下一代芯片會(huì)什么樣子，什么時(shí)候能實(shí)現(xiàn)？

芯片制造商正在為架構(gòu)、材料和基本結(jié)構(gòu)（如晶體管和互連器件）的根本性變革做好準(zhǔn)備。最終結(jié)果將是有更多的流程步驟、每個(gè)步驟的復(fù)雜性增加，以及全面成本上升。

在前沿，F(xiàn)inFET會(huì)在3nm節(jié)點(diǎn)之后的某個(gè)地方前進(jìn)困難。仍在這些節(jié)點(diǎn)工作的三家代工廠 ——臺(tái)積電，三星和英特爾，以及行業(yè)研究機(jī)構(gòu) imec正在尋求某種形式的柵極全能晶體管作為下一個(gè)晶體管結(jié)構(gòu) ，以便對(duì)柵極泄漏進(jìn)行更嚴(yán)格的控制。

在此之后，這種方法可能至少適用于更多的節(jié)點(diǎn)，并可能隨著由imec開發(fā)的中間步驟forksheet FET的推出而進(jìn)一步發(fā)揮作用。（見圖1）然而每家公司都在使用不同的命名，時(shí)間表和技術(shù)組合，因此很難確定哪個(gè)公司在什么時(shí)候處于技術(shù)領(lǐng)先地位。

圖1：N型和P型 forksheet FET對(duì)（左）

和nanosheet FET（右）。來源：imec

“回顧過去，我們從雙極器件開始，然后我們轉(zhuǎn)向平面CMOS和3D FinFET，”臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁Kevin Zhang說?！艾F(xiàn)在我們正在轉(zhuǎn)向nanosheet柵極全能晶體管。但晶體管結(jié)構(gòu)將會(huì)演變。不是每一代或每一個(gè)節(jié)點(diǎn)都需要引入新的架構(gòu)，因?yàn)樾碌木w管或架構(gòu)需要很長很長的時(shí)間。我們已經(jīng)投資nanosheet技術(shù)超過10年，以便有足夠的信心在2nm節(jié)點(diǎn)上引入它?！?/p>

代工廠將盡可能長時(shí)間地?cái)U(kuò)展現(xiàn)有技術(shù) ，因?yàn)槊看胃鼡Q升級(jí)都是昂貴的。除了代工廠開發(fā)的新制造工藝外，還需要微調(diào)涉及制造設(shè)備的數(shù)百個(gè)工藝步驟。這里的關(guān)鍵指標(biāo)是制造每個(gè)晶圓所花費(fèi)的時(shí)間，這會(huì)影響成本，以及獲得足夠良率的時(shí)間。每個(gè)步驟都需要更改所有內(nèi)容，從EDA工具（需要在每個(gè)節(jié)點(diǎn)和每個(gè)鑄造廠的半節(jié)點(diǎn)進(jìn)行認(rèn)證）到各種設(shè)備何時(shí)插入制造環(huán)流。復(fù)雜芯片可以有多個(gè)插入點(diǎn)。這使得實(shí)際的時(shí)間表難以確定，代工廠可能不會(huì)推到下一個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，直到他們使用現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)。

臺(tái)積電是目前流程的領(lǐng)導(dǎo)者，也是唯一處于領(lǐng)先地位的純代工廠，計(jì)劃遷移到2nm的GAA FET。臺(tái)積電研發(fā)高級(jí)副總裁Yuh-jier Mii在最近的一次演講中表示，3nm的finFET在使用相同的功率時(shí)將速度提高18%，或在相同的性能下降低34%的功率。使用nanosheet，速度將提高約10%至15%，功耗降低25%至30%，密度增加1.1倍。他還指出，現(xiàn)有的設(shè)計(jì)規(guī)則將在N2兼容，這將降低IP的重用率。

英特爾將遵循類似的路徑，使用其版本的GAA FET，稱為帶狀FET。英特爾同樣表示，它的finFET技術(shù)還有足夠的改進(jìn)，可以將finFET擴(kuò)展到另一個(gè)節(jié)點(diǎn)。

