從沉默到功能性突觸的轉變伴隨著人類大腦發(fā)育的進化過程，對于進化人工神經網絡的硬件實現(xiàn)至關重要，但對于模仿沉默到功能性突觸激活仍然是一個挑戰(zhàn)。

在這里，我們開發(fā)了一種簡單的方法，通過控制化學氣相沉積生長的硒化銦晶體的硫化，成功地實現(xiàn)了對功能性突觸的沉默激活。

其潛在機制歸因于硫化引入的硫陰離子的遷移。最重要的發(fā)現(xiàn)之一是功能性突觸行為可以通過硫化程度和溫度來調節(jié)。

此外，在部分硫化的功能性突觸器件中成功實現(xiàn)了基本的突觸功能包括增強/抑制、雙脈沖易化、脈沖速率依賴可塑性。在層狀硒化物中引入硫陰離子的簡單方法為實現(xiàn)沉默突觸的激活開辟了一條有效的新途徑，可用于進化人工神經網絡。

除了功能性突觸外，還有另一種類型的突觸，即沉默突觸，它在刺激時不會顯示出任何突觸可塑性。

即便如此，沉默突觸在人類的神經系統(tǒng)發(fā)育中起著深遠的作用。眾所周知，基于生物逼真的突觸可塑性的人工神經網絡（ANN）已被廣泛用于許多應用中。

將ANN和進化算法相結合的進化ANN可以實現(xiàn)增強的人工智能，這涉及生物系統(tǒng)中沉默到功能突觸的激活。

因此，對于未來人類大腦發(fā)育的機制和進化ANN的硬件實現(xiàn)，實現(xiàn)從沉默突觸到功能性突觸的轉變，具有很強的生物學和實踐需求。雖然它對大腦啟發(fā)的計算至關重要，但很少有人嘗試模仿沉默突觸的激活。

從材料的角度來看，模擬沉默突觸活化的最有效方法是改性溝道材料。

圖1 沉默突觸活化的生物學機理及其通過調節(jié)硫化程度的硬件實現(xiàn)。

（a）代表性的基于硒化銦器件的示意圖和光學顯微鏡圖像。比例尺長度為2μm。

（b）突觸前和突觸后神經元之間生物化學突觸的示意圖，可通過硬件中基于硒化銦器件實現(xiàn)。

（c-e）室溫下基于未硫化硒化銦、部分硫化、完全硫化硒化銦器件的五個連續(xù)循環(huán)的 I–V 曲線。隨著硫化程度的增加，器件逐漸表現(xiàn)出憶阻行為，模仿沉默到功能性突觸的激活。

（f-h）提出的通過引入硫陰離子從沉默突觸到功能性突觸轉變的機理。

圖2 通過調節(jié)溫度激活部分硫化樣品中的沉默突觸。

（a）生物逼真的沉默和功能性突觸示意圖。沉默突觸含有NMDA，但缺乏AMPA受體，這導致突觸后神經元的信號轉導失敗。

（b-d）部分硫化樣品在不同溫度下的連續(xù)循環(huán)的I-V曲線，表明隨著溫度的升高，憶阻行為增強。

（e–g）橫截面、低放大倍率和高分辨率透射電鏡圖像以及部分硫化樣品的相應EDS圖譜。

圖3 在高溫下在部分硫化樣品中實現(xiàn)突觸可塑性。

（a） 用單個脈沖（50 mV/50 μs）研究刺激性突觸后電流曲線。

（b）相同脈沖序列作用下的電導變化和線性。脈沖幅度、寬度和間隔時間分別為1 V、0.5 ms和1.0 ms。

（c, d）對基于In2Se1.4S1.6憶阻器件施加雙脈沖和10個連續(xù)脈沖（1 V/0.5 ms）得到的雙脈沖易化和強直后增強效應。

（e） 通過施加具有相同幅度（5 V）但頻率不同（10、12、17和200 Hz）的脈沖序列，實現(xiàn)頻率依賴性增強和抑制行為。

（f）興奮性突觸后電流與具有不同脈沖頻率的脈沖數(shù)的依賴關系，模仿生物突觸的增強/抑制行為。

圖4 室溫下在完全硫化的樣品中實現(xiàn)突觸可塑性。

（a）用單個脈沖（50 mV/0.5 ms）研究刺激性突觸后電流曲線。

（b）相同脈沖序列作用下的電導變化。

（c, d）對基于完全硫化樣品In2S3憶阻器件施加雙脈沖和10個連續(xù)脈沖（1 V/0.5 ms）得到的雙脈沖易化和強直后增強效應。

文章的研究內容主要還是集中在材料和器件性能的表征，包括突觸功能的實現(xiàn)，比較少關注到突觸的其他性能，以及突觸器件在神經形態(tài)計算中集成問題。

審核編輯：劉清