一：5G移動(dòng)終端發(fā)射功率等級(jí)

濾波器是射頻前端重要的芯片之一，主要功能是“濾波”，即通過(guò)有用信號(hào)，阻擋干擾信息。隨著5G時(shí)代2.6GHz、3.5GHz較高頻率的應(yīng)用，無(wú)線信號(hào)傳播路損增大、穿透能力變差，同時(shí)手機(jī)發(fā)射功率小，因此上行信號(hào)容易成為系統(tǒng)瓶頸。為了應(yīng)對(duì)更多頻段同時(shí)工作、更高頻率下良好通信效果等需求，移動(dòng)終端在某些特定場(chǎng)景下，移動(dòng)終端射頻發(fā)射功率要求達(dá)到較高水平。 3GPP38.101定義手機(jī)終端發(fā)射功率等級(jí)主要包含： 1）Power Class 1（31dbm，最大上浮2db，暫未正式啟用）, 2）Power Class 2（26dbm，最大上浮2db，5G NR的TDD頻段） 3）Power Class 3（23dbm，最大上浮2db，所有FDD頻段） 目前主要應(yīng)用了Power Class 2, Power Class 3兩個(gè)等級(jí)標(biāo)準(zhǔn)；NB-IoT模組功率等級(jí)主要包括：Power Class 3（23dbm），Power Class5（20dBm），Power Class6（14dBm）。

二：5G移動(dòng)終端對(duì)濾波器/雙工器功率耐受水平要求

移動(dòng)終端一個(gè)典型的射頻前端電路如下所示：

根據(jù)終端功率等級(jí)要求，5G NR手機(jī)發(fā)射鏈路在TDD工作模式下，天線處（C點(diǎn)）的功率要求達(dá)到26dbm，F(xiàn)DD工作模式下要求達(dá)到23dbm+2db，而在天線到濾波器/雙工器之間，還有如天線開(kāi)關(guān)、天線調(diào)諧器等射頻器件，一般電路損耗在3-4db左右，所以要求B點(diǎn)（濾波器輸出）功率最大為32dbm（TDD工作模式）和29dbm（FDD工作模式）；濾波器/雙工器插入損耗一般在2-3db左右，所以系統(tǒng)對(duì)于濾波器/雙工器的功率輸入（A點(diǎn)）要求達(dá)到35dbm（TDD工作模式）和32dbm（FDD工作模式），在特定情況下，PA瞬時(shí)輸出功率可能高于上述功率水平，所以，為了避免濾波器/雙工器在實(shí)際工作中特定使用場(chǎng)景下出現(xiàn)燒毀的現(xiàn)象，則要求濾波器/雙工器的瞬時(shí)功率耐受水平達(dá)到33dbm以上水平。

三：高功率需求為濾波器設(shè)計(jì)和制造帶來(lái)挑戰(zhàn)

5G終端由于要支持更多的通信頻段、更復(fù)雜的通信技術(shù)（比如載波聚合、多天線等），導(dǎo)致手機(jī)電路異常擁擠，器件小型化 、集成化成為了必然的趨勢(shì)，比如雙工器尺寸已經(jīng)從傳統(tǒng)的1.8mm*1.4mm*0.55mm發(fā)展到1.6mm*1.2mm*0.55mm甚至在一些場(chǎng)景下要求達(dá)到1.5mm*1.1mm*0.35mm水平，在體積降低的情況下，產(chǎn)品性能指標(biāo)比如插入損耗、隔離度和功率耐受等卻比之前提出了更高的要求，要同時(shí)達(dá)到小尺寸、高性能、高功率耐受，對(duì)于濾波器的研發(fā)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造帶來(lái)了巨大的挑戰(zhàn)。以SAW（聲表面波）雙工器為例，器件Q值、加工材料、溫度漂移特性等每一項(xiàng)都是實(shí)現(xiàn)小尺寸、高性能、高功率耐受產(chǎn)品的攔路虎。

從材料方面來(lái)看

隨著聲表面波濾波器尺寸的減小和工作頻率的增加，電極線條和叉指條之間的距離越來(lái)越細(xì)小、金屬厚度越來(lái)越薄，金屬材料原子遷移現(xiàn)象對(duì)器件的可靠性影響越大，而更大的功率，將進(jìn)一步加速上述現(xiàn)象的發(fā)生，使器件更快出現(xiàn)失效，故聲表濾波器件對(duì)于芯片使用的金屬材料特性提出了極高的要求。

