與第一代硅（Si）半導(dǎo)體材料和第二代砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體材料相比，碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的第三代半導(dǎo)體材料（也稱為寬帶隙半導(dǎo)體材料）具有更好的物理和化學(xué)特性，同時(shí)具有開(kāi)關(guān)速度快、體積小、效率高、散熱快等

自動(dòng)駕駛儀、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)和機(jī)器人

與硅器件相比，氮化鎵器件以更高的速度發(fā)射激光信號(hào)，并通過(guò)激光/激光雷達(dá)系統(tǒng)創(chuàng)建360度三維全景，進(jìn)一步改善自動(dòng)駕駛儀、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)，甚至機(jī)器人的發(fā)展。

醫(yī)療技術(shù)的突破

第三代半導(dǎo)體材料可用于無(wú)線充電，因此除了眾所周知的消費(fèi)電子產(chǎn)品外，一些醫(yī)療設(shè)備也可能通過(guò)無(wú)線充電拓寬其使用領(lǐng)域。例如，可以通過(guò)讓被檢查者吞下X射線膠囊來(lái)進(jìn)行結(jié)腸鏡檢查，并且由于可以提供10倍甚至100倍超分辨率的醫(yī)學(xué)圖像，MRI能夠在早期階段實(shí)現(xiàn)癌癥和疾病的準(zhǔn)確檢測(cè)。此外，由于包括心臟泵、起搏器等在內(nèi)的植入式醫(yī)療產(chǎn)品不再需要外部電源，因此感染的可能性大大降低，因此患者會(huì)盡早采用，生活質(zhì)量得到提高。

5G改變?nèi)祟惿钣^

5G等高頻采用耐高壓、高耐熱、高頻的碳化硅和氮化鎵，以減少芯片面積，簡(jiǎn)化電路，降低冷卻需求，可用于射頻、半導(dǎo)體照明、激光等領(lǐng)域?？梢灶A(yù)期，未來(lái)在5G商用的幫助下，人類生活觀將發(fā)生重大變化。

典型的第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有高功率、高工作溫度、高擊穿電壓、高電流密度、高頻特性等優(yōu)點(diǎn)，可顯著減小芯片面積，簡(jiǎn)化外圍電路設(shè)計(jì)，達(dá)到減少模塊、系統(tǒng)外圍器件、和冷卻系統(tǒng)的體積。

現(xiàn)有的氮化鎵功率器件由硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵晶片制成，其中硅基氮化鎵在面積和總成本方面可能比碳化硅器件效率更高，更適合中低電壓/高頻領(lǐng)域。不同半導(dǎo)體器件的工作頻率和最大功率對(duì)比圖如下所示：

當(dāng)前移動(dòng)通信系統(tǒng)基站上使用的功率放大器（PA）主要基于硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）技術(shù)。然而，LDMOS技術(shù)僅適用于低頻級(jí)，因?yàn)長(zhǎng)DMOS功率放大器的帶寬會(huì)隨著頻率的增加而急劇下降。用于3.5GHz頻段的LDMOS的制造過(guò)程接近其極限。由于第五代移動(dòng)通信系統(tǒng)（5G）在信號(hào)傳輸中部分采用更高的頻段（3.5GHz、26GHz和28GHz三大頻段）來(lái)實(shí)現(xiàn)高速傳輸和超低延遲能力，LDMOS越來(lái)越難以滿足性能要求。

與碳化硅基氮化鎵器件相比，硅基氮化鎵器件由于襯底散熱不良而存在自發(fā)熱問(wèn)題，導(dǎo)致氮化鎵晶體管性能下降，硅基氮化鎵器件不適合在高溫高頻的工作環(huán)境中使用。碳化硅和氮化鎵具有優(yōu)異的晶格匹配，加上碳化硅材料的導(dǎo)熱系數(shù)高（大約是硅的三倍），因此解決了氮化鎵材料固有的低導(dǎo)熱系數(shù)的問(wèn)題，因此碳化硅基氮化鎵有利于5G基站的應(yīng)用，有望成為市場(chǎng)上的主流。

審核編輯：郭婷