1

MOS管的驅(qū)動(dòng)

在進(jìn)行驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)之前，必須先清楚MOS管的模型、MOS管的開關(guān)過程、MOS管的柵極電荷以及MOS管的輸入輸出電容、跨接電容、等效電容等參數(shù)對(duì)驅(qū)動(dòng)的影響。驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接影響了電源的工作性能及可靠性，一個(gè)好的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的基本要求是：

開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使柵源電壓上升到需要值，保證開關(guān)管快速開通且不存在上升沿的高頻震蕩。開關(guān)管導(dǎo)通期間驅(qū)動(dòng)電路能保證MOSFET柵源間電壓保持穩(wěn)定使其可靠導(dǎo)通。

關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)低阻抗通路供MOSFET柵源間電壓快速瀉放，保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。關(guān)斷期間驅(qū)動(dòng)電路可以提供一定的負(fù)電壓避免受到干擾產(chǎn)生誤導(dǎo)通。驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)盡量簡(jiǎn)單，最好有隔離。

2

POWER MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)

1//POWER MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻的影響

驅(qū)動(dòng)電阻增大，驅(qū)動(dòng)上升變慢，開關(guān)過程延長(zhǎng)，對(duì)EMI有好處，但是開關(guān)損耗會(huì)增大，因此選擇合適的驅(qū)動(dòng)電阻很重要。

3

幾種常見的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

1//不隔離互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路

由于MOSFET為電壓型驅(qū)動(dòng)器件，當(dāng)其關(guān)斷時(shí)，漏源兩端的電壓的上升會(huì)通過結(jié)電容在柵源兩端產(chǎn)生干擾電壓，如圖所示的電路不能提供負(fù)電壓，因此其抗干擾性較差，有條件的話可以將其中的地?fù)Q成-Vcc，以提高抗干擾性及提高關(guān)斷速度。

2//隔離驅(qū)動(dòng)電路

正激驅(qū)動(dòng)電路

該驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通速度主要與被驅(qū)動(dòng)S1柵源極等效輸人電容的大小、Q1的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的速度以及Q1所能提供的電流大小有關(guān)。

優(yōu)點(diǎn)：

電路簡(jiǎn)單，并實(shí)現(xiàn)了隔離驅(qū)動(dòng)。

只需單電源即可提供導(dǎo)通時(shí)的正電壓及關(guān)斷時(shí)的負(fù)電壓。

占空比固定時(shí)，通過合理的參數(shù)設(shè)計(jì)，此驅(qū)動(dòng)電路也具有較快的開關(guān)速度。

缺點(diǎn)：

由于變壓器副邊需要一個(gè)較大的防振蕩電阻，該電路消耗比較大。

當(dāng)占空比變化時(shí)關(guān)斷速度變化加大。脈寬較窄時(shí)，由于儲(chǔ)存的能量減少導(dǎo)致MOSFET關(guān)斷速度變慢。

有隔離變壓器互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路

優(yōu)點(diǎn)：

電路簡(jiǎn)單可靠，具有電氣隔離作用。當(dāng)脈寬變化時(shí)，驅(qū)動(dòng)的關(guān)斷能力不會(huì)隨著變化。

該電路只需一個(gè)電源，隔直電容C的作用在關(guān)斷時(shí)提供一個(gè)負(fù)壓，從而加速了功率管的關(guān)斷，有較高的抗干擾能力。

缺點(diǎn)：

輸出電壓幅值會(huì)隨著占空比變化而變化。當(dāng)D較小時(shí)，負(fù)電壓較小，抗干擾能力變差，同時(shí)正向電壓高，應(yīng)注意不要超過柵源允許電壓；當(dāng)D大于0.5時(shí)，正向電壓降低，負(fù)電壓升高，應(yīng)注意使其負(fù)電壓不要超過柵源允許電壓 。

此時(shí)副邊繞組負(fù)電壓值較大，穩(wěn)壓二極管Z2的穩(wěn)壓值為所需的負(fù)向電壓值，超過部分電壓降在電容C2上。

審核編輯 ：李倩