“我們?cè)诋?dāng)前的生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)上提供先進(jìn)的 finFET ，”英特爾副總裁兼產(chǎn)品和設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)支持總經(jīng)理Rahul Goyal說。“我們還在研究下一代節(jié)點(diǎn)，它將在明年左右推出。然后，我們的sweet spot——這是最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)，我們相信我們可以在這里實(shí)現(xiàn)差異化，目前正在與幾個(gè)客戶一起開發(fā)。這讓我們更好的規(guī)定好了2024年至2025年的發(fā)展歷程，并更好地了解了客戶的需求以及如何實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。挑戰(zhàn)在于如何確保我們?cè)谠缙陔A段與客戶合作，以盡可能加快我們的學(xué)習(xí)速度，然后使我們的生態(tài)系統(tǒng)和合作伙伴能夠?yàn)槲覀兊目蛻舴?wù)?！?/p>

與此同時(shí)，三星將在3nm引入GAA技術(shù)，稱為多橋通道FET。該公司聲稱，與5nm FinFET相比，該技術(shù)可以將功耗降低45%，將性能提高23%，并將面積減少16%。下一代產(chǎn)品將降低高達(dá)50%的功耗，并將性能提高30%，占地面積減少35%。三星吹捧的關(guān)鍵改進(jìn)之一是可調(diào)節(jié)的通道寬度，它可以降低驅(qū)動(dòng)信號(hào)所需的功率。

下一步是什么？

在GAA FET之后，下一個(gè)技術(shù)版本可能包括堆疊的GAA FET，也稱為complementary FET（CFET），可擴(kuò)展高達(dá)50%。這種變化至少將nanosheet擴(kuò)展了幾個(gè)節(jié)點(diǎn)?？梢远询B多少層可能決定了這項(xiàng)技術(shù)的可擴(kuò)展性。

“我們正在研究橫向nanosheet以及未來幾代技術(shù)中橫向nanosheet某種程度的堆疊，” Lam Research計(jì)算產(chǎn)品副總裁David Fried說?！懊總€(gè)人都喜歡調(diào)查先進(jìn)設(shè)備的完整列表，并查看垂直和橫向設(shè)備和堆棧，但是進(jìn)行任何這些更改所需的投資都非常巨大，以至于制造商必須確信，在他們進(jìn)行過渡之前，他們將從重大過渡中獲得至少幾個(gè)節(jié)點(diǎn)。你盡量不要一次一個(gè)節(jié)點(diǎn)地做出這些決定。”

預(yù)計(jì)CFET將開始出現(xiàn)在1.4nm左右。CFET已經(jīng)在繪圖板上存在了十多年，被認(rèn)為是nanosheet和forksheet FET的進(jìn)化步驟 。對(duì)于CFET，nFET和pFET導(dǎo)線采用單線或雙線配置，在提供面積和密度優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，仍可限制柵極處的電流泄漏。這種泄漏就是即使設(shè)備關(guān)閉，電池也會(huì)耗盡或電力繼續(xù)流動(dòng)的原因。

圖 2：CFET 架構(gòu)。來源：科文托，

Lam Research旗下研究公司

重新思考一些基礎(chǔ)知識(shí)

與過去不同，當(dāng)一個(gè)過程可以在數(shù)十億個(gè)相同設(shè)計(jì)的單元上完成時(shí)，最終用戶需要針對(duì)特定應(yīng)用的更定制的解決方案。在某些情況下，這些是為內(nèi)部消費(fèi)而設(shè)計(jì)的，例如超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心。這限制了特定設(shè)計(jì)的行業(yè)體量，并進(jìn)一步減少了量。

更糟糕的是，其中一些設(shè)備正被用于安全和任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用。因此，除了數(shù)量有限之外，還需要在更長的使用壽命內(nèi)提高可靠性。

為此，正在制定一些有趣的戰(zhàn)略來處理這些問題和相關(guān)問題。例如，與其期望設(shè)計(jì)中的每個(gè)晶體管或互連都能以100%的良率完美地工作， 不如期望能夠在芯片生命周期的任何時(shí)候識(shí)別出哪些是壞的。這里的重點(diǎn)是彈性。過去，這是通過冗余實(shí)現(xiàn)的，一般的態(tài)度是晶體管是免費(fèi)的。但是，在異構(gòu)設(shè)計(jì)中，這種方法太昂貴了，其中一些計(jì)算元素和內(nèi)存是由不同的供應(yīng)商創(chuàng)建的。

