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MOS管各項(xiàng)參數(shù)分別是什么含義

半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān) ? 來源:半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān) ? 作者:半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān) ? 2022-09-01 17:25 ? 次閱讀
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在金譽(yù)半導(dǎo)體的產(chǎn)品列表中,每個(gè)產(chǎn)品都有很多參數(shù),密密麻麻的參數(shù)不清楚究竟表達(dá)了什么意思,那今天來看看MOS管的產(chǎn)品參數(shù)分別是什么含義呢?

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中文部分的不用過多解釋,接觸過半導(dǎo)體行業(yè)的人一般都能理解,所以今天著重解釋一下英文部分的參數(shù)含義(金譽(yù)半導(dǎo)體官網(wǎng)目前只展示了部分重要參數(shù))。

Vds

也就是電壓,這是MOS管極限參數(shù)表示MOS管漏極與源極之間的最大電壓值。值得注意的是,該參數(shù)與結(jié)溫有關(guān),通常結(jié)溫越高,該值最大。

Rds(on)

漏源導(dǎo)電阻,表示MOS管在一定條件下導(dǎo)通時(shí),泄漏極之間的導(dǎo)通電阻。這個(gè)參數(shù)和MOS管結(jié)溫,驅(qū)動(dòng)電壓Vgs相關(guān)。在一定范圍內(nèi),結(jié)溫越高,Rds驅(qū)動(dòng)電壓越高,Rds越小。

Id

漏極電流通常有幾種不同的描述方法。根據(jù)工作電流的形式,連續(xù)泄漏電流和一定脈寬的脈沖泄漏電流(Pulsed drain current)。這個(gè)參數(shù)同樣是MOS管一個(gè)極限參數(shù),但這個(gè)最大電流值并不意味著泄漏電流可以在運(yùn)行過程中達(dá)到這個(gè)值。這意味著當(dāng)殼體溫度在一定值時(shí),如果MOS管如果工作電流為上述最大泄漏電流,結(jié)溫將達(dá)到最大值。因此,該參數(shù)還與設(shè)備包裝和環(huán)境溫度有關(guān)。

Vgs

這也是柵源最大的驅(qū)動(dòng)電壓MOS管極限參數(shù)表示MOS管一旦驅(qū)動(dòng)電壓超過這個(gè)極限值,即使在很短的時(shí)間內(nèi),也會(huì)對柵極氧化層造成永久性傷。一般來說,只要驅(qū)動(dòng)電壓不超過極限,就不會(huì)有問題。然而,在某些特殊情況下,由于寄生參數(shù)的存在,它將是正確的Vgs需要特別注意電壓的不可預(yù)測影響

Idm

最大脈沖DS電流.它會(huì)隨著溫度的升高而降低,反映抗沖擊性,這也與脈沖時(shí)間有關(guān)

Pd

最大耗散功率

Tj

最大工作溫度通常為150度和175度

Tstg

最大存儲(chǔ)溫度

Iar

雪崩電流

gfs

跨導(dǎo),是指泄漏電極輸出電流與柵源電壓變化之比,是柵源電壓控制泄漏電流的能力。

Qg

在驅(qū)動(dòng)信號的作用下,柵極電壓從0V上升至終止電壓(如15V)所需的充電電荷。也就是說,MOS管驅(qū)動(dòng)電路從截止?fàn)顟B(tài)到完全導(dǎo)通狀態(tài)所需的電荷是評估MOS管驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)能力的主要參數(shù)。

Qgs

G總充電電量

Ear

重復(fù)雪崩擊穿能量

Eas

重復(fù)雪崩擊穿能量

BVdss

雪崩擊穿電壓

Idss

IDSS表示泄漏電流,柵極電壓VGS=0、VDS一定值時(shí)漏源,mA級

Igss

IGSS表示柵極驅(qū)動(dòng)漏電流,越小越好,對系統(tǒng)效率影響較小,uA級的電流

Qgd

柵漏充電(考慮到Miller效應(yīng))電量

Td(on)

延遲時(shí)間,從輸入GS電壓上升到 10%,開始到 VDS 下降到其幅值 90%。

Tr

上升時(shí)間,輸出電壓 VDS 時(shí)間從90%下降到10%。

Td(off)

關(guān)閉延遲時(shí)間,從輸入GS電壓下降到 90%到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時(shí) 10%的時(shí)間。

Tf

下降時(shí)間,輸出電壓VDS時(shí)間從10%上升到90%

Ciss

輸入電容,Ciss=Cgd Cgs. 短接泄漏源,用交流信號測量的柵極與源極之間的電容為輸入電容。Ciss由柵漏電容Cgd和柵源電容Cgs并聯(lián)而成。

Coss

輸出電容,Coss=Cds Cgd. 用交流信號測量的泄漏極與源極之間的電容器短接?xùn)旁?。Coss由漏源電容Cds并聯(lián)網(wǎng)源電容。

Crss

反向傳輸電容,Crss=Cgc.在源極接地的情況下,測量漏極與柵極之間的電容相當(dāng)于反向傳輸電容(Cgd越低越好)

最大額定參數(shù)

最大額確定參數(shù),所有數(shù)值取得條件(Ta=25℃)

以上就是MOS管的各項(xiàng)參數(shù)所表示的含義,你們了解了嗎?如有遺漏,歡迎在評論區(qū)補(bǔ)充噢~

審核編輯:湯梓紅

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