VM3XX 模塊有多個(gè)

接口，分別為：寬電壓電源輸入（VIN）、內(nèi)核電源（VDD）、振弦傳感

器激勵(lì)電源（VSEN）、模擬電路電源（VDDA），各電源共用 GND。

電源輸入（VIN）： 寬電壓VIN 管腳為模塊供電（DC518V），推薦電壓為 5.0V8.0V，VIN 可

產(chǎn)生內(nèi)核電源VDD，當(dāng)使用 VIN 此管腳為模塊供電時(shí)，VDD 管腳為輸出，提供 3.3V 的穩(wěn)壓輸出，

可利用此電源為其它電路供電。VDD 輸出能力為 200mA，盡量不要使用 VDD 輸出過大電流，以免

影響模塊內(nèi)核的正常工作。

內(nèi)核電源（VDD）： 可由VIN 產(chǎn)生，當(dāng)不使用 VIN 時(shí)，此管腳作為電源輸入，需要外接 DC3.3V

電源。供電電壓范圍DC2.2~3.6V，推薦電壓為 3.3V。模塊工作時(shí)峰值電流約為 100mA，建議使

用輸出能力200mA 或以上的電壓源。VM3XX/VM4XX 模塊的 VDD 應(yīng)盡量使用標(biāo)準(zhǔn)的 3.3V，其它電

壓值會(huì)造成熱敏電阻測量產(chǎn)生偏差，VM5XX 模塊內(nèi)部有電壓校準(zhǔn)機(jī)制，對 VDD 電壓值無嚴(yán)格要

求。

參考電壓（VREF）： 對于VM3XX，此管腳為輸出，不使用時(shí)保持懸空即可，對于 VM5XX/6XX/7XX

此管腳為輸入，應(yīng)直接連接到VDD（無需精準(zhǔn)的參考電壓源）。

激勵(lì)電源（VSEN）： VSEN 為傳感器激勵(lì)過程提供電能，當(dāng)采用高壓激勵(lì)方法時(shí)，VSEN 作為

泵壓源，一般情況下VSEN 電壓越高則可獲取的激勵(lì)電壓也越高（

3.3V 的泵壓源最高可獲得約

120V 的高壓）；當(dāng)采用低壓掃頻激勵(lì)方法時(shí)，VSEN 電壓即是掃頻電壓。建議采用 200mA 或以上

的電壓源為VSEN 供電，供電電壓推薦為 DC8V~10V。

模擬電源（VDDA）： 為ADC、信號濾波放大器供電，電壓范圍 DC2.2~5.0V，推薦電壓為 3.3V。

沒有引出VDDA 管腳的模塊，內(nèi)部已連接至 VDD。

請?zhí)貏e注意電源的設(shè)計(jì)。振弦傳感器返回信號為微弱的正弦波，為減少電源紋波對傳感器

信號的影響，建議所有電源均使用紋波較小的LDO 穩(wěn)壓器。當(dāng)使用交流電轉(zhuǎn)直流的供電方式時(shí)，

模塊地線（GND）一定要可靠接地（大地） ，某些低端的交流轉(zhuǎn)直流適配器會(huì)將交流干擾引入直

流，嚴(yán)重影響模塊信號處理質(zhì)量，甚至完全無法使用。

建議靠近電源管腳（VDD 尤其重要）使用一個(gè) 10μF 鉭電容（低 ESR)和一個(gè) 0.1μF 的陶瓷電

容并聯(lián)。增加并聯(lián)的電容可以有效去除高頻干擾。同時(shí)為防止浪涌對芯片的損壞，建議在模塊

電源輸入管腳使用一個(gè)適合電壓的500mW 的齊納二極管防止模塊的超壓損壞。PCB 布局時(shí)，電容

和二極管應(yīng)盡可能靠近模塊的電源輸入管腳。

注：嚴(yán)禁同時(shí)使用 ***VIN 和VDD ***為模塊供電。

注：模塊沒有反接電源及超壓保護(hù)措施，當(dāng)超過最大允許電壓時(shí)會(huì)導(dǎo)致模塊永久性損壞。

***注：早期版本的VM311 模塊無 VSEN 管腳接口，已在內(nèi)部連接于 VDD，可產(chǎn)生最高約 120V 的 ***

高壓，若存在管腳兼容問題，請?jiān)谟嗁從K時(shí)告知我們，新版模塊可以在出廠前修改為與早期

版本相同的內(nèi)部電路連接（同時(shí)已引出的VSEN 管腳失效）

審核編輯 黃昊宇