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晶體管是誰發(fā)明的

單片機(jī)開發(fā)宇凡微 ? 來源:單片機(jī)開發(fā)宇凡微 ? 作者:單片機(jī)開發(fā)宇凡微 ? 2022-10-26 10:20 ? 次閱讀
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肖克利、巴丁和布拉頓。晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件,包括二極管、三極管、場所效應(yīng)以及晶閘管等等,這些都可以叫做晶體管。它具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓以及信號(hào)調(diào)試等多種功能,在電子電路中晶體管發(fā)揮了舉足輕重的作用。那么,晶體管又是誰發(fā)明的呢?這篇文章將帶大家一起來了解。

晶體管的發(fā)明可以追溯到1929年,當(dāng)時(shí)工程師利蓮·費(fèi)爾德已經(jīng)獲得了晶體管的專利。然而,由于當(dāng)時(shí)的技術(shù)水平,制造該設(shè)備的材料不能達(dá)到足夠的純度,這使得晶體管暫時(shí)無法制造。直到二戰(zhàn)時(shí)期,許多實(shí)驗(yàn)室在硅和鍺材料的制造和理論研究方面也取得了許多成就,這些成就為晶體管的發(fā)明奠定了基礎(chǔ)。

在1945年,美國貝爾實(shí)驗(yàn)室成立了半導(dǎo)體研究小組,小組成員有肖克來、布拉頓和巴丁等人。他們?nèi)硕奸L期從事半導(dǎo)體的研究,擁有非常豐富的經(jīng)驗(yàn)。通過一系列的實(shí)驗(yàn)以及觀察,他們利用兩個(gè)靠得很近(相距0.05毫米)的觸須接點(diǎn),來代替金箔接點(diǎn),制造了“點(diǎn)接觸型晶體管”。1947年12月,這個(gè)世界上最早的實(shí)用半導(dǎo)體器件終于問世了,在首次試驗(yàn)時(shí),它能把音頻信號(hào)放大100倍,它的外形比火柴棍短,但要粗一些。在為這種器件命名時(shí),布拉頓想到它的電阻變換特性,即它是靠一種從“低電阻輸入”到“高電阻輸出”的轉(zhuǎn)移電流來工作的,于是取名為trans-resistor(轉(zhuǎn)換電阻),后來縮寫為transistor,中文譯名就是晶體管。

這就是第一代晶體管的問世,但是由于點(diǎn)接觸型晶體管制造工藝比較復(fù)雜,技術(shù)不成熟,導(dǎo)致產(chǎn)品良品率低下,還有很多缺點(diǎn),比如噪音大、功率難以控制、適用范圍窄等缺點(diǎn)。為了解決這些問題,肖克利等人又提出了用一種“整流結(jié)”來代替金屬半導(dǎo)體接點(diǎn)的大膽設(shè)想,所以第一只“PN型晶體管”問世了,在1956年,肖克利、巴頓、布拉頓三人憑借發(fā)明出晶體管同時(shí)斬獲諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。

拓展閱讀:晶體管的分類

雙極性晶體管(BJT)和場效應(yīng)晶體管(FET,單極性)。晶體管有三個(gè)極(端子);雙極性晶體管的三個(gè)極(端子),分別是由N型、P型半導(dǎo)體組成的發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場效應(yīng)晶體管的三個(gè)極(端子),分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。

審核編輯:湯梓紅

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    多值電場型電壓選擇晶體管#微電子

    晶體管
    jf_67773122
    發(fā)布于 :2025年04月17日 01:40:24

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