作者：Henrik Nyholm，Jacob Lunn Lassen

在設(shè)計安全關(guān)鍵系統(tǒng)時，國際安全標(biāo)準(zhǔn)對我們選擇適當(dāng)?shù)牧鞒毯瓦m當(dāng)?shù)募夹g(shù)來檢測和避免最終產(chǎn)品中的危險故障至關(guān)重要。這些標(biāo)準(zhǔn)確保我們不會像我們之前的安全工程師一樣陷入同樣的困境。

然而，這些標(biāo)準(zhǔn)的危險在于，它們假設(shè)你對底層硬件（比如微控制器）有詳細(xì)的了解，這可能會導(dǎo)致經(jīng)驗不足的安全工程師實施不安全的設(shè)計。例如，IEC（國際電工委員會）60730標(biāo)準(zhǔn)建議使用棋盤式存儲器測試來檢測B類軟件可變存儲器中的直流故障，這比看起來更具挑戰(zhàn)性。

本文介紹了SRAM的邏輯和物理布局之間未記錄的差異如何導(dǎo)致我們無意中錯誤地實現(xiàn)內(nèi)存測試，例如棋盤算法。標(biāo)準(zhǔn)微控制器的數(shù)據(jù)表中通常沒有必要的信息，但幸運(yùn)的是，有些內(nèi)存測試算法不受SRAM邏輯和物理布局差異的影響。

在運(yùn)行時測試 SRAM 是否存在缺陷

SRAM存儲器顯然由IC供應(yīng)商在生產(chǎn)中進(jìn)行測試，并且有缺陷的產(chǎn)品不會運(yùn)送給消費(fèi)者。盡管如此，隨機(jī)的硬件缺陷在IC的使用壽命期間可能會并且將會出現(xiàn)，這是在安全關(guān)鍵應(yīng)用中需要在運(yùn)行時在微控制器中測試硬件的原因之一。

棋盤記憶測試

IEC 60730 （H.2.19.6.1） 等安全標(biāo)準(zhǔn)表明，對于必須符合 B 類安全級別的應(yīng)用，可以使用棋盤算法來識別 SRAM 中的某些缺陷（直流故障）。通常選擇棋盤測試，因為它涵蓋了SRAM中最可能的故障，并且相對較快，這便于最大限度地減少對應(yīng)用本身的性能影響。除了直流故障（位永久卡在高處或低位）之外，棋盤算法還可以檢測相鄰位相互影響的缺陷。

SRAM在邏輯上由以單詞組織的許多位組成。這些字通常為 8 位、16 位或 32 位寬，但也可能更長。在物理上，這些位被組織在數(shù)組中，其中每個位通常有八個相鄰位（參見圖1）。位中的物理缺陷會影響單個位，使其卡在高處或低位（直流故障），或者缺陷可能處于兩個位的分離中，在這種情況下，相鄰的侵略者單元（在圖1中標(biāo)記為紫色）可能會影響受害單元（在圖1中標(biāo)記為黃色）。攻擊者-受害者的情況通常被稱為耦合故障。從統(tǒng)計學(xué)上看，直流故障更容易發(fā)生，但檢測最可能的耦合故障仍然相關(guān)。

圖1 - 相鄰位之間的潛在耦合故障。

如果故障影響單個位，使該位卡在高位或低位，則可以通過寫入值 1，通過回讀來驗證值 1，然后寫入值 0 并通過回讀來驗證零，如圖 1 所示。另一方面，如果缺陷是兩個相鄰位之間的耦合故障，例如第2行中的位列9和10，則某些模式（例如所有1或全部0）不會顯示耦合故障，因為單元格在測試期間具有相同的值。

諸如相鄰單元（側(cè)面，上方和下方）之類的耦合故障具有相反的二進(jìn)制值。圖 1（右下角）說明了位 10 中的位污染了位 9，并且由于位 9 不保持預(yù)期值 0，因此揭示了耦合故障。