“有兩個(gè)問題，”PDF Solutions首席技術(shù)官 Andrzej Strojwas說?！笆紫?，你如何很早就確定電路不起作用？其次，如何構(gòu)建可重配置的互連？可以使用有源電路來重新配置該互連。這樣做的標(biāo)準(zhǔn)方法是在制造過程結(jié)束后進(jìn)行測(cè)試，然后燒毀保險(xiǎn)絲。但是，如果通過低級(jí)金屬水平的電子束掃描將信息內(nèi)聯(lián)在內(nèi)，則可以更有效地做到這一點(diǎn)。粒度是不同的?！?/p>

當(dāng)索尼在2000年推出基于IBM的Cell處理器的Playstation 2時(shí)，它被設(shè)計(jì)成六個(gè)內(nèi)核，盡管只需要五個(gè)。這種方法在當(dāng)時(shí)被認(rèn)為是革命性的。但是，可重構(gòu)性增加了對(duì)從設(shè)計(jì)到制造的應(yīng)用的能力，包括實(shí)時(shí)分析，根據(jù)需要重新路由信號(hào)的能力，以及更精確地劃分設(shè)計(jì)的能力。

光刻也即將經(jīng)歷一個(gè)重大而昂貴的轉(zhuǎn)變。EUV在經(jīng)過大約十年的延遲后，部署用于5nm的大批量生產(chǎn)，已經(jīng)落后了。在3nm和2nm處，除非ASML（尖端光刻設(shè)備的唯一來源）能夠以合理的價(jià)格推出高數(shù)值孔徑EUV（HIGH NA EUV），否則將再次需要多圖案化。HIGH NA EUV的光圈為0.55，而EUV為0.33，它使用變形透鏡，能夠在晶片邊緣正確打印特征。但并非所有金屬層都需要HIGH NA EUV，這意味著它可能會(huì)作為一種點(diǎn)工具而不是一刀切地集成到制造流程中。

另一個(gè)正在獲得挑戰(zhàn)的策略是設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化，它將前端設(shè)計(jì)與制造聯(lián)系起來，比過去更緊密地聯(lián)系在一起。DTCO已經(jīng)存在多年，但它只在最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)上使用。

“在平面CMOS時(shí)代，設(shè)計(jì)師和技術(shù)可以預(yù)測(cè)節(jié)點(diǎn)將如何擴(kuò)展，”Synopsys硅工程集團(tuán)的產(chǎn)品營銷總監(jiān)Ricardo Borges說 ?！半S著finFET的引入，這種預(yù)測(cè)變得不那么可信，F(xiàn)inFET在混合中引入了一些新事物，使得預(yù)測(cè)節(jié)點(diǎn)的特性變得更加困難。今天，有更多種類和更多的架構(gòu)需要探索。例如，在短期內(nèi)，我們看到gate全能技術(shù)的早期發(fā)布。除此之外，還有幾種類型的器件，更多的晶體管架構(gòu)，更多的材料和系統(tǒng)需要評(píng)估。在某些時(shí)候，可以用其他材料代替硅。我們已經(jīng)看到了新的金屬，如釕和鉬用于未來的互連，以及用于未來互連的鉍和銻，因?yàn)樗鼈兊?a target="_blank">電阻率較低。然后有一些結(jié)構(gòu)，imec稱之為縮放助推器，這可能是一種新的過程技術(shù)，以減少圖案化方法的可變性?！?/p>

然而，另一種方法是根本不擴(kuò)展到最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)。聯(lián)華電子（UMC）和GlobalFoundries等代工廠正在進(jìn)行大量投資，這些工廠正在使用替代方法來提高PPA。GlobalFoundries技術(shù)、工程和質(zhì)量高級(jí)副總裁Gregg Bartlett表示，目前使用的芯片中有80%是在成熟節(jié)點(diǎn)上制造的，他預(yù)計(jì)隨著先進(jìn)封裝、混合鍵合、小芯片和更多領(lǐng)域特定設(shè)計(jì)的增長，這一數(shù)字還會(huì)增加。

