鐵電存儲(chǔ)器憑借諸多特性，正在成為存儲(chǔ)器未來(lái)發(fā)展方向之一。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體利用FeRAM（富士通半導(dǎo)體的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器產(chǎn)品）的高速寫入、高讀寫耐久性（多次讀寫次數(shù)）等特點(diǎn)，為客戶提供了一系列嵌入式LSI產(chǎn)品，包括RFID LSI、身份驗(yàn)證LSI以及定制LSI。

FeRAM嵌入式RFID LSI

富士通半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)兩個(gè) RFID LSI 系列。一個(gè)系列是在HF（高頻：13.56MHz）下工作的產(chǎn)品，另一個(gè)是UHF（超高頻：860至960MHz）下運(yùn)行的產(chǎn)品。 特征

高速寫入性能：嵌入式FeRAM的高速性能增強(qiáng)了寫入操作的吞吐量。

通信距離穩(wěn)定：低功耗寫入，在寫入和讀取操作時(shí)可實(shí)現(xiàn)相同的通信距離。相比之下，帶有EEPROM的標(biāo)簽在寫入操作時(shí)消耗大量功率，使通信距離變短。

高密度存儲(chǔ)器：高速寫入功能可在標(biāo)簽上實(shí)現(xiàn)大尺寸存儲(chǔ)器。但是標(biāo)簽嵌入式EEPROM的速度還不夠快，無(wú)法采用大尺寸存儲(chǔ)器。

高耐久性：保證最大1萬(wàn)億次讀/寫操作。該功能使標(biāo)簽的長(zhǎng)期使用或重復(fù)使用成為可能。

適用的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：富士通RFID LSI產(chǎn)品系列基于ISO15693，ISO18000-3,6。

FeRAM嵌入式射頻標(biāo)簽的高速性能

記錄標(biāo)簽本身的歷史記錄和質(zhì)量檢查信息

在不打開包的情況下更改標(biāo)簽中的參數(shù)

通過提高吞吐量降低運(yùn)行成本

高速交付圖像 產(chǎn)品展示

FeRAM嵌入式身份驗(yàn)證LSI

富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案提供FeRAM嵌入式認(rèn)證IC。FeRAM嵌入式IC在IC卡等安全應(yīng)用中是經(jīng)過驗(yàn)證的實(shí)用工具。

MB94R330是FeRAM認(rèn)證IC，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)，用于形成非ー易失性存儲(chǔ)單元。

MB94R330采用基于兩線串行接口（I2C BUS）、硬件加密宏和專有控制內(nèi)核的獨(dú)創(chuàng)通信協(xié)議。

MB94R330適用于檢測(cè)克隆的外圍設(shè)備和附件，用于打印機(jī)，多功能打印機(jī)等電氣設(shè)備。主機(jī)系統(tǒng)和外圍設(shè)備之間的質(zhì)詢和響應(yīng)身份驗(yàn)證能夠識(shí)別授權(quán)和未經(jīng)授權(quán)的部件。

除上述產(chǎn)品外，富士通半導(dǎo)體還有足夠的靈活性來(lái)定制適合客戶的應(yīng)用要求。

FeRAM嵌入式定制LSI

FeRAM適用于具有邏輯或模擬電路的單芯片解決方案，并且不會(huì)降低CMOS規(guī)格。富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案利用這一優(yōu)勢(shì)，生產(chǎn)FeRAM嵌入式產(chǎn)品，如用于RFID和IC卡的LSI。富士通半導(dǎo)體可以根據(jù)您的要求定制這些產(chǎn)品，也可以提供帶有FeRAM的定制LSI。由于FeRAM同時(shí)具有RAM和ROM的優(yōu)勢(shì)，因此使用FeRAM可以減少您的開發(fā)挫折，并增加您的便利性。

帶FeRAM的定制IC

使用 FeRAM 宏的應(yīng)用程序

帶有FeRAM的定制LSI可用于各種應(yīng)用，并為家用電器、辦公機(jī)器和移動(dòng)終端提供安全功能、認(rèn)知信息和環(huán)境變量存儲(chǔ)等額外功能。

審核編輯：郭婷