自的優(yōu)勢和劣勢。

石墨烯-超構(gòu)材料器件石墨烯在太赫茲波段的電導(dǎo)率與直流電導(dǎo)率正相關(guān),因此可以通過調(diào)制費(fèi)米能級的方式實現(xiàn)太赫茲波高效、寬帶的調(diào)制。典型的調(diào)制應(yīng)用包括類二極管光學(xué)器件、寬帶調(diào)相器件、光學(xué)記憶器件、非線性器件等?;陔婒?qū)動的石墨烯-超構(gòu)材料器件調(diào)制速度仍受限于RC時間;另外,其自身厚度有限,與光相互作用的強(qiáng)度受限,需要依賴于超構(gòu)材料極強(qiáng)的局域場增強(qiáng)來提升調(diào)制深度。MEMS-超構(gòu)材料器件微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)是目前最先進(jìn)的集成系統(tǒng)的基礎(chǔ)部分。基于MEMS成熟的加工工藝和廣泛的應(yīng)用,其技術(shù)可以很好地拓展應(yīng)用于太赫茲波段,典型的應(yīng)用場景之一是利用靜電驅(qū)動實現(xiàn)對電磁波偏振態(tài)的動態(tài)調(diào)制(圖1d)。將MEMS與超構(gòu)表面結(jié)合還可以實現(xiàn)可編程調(diào)制器,有望集成動態(tài)偏振態(tài)調(diào)制、波前偏置、全息顯示等復(fù)雜的功能于一個器件。但可靠性是MEMS-超構(gòu)表面陣列面臨的一個問題,例如變形分布不均勻、缺陷、懸臂梁無法釋放等。

硅-超構(gòu)材料器件

太赫茲波段主要采用的半導(dǎo)體材料是硅和砷化鎵,通過全光調(diào)制和電驅(qū)動兩種模式實現(xiàn)動態(tài)調(diào)制。全光調(diào)制通常是利用激光脈沖激發(fā)半導(dǎo)體材料的瞬態(tài)載流子,材料載流子濃度的改變對太赫茲波的透/反射率產(chǎn)生調(diào)制,通過結(jié)合超構(gòu)表面可實現(xiàn)調(diào)幅、偏振分束、輻射角度切換等應(yīng)用。最大優(yōu)勢是可以實現(xiàn)超快的調(diào)制速度,并可實現(xiàn)遠(yuǎn)程調(diào)控。電驅(qū)動調(diào)制方式通過電注入或耗盡載流子的方式改變材料的載流子濃度,這種方式從器件實用性和集成性的角度往往更有吸引力,但調(diào)制速度受限于驅(qū)動電路的RC時間。

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圖2 拓?fù)涔庾訉W(xué)和太赫茲應(yīng)用

(a)拓?fù)浜屯負(fù)洳蛔兞?;(b)時間反演對稱破缺的拓?fù)涔庾泳w;(c)基于量子自旋霍爾效應(yīng)的拓?fù)涔庾泳w;(d)基于量子谷霍爾效應(yīng)的拓?fù)涔庾泳w;(e)拓?fù)涔庾泳w的太赫茲通信應(yīng)用。

拓?fù)涔庾訉W(xué)

基于拓?fù)涔庾訉W(xué)的太赫茲波導(dǎo)具有傳輸效率高、穩(wěn)定性好、對大角度偏折不敏感等優(yōu)勢,將助力太赫茲通信應(yīng)用發(fā)展。拓?fù)涔庾訉W(xué)應(yīng)用大多基于光子晶體。本文簡述了拓?fù)涔庾訉W(xué)基本原理(圖2a)、拓?fù)涔庾泳w的幾種分類(圖2b,時間反演對稱破缺的拓?fù)涔庾泳w)、拓?fù)洳蛔兞康挠嬎?,重點針對具備時間反演對稱的量子自旋霍爾效應(yīng)(圖2c)和量子谷霍爾效應(yīng)(圖2d)的光子晶體進(jìn)行介紹。最后,文章總結(jié)了目前基于拓?fù)涔庾泳w的太赫茲通信應(yīng)用相關(guān)報道(圖2e)。

總結(jié)與展望

自由空間太赫茲波的主動超構(gòu)材料涉及的驅(qū)動方式包括電、光、熱、力等,在應(yīng)用中具備各自的優(yōu)、缺點,例如典型的電驅(qū)動方式具有很好的集成性,但調(diào)制速度往往受限于RC時間;光驅(qū)動的調(diào)制時間可到飛秒量級,可遠(yuǎn)程遙控,但集成性受限,調(diào)制頻率也受到脈沖激光的重復(fù)頻率限制。針對片上太赫茲應(yīng)用,結(jié)合拓?fù)涔庾訉W(xué)和主動調(diào)制的方法有望切實推動太赫茲通信應(yīng)用的發(fā)展。利用高階拓?fù)涔庾泳w還有望進(jìn)一步提升光與物質(zhì)相互作用,為高功率太赫茲輻射源提供解決方案。

作者簡介:

叢龍慶,南方科技大學(xué)電子系副教授,研究團(tuán)隊致力于太赫茲光子學(xué)研究,探索主動超構(gòu)材料器件用于自由空間太赫茲波調(diào)控,解決太赫茲無線通信、單像素成像、傳感等領(lǐng)域的應(yīng)用問題;研究拓?fù)涔庾泳w,用于實現(xiàn)太赫茲片上調(diào)制應(yīng)用。目前承擔(dān)國家自然科學(xué)基金面上項目任務(wù)。

論文信息:

https://doi.org/10.34133/2022/9852503

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:綜述:太赫茲超構(gòu)材料的自由空間主動調(diào)制和拓?fù)淦蠎?yīng)用

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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