不過，這并沒有使成熟節(jié)點(diǎn)的設(shè)計(jì)變得不那么復(fù)雜?！拔覀儚牟牧祥_始，然后設(shè)計(jì)芯片，而不是從 終端市場(chǎng)開始，弄清楚他們想用設(shè)計(jì)做什么，以及什么材料映射到其中，”Bartlett說。“SOITEC有27種不同類型的SOI（絕緣體上的硅）材料，具有不同的盒子厚度，不同的硅厚度和不同的晶體取向。了解為什么一種基板比另一種基材更好是一個(gè)非常重要的考慮因素。這并不是因?yàn)椴牧咸匦?。這是因?yàn)楫?dāng)它完全集成到系統(tǒng)級(jí)別的性能中時(shí)，效果就是不同的?！?/p>

不同的選擇

令人驚訝的是，在所有工藝節(jié)點(diǎn)上都發(fā)生了多少研發(fā)，而不僅僅是在前沿，而且隨著美國芯片與科學(xué)法案和歐洲芯片法案的通過，這項(xiàng)研究可能會(huì)爆炸式增長，這些法案將總共投入超過1000億美元用于各種相關(guān)領(lǐng)域的研究。

這包括用于多芯片和多模塊/封裝通信的硅光子學(xué)，已在數(shù)據(jù)中心內(nèi)部廣泛用于將服務(wù)器連接到存儲(chǔ)器。它將越來越多地用于越來越短的距離。光速非?？?，需要最少的能量來實(shí)際傳輸信號(hào)，并且它產(chǎn)生的熱量非常少。但它也需要監(jiān)測(cè)熱波動(dòng)，這可能會(huì)將信號(hào)推到濾波器范圍之外，并檢查波導(dǎo)中的任何粗糙度，這會(huì)影響信號(hào)。與電子不同，光子不喜歡角落，這是將電音頻構(gòu)建成芯片的挑戰(zhàn)之一。

“對(duì)我們來說，我們希望能夠模擬以某種形狀或方式裝瓶在一起的兩個(gè)設(shè)備，并能夠模擬和模擬這兩者的組合，”Bartlett說。“EDA的工作人員在后臺(tái)做得很好。我們剛剛與一家EDA供應(yīng)商在我們的45CLO平臺(tái)上發(fā)布了一個(gè)公告（C，L和O是不同的波長波段，每個(gè)波長段都有不同的損耗）。這些都是處于行業(yè)前沿的領(lǐng)域，我們正在努力為客戶提供正確的設(shè)計(jì)工具。”

行業(yè)都在蓬勃發(fā)展。“強(qiáng)勁的晶圓需求使我們的晶圓廠保持滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)，并且價(jià)格高于我們整體收入的平均混合定價(jià)，”聯(lián)華電子總裁Jason Wang在最近的業(yè)績發(fā)布會(huì)上表示。“SoC技術(shù)，如非易失性存儲(chǔ)器、電源管理、RF-SOI和OLED顯示驅(qū)動(dòng)器，是5G、AIoT和汽車領(lǐng)域的必要應(yīng)用。我們專注于特種技術(shù)的戰(zhàn)略取得了成功，它現(xiàn)在貢獻(xiàn)了我們硅片收入的一半以上?！?/p>

Jason Wang指出，汽車的持續(xù)電氣化也是未來增長的催化劑。

其他選擇

也許最大的轉(zhuǎn)變來自封裝選項(xiàng)和小芯片。有許多方法可以將不同的部分放在一起，包括在最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)上開發(fā)的數(shù)字邏輯與其他邏輯、模擬和在成熟節(jié)點(diǎn)上開發(fā)出的各種類型的存儲(chǔ)器的混合。事實(shí)上，隨著設(shè)計(jì)變得越來越異構(gòu)，并針對(duì)特定應(yīng)用和用例進(jìn)行定制，人們?cè)絹碓叫枰獮樗鼈冊(cè)黾痈蟮撵`活性。