SRAM 的物理與邏輯布局

要使棋盤算法正常工作，需要知道哪些位是相鄰位。事實證明，這是一個問題，因為數(shù)據(jù)手冊通常只描述SRAM的邏輯布局，而不是SRAM的物理組織方式。

要了解SRAM的物理布局，必須區(qū)分面向位的存儲器（BOM）和面向字的存儲器（WOM），前者當(dāng)時可以訪問一個位，后者在當(dāng)時讀取和寫入n位字。雖然大多數(shù)現(xiàn)實世界的內(nèi)存都是以口碑形式實現(xiàn)的，但科學(xué)文獻(xiàn)中的經(jīng)典內(nèi)存測試算法通常采用BOM實現(xiàn)。

對于口碑存儲器，構(gòu)成單詞的位的物理組織有三個主要類別：相鄰、交錯和子數(shù)組。邏輯布局將每個單詞放在同一列中前一個單詞的下面（類似地址空格），但相鄰的記憶將每個單詞放在同一行中，如圖 2 所示。交錯架構(gòu)將單詞的每個位分隔到SRAM陣列的不同列和行中。最后，子陣列組織將單詞的每個位放在SRAM的不同物理上獨(dú)立的塊中?，F(xiàn)實情況是，您不知道正確實施棋盤測試所需的物理布局。

圖 2 - 面向單詞的記憶的物理布局示例。

棋盤測試的性能和缺點

實現(xiàn)棋盤算法的簡單方法是交替地將值0xAA（假設(shè)是8位數(shù)據(jù)字）寫入第一個地址，并在下一個地址中0x55，直到所有被測地址都用1和0的棋盤模式填充。然后驗證該模式以檢測相鄰單元之間的任何直流或耦合故障。然后使用反向模式重復(fù)該過程。如前所述，有一個問題：內(nèi)存邏輯布局中的棋盤模式可能不是底層物理布局中的棋盤模式，如圖 3 所示。

圖3 - 邏輯與物理SRAM的數(shù)據(jù)模式。

補(bǔ)償邏輯和物理布局之間的差異似乎是顯而易見的，但在器件的數(shù)據(jù)表中很少提供必要的信息。那么，你該怎么辦？接受較低的覆蓋范圍，畢竟診斷仍然會覆蓋直流故障和相鄰位之間的一些耦合故障嗎？向IC供應(yīng)商請求布局，并為每個器件定制棋盤測試的實現(xiàn)？或者選擇其他算法？

既然您已經(jīng)意識到棋盤測試的潛在缺點，您可以做出明智的決定。

用于 SRAM 運(yùn)行時測試的替代算法

IEC 60730中針對C類安全級別提出的存儲器測試技術(shù)具有更高的故障檢測覆蓋率，但這些算法屬于可以被認(rèn)為是生產(chǎn)測試算法的算法：它們需要更長的時間來運(yùn)行，也可以檢測更罕見的故障類型，但通常會破壞存儲在SRAM中的數(shù)據(jù)，因為它們在整個SRAM上運(yùn)行，而不是在子塊中運(yùn)行。

一般來說，對于我們的嵌入式設(shè)計，我們不能很好地容忍這一點。因此，我們建議您考慮從生產(chǎn)測試 March 算法改編的混合 March 算法：這些算法可用于 WOM 優(yōu)化實現(xiàn)，并提供高測試覆蓋率。此外，可以實現(xiàn)這些混合 March 算法，使其在 SRAM 的較小重疊部分上運(yùn)行，以避免一次擦除 SRAM 中的所有數(shù)據(jù)，這意味著可以避免嵌入式系統(tǒng)的重新啟動。March算法的缺點是它們比傳統(tǒng)的棋盤算法計算量更大，但這是安全關(guān)鍵系統(tǒng)可能需要的費(fèi)用。

如果您考慮將傳統(tǒng)的棋盤測試與March測試交換，則可以從一些微控制器供應(yīng)商處找到此類實現(xiàn)。Microchip是提供March C-算法的性能優(yōu)化實現(xiàn)的公司之一，作為其軟件診斷庫的一部分。Microchip實現(xiàn)支持整個SRAM的測試，通常在啟動時完成，以獲得最大的測試覆蓋率，以及更小的內(nèi)存塊的測試，旨在減少對應(yīng)用的實時影響。

審核編輯：郭婷