任何一顆合格的存儲芯片，都是由晶圓(Wafer)經(jīng)過一系列的測試，將符合規(guī)格要求的Die取下，封裝形成日常所見的芯片。MK米客方德的存儲產(chǎn)品也是如此，在批量生產(chǎn)前，都會做大量的測試和驗證以確保芯片的性能和可靠性！

以下是MK米客方德對產(chǎn)品進行可靠性相關的測試項目。

Pre-Conditioning(PC)：預處理

芯片先在125℃的高溫箱中烘烤24小時，下一步在溫度為60℃、濕度為60%RH的溫濕箱中吸收一定水分，下一步進入回流焊測試。查看芯片是否有脫層、爆米花效應等；此實驗用于模擬芯片在生產(chǎn)、運輸、上板使用等過程。

加速測試

大多數(shù)半導體器件的壽命在正常使用下可超過很多年。但我們不能等到若干年后再研究器件；我們必須增加施加的應力。施加的應力可增強或加快潛在的故障機制，幫助找出根本原因，并幫助MK采取措施防止故障模式。

在半導體器件中，常見的一些加速因子為溫度、濕度、電壓和電流。在大多數(shù)情況下，加速測試不改變故障的物理特性，但會改變觀察時間。加速條件和正常使用條件之間的變化稱為“降額”。

高加速測試是基于 JEDEC的資質(zhì)認證測試的關鍵部分。以下測試反映了基于JEDEC規(guī)范JEP47的高加速條件。如果產(chǎn)品通過這些測試，則表示器件能用于大多數(shù)使用情況。

溫度循環(huán)測試

根據(jù) JED22-A104標準，溫度循環(huán) (TC)讓部件經(jīng)受極端高溫和低溫之間的轉(zhuǎn)換。進行該測試時，將部件反復暴露于這些條件下經(jīng)過預定的循環(huán)次數(shù)。以評估芯片封裝對于極端高低溫快速轉(zhuǎn)換的耐受度。

高溫老化壽命測試 (HTOL)

HTOL用于確定高溫工作條件下的器件可靠性。該測試通常根據(jù) JESD22-A108標準長時間進行。

溫濕度偏壓高加速應力測試 (BHAST)

根據(jù) JESD22-A110標準，THB和 BHAST讓器件經(jīng)受高溫高濕條件，同時處于偏壓之下，其目標是讓器件加速腐蝕。THB和 BHAST用途相同，但 BHAST 條件和測試過程讓可靠性團隊的測試速度比 THB快得多?？焖俚貙⑵骷?nèi)部缺陷或薄弱環(huán)節(jié)激發(fā)出來，從而剔除有缺陷的器件，提高器件使用可靠性。

熱壓器/無偏壓 HAST

熱壓器和無偏壓 HAST用于確定高溫高濕條件下的器件可靠性。與 THB和 BHAST一樣，它用于加速腐蝕。不過，與這些測試不同，不會對部件施加偏壓。

高溫貯存

HTS（也稱為“烘烤”或 HTSL）用于確定器件在高溫下的長期可靠性。與 HTOL不同，器件在測試期間不處于運行條件下。

靜電放電 (ESD)

靜電荷是靜置時的非平衡電荷。通常情況下，它是由絕緣體表面相互摩擦或分離產(chǎn)生；一個表面獲得電子，而另一個表面失去電子。其結(jié)果是稱為靜電荷的不平衡的電氣狀況。

當靜電荷從一個表面移到另一個表面時，它便成為靜電放電 (ESD)，并以微型閃電的形式在兩個表面之間移動。

當靜電荷移動時，就形成了電流，因此可以損害或破壞柵極氧化層、金屬層和結(jié)。

JEDEC通過以下兩種方式測試 ESD。

1.人體放電模型 (HBM)

一種組件級應力，用于模擬人體通過器件將累積的靜電荷釋放到地面的行為。人體接觸器件時產(chǎn)生的放電?；旧弦话阆M級產(chǎn)品達到2000V即可。

2.帶電器件模型 (CDM)

一種組件級應力，根據(jù) JEDEC JESD22-C101規(guī)范，模擬生產(chǎn)設備和過程中的充電和放電事件。在元器件裝配、傳遞、試驗、測試、運輸和儲存的過程中由于殼體與其它材料磨擦，殼體會帶靜電。一旦元器件引出腿接地時，殼體將通過芯體和引出腿對地放電。

FT測試(RDT可靠性驗證測試)

MK嵌入式產(chǎn)品在特定環(huán)境下通過Burn In板進行離線老化。

審核編輯：湯梓紅