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第三代半導(dǎo)體GaN商業(yè)化的里程碑

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 作者:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 2022-11-03 10:44 ? 次閱讀
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宏光半導(dǎo)體有限公司(“宏光半導(dǎo)體”,連同其附屬公司統(tǒng)稱“集團”;股份代號:6908.HK)欣然宣布,集團近期已開始生產(chǎn)其自家6英寸氮化鎵(“GaN”)功率器件外延片(“外延片”)。遠早于預(yù)期時間表成功制造外延片為集團快速產(chǎn)業(yè)化及量產(chǎn)第三代半導(dǎo)體鋪路,乃其轉(zhuǎn)型成為第三代半導(dǎo)體GaN供應(yīng)商的重要成果,標(biāo)志著集團邁向第三代半導(dǎo)體GaN商業(yè)化的里程碑。

憑藉在第三代半導(dǎo)體GaN制造方面的專業(yè)知識、強大科研技術(shù)團隊及研發(fā)能力,宏光半導(dǎo)體近年積極實現(xiàn)相關(guān)業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型。集團之技術(shù)團隊利用其豐富經(jīng)驗,在短短三個月調(diào)試生產(chǎn)設(shè)備和技術(shù),成功產(chǎn)出達至國際大廠的高良率標(biāo)準(zhǔn)之外延片,并陸續(xù)開始銷售。集團預(yù)期2023年第二季將開始芯片試產(chǎn),于2024年初前開始投產(chǎn)。此外,集團亦已于今年下半年推出GaN相關(guān)之快速充電產(chǎn)品如快充充電器,宏光半導(dǎo)體對GaN相關(guān)產(chǎn)品制造及銷售的前景充滿信心。

近年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重大轉(zhuǎn)變,在外圍經(jīng)濟環(huán)境不確定性增加的情況下,全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控預(yù)計成為國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展主線。中共二十大報告亦明確指出科技進步和專業(yè)人才對國家未來發(fā)展至關(guān)重要;報告意味著中央政府將在科技行業(yè)投放大量財政資源,預(yù)期內(nèi)地將提升半導(dǎo)體科技的科研開支,加快實現(xiàn)高科技自立自強。除國家政策的大力支持外,香港政府未來亦會加大資源研發(fā)及制造第三代晶片,香港應(yīng)用科技研究院建議增撥資源,推動國家半導(dǎo)體發(fā)展,可見半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對于經(jīng)濟發(fā)展的重要性。

第三代半導(dǎo)體外延片乃半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)中的其中一個主要部分,為第三代半導(dǎo)體的半制成品,透過后續(xù)加工技術(shù)最終生產(chǎn)成為芯片;而是次外延片成功投產(chǎn)標(biāo)志著宏光半導(dǎo)體朝著量產(chǎn)芯片的終極目標(biāo)邁進一大步。第三代半導(dǎo)體及其外延片廣泛應(yīng)用于光伏、儲能、風(fēng)電、汽車電子5G、物聯(lián)網(wǎng)等終端領(lǐng)域。高速增長和旺盛的市場需求使外延片生產(chǎn)設(shè)備的國產(chǎn)化率進一步提高,整個半導(dǎo)體外延片行業(yè)呈現(xiàn)高景氣度并有望延續(xù)。全球氮化鎵(GaN)外延片市場銷售額于2021年達到了4.2億美元,預(yù)計至2028年將達到15億美元,年復(fù)合增長率為21.2%(2022-2028)。伴隨著政府的利好政策驅(qū)動、廣泛的下游應(yīng)用市場和國產(chǎn)替代機遇,集團繼續(xù)加快步伐研發(fā)及拓展第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)及系統(tǒng)應(yīng)用的設(shè)計和制造,未來冀實現(xiàn)國有替代技術(shù)突圍,矢志成為以半導(dǎo)體設(shè)計與制造為核心,集研發(fā)、制造、封測及銷售為一體的全產(chǎn)業(yè)鏈半導(dǎo)體整合設(shè)備生產(chǎn)模式企業(yè)。

集團管理層對其第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的發(fā)展充滿信心,認(rèn)為GaN在新興應(yīng)用領(lǐng)域如新能源汽車行業(yè)有巨大的優(yōu)勢。目前,集團生產(chǎn)的外延片產(chǎn)品已正式投產(chǎn),加上集團的技術(shù)團隊擁有高執(zhí)行力以及豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗,相信其半導(dǎo)體芯片業(yè)務(wù)將逐漸步入收成期。早前,集團已與協(xié)鑫科技控股有限公司(股份代號:3800.HK)創(chuàng)辦人、主席兼執(zhí)行董事朱共山先生正式簽定股份及認(rèn)股權(quán)證認(rèn)購協(xié)議,其后亦與朱共山先生及其家庭成員作為受益人之全權(quán)信托協(xié)鑫集團有限公司訂立戰(zhàn)略合作框架協(xié)議,雙方將于GaN功率芯片在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用開展密切合作,全速推展在GaN產(chǎn)業(yè)鏈上的布局。集團管理層相信半導(dǎo)體行業(yè)龐大的機遇和市場需求可望為集團帶來更多機遇,未來發(fā)展有望迎來增長期,長遠為股東予以最佳的回報。

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:宏光半導(dǎo)體氮化鎵功率器件外延片產(chǎn)品正式投產(chǎn)

文章出處:【微信號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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