從Q值方面來(lái)看

SAW濾波器在不同Q值下，帶內(nèi)插損差距達(dá)到2db左右，而最大的差距體現(xiàn)（插損最大值）一般在濾波器通帶截止頻率附近，濾波器插損越大，為了達(dá)到要求的輸出功率，PA將給濾波器輸入更大的功率；更大的插損將導(dǎo)致器件工作溫度上升更快，器件性能惡化時(shí)間更短；在同等條件下，低Q值諧振器要實(shí)現(xiàn)小尺寸、高性能、高功率耐受產(chǎn)品將更困難；而產(chǎn)品的Q值又與研發(fā)設(shè)計(jì)能力、材料、工藝水平直接相關(guān)。

從溫度漂移特性上來(lái)看

聲學(xué)濾波器工作溫度不同時(shí)，器件的通帶將會(huì)出現(xiàn)頻率漂移現(xiàn)象，比如溫度增高時(shí)，通帶會(huì)整體往低頻偏移，等效來(lái)看，將出現(xiàn)通帶插損，特別是通帶高頻截止頻率處插損出現(xiàn)較大幅度增加，插損增加會(huì)導(dǎo)致器件發(fā)熱現(xiàn)象更嚴(yán)重器件工作溫度將更高，更高的溫度又導(dǎo)致更嚴(yán)重的溫度漂移現(xiàn)象發(fā)生，從而出現(xiàn)惡性循環(huán)。 特別是用聲學(xué)原理制作的雙工器，由于雙工器的發(fā)射通路是持續(xù)工作的，所以，器件的發(fā)熱現(xiàn)象、溫度漂移影響將更嚴(yán)重。也就是說(shuō)，用聲學(xué)原理研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造小尺寸、高性能、高功率耐受的雙工器/多工器所面臨的挑戰(zhàn)和困難尤其突出。

四：結(jié)論

在5G時(shí)代，SAW濾波器/雙工器由于其高性?xún)r(jià)比的優(yōu)勢(shì)，將會(huì)繼續(xù)占據(jù)射頻濾波器芯片領(lǐng)域絕大部分應(yīng)用場(chǎng)景，目前掌握了高功率SAW技術(shù)的企業(yè)都采用同一款芯片將性能做到極致（小尺寸、高性能、高功率耐受）來(lái)同時(shí)滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景（比如手機(jī)和NB-IoT）策略，這種策略將大大降低產(chǎn)品總體成本。 從產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)和產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力角度： 1、面對(duì)器件小型化且同時(shí)具備高性能、高功率的行業(yè)大趨勢(shì)，掌握了高功率SAW技術(shù)的企業(yè)之所以具有強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力在于他們普遍采取綜合性能一步到位的一款產(chǎn)品覆蓋盡可能多的應(yīng)用場(chǎng)景策略來(lái)增強(qiáng)企業(yè)產(chǎn)品力。 2、目前很多頭部手機(jī)客戶(hù)，從實(shí)際應(yīng)用需求角度對(duì)于濾波器/雙工器芯片功率耐受明確提出了需要達(dá)到32dbm的要求；而掌握了高功率SAW技術(shù)的企業(yè)的產(chǎn)品已經(jīng)普遍達(dá)到了32dbm及以上水平。 3、射頻發(fā)射模組的集成度越來(lái)越高，需要被集成的濾波器/雙工器產(chǎn)品尺寸做得越來(lái)越小、性能越來(lái)越高，同時(shí)還要能滿(mǎn)足高功率要求，這是分立器件向射頻模組產(chǎn)品發(fā)展最核心的基本條件之一。 從企業(yè)的產(chǎn)品角度綜合而言：SAW要把功率做上去，是關(guān)聯(lián)到材料、工藝和設(shè)計(jì)多個(gè)環(huán)節(jié)的工作，是需要EDA的模型涵蓋了高功率材料在特定工藝條件下的準(zhǔn)確數(shù)據(jù)的，所以高功率SAW器件其實(shí)是一個(gè)公司綜合技術(shù)實(shí)力的體現(xiàn)。

審核編輯 ：李倩