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手持讀數(shù)儀 VH501TC振弦傳感器激勵方法和激勵電壓

HB穩(wěn)控科技 ? 來源:HB穩(wěn)控科技 ? 作者:HB穩(wěn)控科技 ? 2022-11-08 17:04 ? 次閱讀
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VH501TC 提供多種振弦傳感器激勵方法,以最大限度兼容所有廠家和型號的振弦傳

感器。振弦傳感器激勵方法參數(shù)位于實時數(shù)據(jù)窗口右側(cè),共有5 種方法可選,分別用

MODTH0~MODTH4 表示。各方法說明如下:

image.png

激勵電壓數(shù)據(jù)在屏幕上顯示為xxx/xxx 的形式,其中前面的數(shù)字表示實際的激勵電

壓,后面的數(shù)字表示激勵電壓源電壓VSEN。高壓脈沖激勵和低壓掃頻激勵方法所使用

電源均來自于VSEN,相對來說,使用比較高的 VSEN 時能得到更好的傳感器信號,但

有些傳感器必須使用比較低的VSEN 電壓才會得到穩(wěn)定的頻率數(shù)據(jù)。

VH501TC 有兩個版本,當(dāng)需要修改激勵方法或者激勵電壓源時,若設(shè)備背面有兩個

旋轉(zhuǎn)開關(guān),則直接旋轉(zhuǎn)開關(guān)即可;若沒有旋轉(zhuǎn)開關(guān)時需要用上述操作按鍵的方法進(jìn)行參

數(shù)修改。激勵方法旋轉(zhuǎn)開關(guān)的檔位含義與上表相同,激勵電壓旋轉(zhuǎn)開關(guān)的檔位0~15 表

示設(shè)置VSEN 為 0~15V(前 5 檔固定為 5V)。

注意:建議VSEN 的電壓不要超過 12V,推薦設(shè)置為 5~8V。如果 VSEN 電壓設(shè)置太

高,測量某些小阻值(小于200 歐姆)傳感器時會有傳感器或者設(shè)備損壞的危險。

在使用過程中,應(yīng)注意觀察顯示于屏幕中的振弦信號質(zhì)量值,針對某類或者某些傳

感器,不同的激勵方法對信號質(zhì)量影響會很大,激勵方法的切換和使用應(yīng)以信號質(zhì)量最

高為選取標(biāo)準(zhǔn)。

審核編輯 黃昊宇

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