“我們采訪的一位客戶有一個(gè)非常復(fù)雜的中斷控制器，”Flex Logix銷售、營銷和解決方案架構(gòu)副總裁Andy Jaros說。“他們需要預(yù)測(cè)客戶想要啟動(dòng)芯片的所有不同排列，包括連接哪些外圍設(shè)備或使其可用于外部世界，他們正試圖在軟件控制下做到這一點(diǎn)。他們發(fā)現(xiàn)，無論他們?nèi)绾闻渲盟蛘咧袛嗫刂破饔卸鄰?fù)雜，中斷控制器都不受支持。這就是嵌入式FPGA發(fā)揮作用的地方。你可以擁有一個(gè)更簡單的中斷控制器，并且該中斷控制器是針對(duì)每個(gè)客戶精心設(shè)計(jì)的。因此，現(xiàn)在不必預(yù)測(cè)每個(gè)潛在的引導(dǎo)情況或引導(dǎo)序列或組合變化?；旧?，當(dāng)客戶需要它時(shí)，就會(huì)生成一些新的RTL，并將其放入該客戶的排序要求中?！?/p>

混合和匹配各種組件和過程也會(huì)產(chǎn)生一些意想不到的結(jié)果。考慮混合鍵合，它提供了一種比將它們焊接在一起更直接的方式來連接不同的組件。

“由于焊料的低溫工藝，它限制了許多下游應(yīng)用，”Brewer Science晶圓級(jí)加工業(yè)務(wù)部執(zhí)行董事Kim Yes說。“我們還看到客戶在進(jìn)行焊球集成的地方，有很多的變形或斷裂，他們現(xiàn)在正在考慮混合粘合。這將比真正的異構(gòu)集成更快?！?/p>

銅到銅混合鍵合是最遠(yuǎn)的，但目前正在進(jìn)行使用電介質(zhì)進(jìn)行鍵合的工作?！拔覀冋谂c聚合物電介質(zhì)并行工作，以做同樣的事情，” Brewer Science的科學(xué)家Dongshun Bai說。“它仍處于早期發(fā)展階段”。

混合鍵合的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它減少了粘接中的應(yīng)力點(diǎn)，這可能導(dǎo)致焊球出現(xiàn)裂紋，特別是在拐角處?！拔覀兟犝f過橫向?qū)R等重大挑戰(zhàn)，” Bai說?！叭绻麑?duì)準(zhǔn)小于2微米，他們可能會(huì)有一些問題。如果微凸塊連接變小，穩(wěn)定性將是一個(gè)問題”。

未來

與過去不同，當(dāng)整個(gè)芯片行業(yè)步調(diào)一致地走向下一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)時(shí)，有許多可能的途徑在考慮之中?，F(xiàn)有節(jié)點(diǎn)的工作是使用曲線掩模形狀在光掩模上更準(zhǔn)確地打印特征?！敖裉?，即使你畫了一個(gè)圓圈，它最終也會(huì)在面具上扭曲，”D2S首席執(zhí)行官Aki Fujimura說?！盀榱嗣看味际冀K如一地做到這一點(diǎn)，它必須大得多，而這不會(huì)有用。所以你必須走到生存能力的邊緣，但是如果根據(jù)常規(guī)，想要可靠它必須更大。但你的工作是讓它盡可能小。”

這就是曲線面罩的適用范圍。使用多光束電子束，可以更準(zhǔn)確地打印掩模形狀，以基本上關(guān)閉為解釋這些不準(zhǔn)確而創(chuàng)建的空白。如果操作正確，這些技術(shù)可以幫助擴(kuò)展節(jié)點(diǎn)。

如果這還不夠，那么目前正在進(jìn)行開發(fā)工作，涉及碳納米管FET的2D材料，這些材料在所有領(lǐng)先的代工廠都受到關(guān)注。這些結(jié)構(gòu)是否真的會(huì)為主流應(yīng)用、特種芯片實(shí)現(xiàn)，還是根本就要不會(huì)實(shí)現(xiàn)，還有待觀察。雖然使用特殊材料對(duì)不同晶體管結(jié)構(gòu)的研究仍在繼續(xù)，但領(lǐng)先的 代工廠正在尋求架構(gòu)和先進(jìn)封裝作為可能的前進(jìn)道路，無論是否有OSAT的幫助。

看起來，競爭正在升溫而不是消退，并且正在以盡可能低的成本和最大的可靠性快速“大規(guī)模定制”半導(dǎo)體?，F(xiàn)在的問題是，哪條路是最好的前進(jìn)道路，這還有待證明。

審核編輯 ：李倩