半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：近日，國星光電研究院基于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)，全新推出“NS62m SiC MOSFET功率模塊新品”，可應(yīng)用于傳統(tǒng)工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領(lǐng)域。

能源轉(zhuǎn)型儲能風起正當時

在“雙碳”目標背景下，我國電力系統(tǒng)將向以新能源為主體的新型電力系統(tǒng)轉(zhuǎn)型，儲能作為靈活調(diào)節(jié)電源在新型電力系統(tǒng)中承擔重任。而儲能逆變器是儲能系統(tǒng)中關(guān)鍵的一環(huán)，可控制儲能電池組充電和放電過程，在提高儲能系統(tǒng)的效率及降低成本方面起著重要作用。

面向儲能逆變器市場，國星光電NS62m功率模塊新品依托SiC MOSFET芯片的優(yōu)異性能，提高了功率模塊的電流密度以及開關(guān)頻率，降低了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，減少了無源器件的使用和冷卻裝置的尺寸，最終達到降低系統(tǒng)成本、提升系統(tǒng)效率的目的。

四大優(yōu)勢全面揭曉NS62m

兼容靈活性能佳

國星光電NS62m功率模塊采用標準型封裝，半橋拓撲設(shè)計，內(nèi)置NTC熱敏電阻，可實現(xiàn)溫度監(jiān)控；采用62mm尺寸標準基板和接口，可兼容行業(yè)內(nèi)各大主流產(chǎn)品，實現(xiàn)快速替換使用；具有150℃的連續(xù)工作溫度(Tvjop)和優(yōu)秀的溫度循環(huán)能力，器件可靠性表現(xiàn)卓越。

全橋拓撲可并聯(lián)

NS62m功率模塊以半橋電路結(jié)構(gòu)應(yīng)用于逆變器中。在實際應(yīng)用中，一般會以2個或3個NS62m功率模塊并聯(lián)的形式構(gòu)成單相全橋拓撲或三相橋拓撲，將直流電變成頻率、幅值可調(diào)的交流電，實現(xiàn)逆變功能?；贜S62m功率模塊內(nèi)SiC MOSFET的體二極管具有出色的開關(guān)特性和反向恢復(fù)性能，因此在無需額外搭配二極管器件，更可滿足多數(shù)場景下的續(xù)流要求。

如圖中橙色框圖部分所示，每個框圖代表一個NS62m功率模塊，此圖為2個NS62m功率模塊并聯(lián)的形式構(gòu)成單相全橋拓撲。

參數(shù)對比見真章

NS62m功率模塊在工作時可達到更高的開關(guān)頻率、更低的開關(guān)損耗，同時，可幫助變換器系統(tǒng)效率的提升和散熱結(jié)構(gòu)成本的降低。

根據(jù)實驗數(shù)據(jù)可得，與市場同等電流規(guī)格的產(chǎn)品對比，NS62m功率模塊動態(tài)特性開通延遲時間減少79納秒；上升時間減少42納秒；關(guān)斷延遲時間減少468納秒。開啟損耗降低82%，關(guān)斷損耗降低92%，整體開關(guān)損耗表現(xiàn)優(yōu)秀。

產(chǎn)品豐富因需至

針對傳統(tǒng)工控、儲能逆變、充電樁等應(yīng)用領(lǐng)域的需求，國星光電NS62m SiC MOSFET模塊系列型號豐富，可供選擇。依托國星光電先進的第三代半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線，公司可響應(yīng)不同封裝及規(guī)格的SiC功率模塊定制開發(fā)需求，為客戶提供高質(zhì)量的定制化產(chǎn)品服務(wù)。

目前，國星光電正加速深入第三代半導(dǎo)體賽道，以自主創(chuàng)新為驅(qū)動，努力攻克技術(shù)難關(guān)，加速科技成果轉(zhuǎn)化，推動產(chǎn)品迭代更新，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化高質(zhì)量發(fā)展注入源源不斷的新活力。

審核編輯 ：李倩