盡管目前疫情狀態(tài)趨緩，但余波仍在持續(xù)影響著全球經(jīng)濟與人們的日常生活。面對這樣的沖擊，存儲市場也和其他許多市場一樣受到波及，DRAM、NANDFlash和NORFlash市場正在經(jīng)歷前所未有的動蕩時期。

然而，隨著新興趨勢不斷涌現(xiàn)并越發(fā)強勁，我們預(yù)計這將推動對安全閃存等專業(yè)存儲器的全新需求，為存儲器市場帶來增長希望。與此同時，在提倡可持續(xù)的大環(huán)境下，汽車電氣化轉(zhuǎn)型也將進一步助推存儲市場的需求增長。

疫情期間，人們不得不花費更多的時間在家中生活和工作，對PC、居家辦公設(shè)備、流媒體點播電視等硬件的投資也顯著增加。因此，家用電子產(chǎn)品、智能手機及個人電腦的銷量在疫情期間大幅提升。當前該趨勢已經(jīng)消退，從而壓低了市場對消費級存儲的需求。

而2022年，服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、工業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型和基礎(chǔ)設(shè)施相關(guān)網(wǎng)絡(luò)等新興應(yīng)用和趨勢對存儲的需求依然強勁。

同時，在疫情短期內(nèi)需求激增導(dǎo)致的芯片缺貨問題，包括運輸時間延長和制造商雙重備貨等情況，也已經(jīng)大大緩解。如今，只有少數(shù)利基市場的電源相關(guān)組件仍囿于交貨時間過長的境況。相比之下，大多數(shù)存儲芯片的供應(yīng)和交付時間已逐步恢復(fù)正常。

總體而言，由于幾大主要經(jīng)濟體的通脹提高，存儲市場目前正面臨著供過于求的情況，進一步壓低了消費者和企業(yè)的需求。此前，業(yè)界預(yù)測DRAM（每位元）市場在2022年的年復(fù)合增長率將超15%，然而TrendForce的最新數(shù)據(jù)表明DRAM的增長率為 8.3%。目前，全球的需求減少已在DRAM 驟降的價格中體現(xiàn)。

技術(shù)升級

從技術(shù)角度來看，DDR5 等下一代內(nèi)存技術(shù)正在成為主流，同時當今的市場趨勢則要求全面提高內(nèi)存容量。在過去，每臺PC大多配備4Gb 到8Gb 的 DDR4 內(nèi)存，但現(xiàn)在或許 8Gb 至 16Gb 才算得上“標配”，同時還需要進一步升級到 DDR5。

專注于PC、服務(wù)器和智能手機等主流市場的主流DRAM 供應(yīng)商，正在順應(yīng)這一趨勢，逐步放棄了前幾代DRAM產(chǎn)品和 4Gb DDR4 模塊的業(yè)務(wù)。這一舉動可能會影響到其他下游產(chǎn)品制造商的供應(yīng)，他們可能需要考慮將 8Gb DDR4 模塊納入未來的產(chǎn)品設(shè)計中。對此，華邦已在高雄新廠全面投產(chǎn) 2Gb 和4Gb DDR3，為有需求的企業(yè)提供穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品供應(yīng)。

當然，WiFi 6 和 WiFi 7 等新型無線通信技術(shù)的強勁發(fā)展也在推動著內(nèi)存容量的上升。同時隨著物聯(lián)網(wǎng)的飛速普及，人們對低延遲、實時響應(yīng)和隱私保護的需求推動了邊緣計算的蓬勃發(fā)展。

智能手機攝像頭的發(fā)展同樣迅猛，以后期處理為主的軟件輔助功能正在大行其道。自動圖像處理功能，如采用AI 技術(shù)實現(xiàn)低光照圖像增強，使用戶獲得專業(yè)的成像效果，也因此成為中、美、韓等國高端新款智能手機流行的新功能。智能家電的出現(xiàn)及其他智能設(shè)備的廣泛應(yīng)用導(dǎo)致人們對存儲芯片數(shù)量級的需求繼續(xù)提升，也推動了技術(shù)前進的步伐，從而催生了速度更快、尺寸更小、功耗更低的內(nèi)存技術(shù)趨勢。

除了容量提升的趨勢外，內(nèi)存設(shè)備的外部接口技術(shù)也在進一步推進。例如，DDR3 已成為 1Gb 至 4Gb 容量范圍內(nèi)的主流接口，華邦的全新晶圓廠將持續(xù)供應(yīng)DDR3產(chǎn)品并支持這一需求。另一方面，華邦先進的HYPERRAM產(chǎn)品正在替代傳統(tǒng)的SDRAM 和PSRAM存儲器，應(yīng)用范圍逐漸擴大，并提供多種容量選擇。

如今，華邦已將HYPERRAM 產(chǎn)品組合的容量擴展到 256Mb 和 512Mb，配合華邦自研25nm制程的工藝優(yōu)勢，HYPERRAM在混合睡眠模式（HSM）下的待機功耗可低至 35μW。HYPERRAM的最低容量可達32Mb，同時信號引腳較同類 PSRAM更少，可完美滿足智能手表等可穿戴應(yīng)用對低功耗和小尺寸的需求。

華邦同樣活躍在NAND Flash領(lǐng)域，引領(lǐng)著串行接口逐步取代并行接口的風(fēng)潮?，F(xiàn)代的 SPI NAND Flash可實現(xiàn)高數(shù)據(jù)傳輸速率，以支持高要求的應(yīng)用，如傳感器接口、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器和圖形用戶界面等。

未來需求

有跡象表明，對安全閃存的需求將在 2023 年強勁增長。同時，網(wǎng)絡(luò)攻擊的強大破壞力使人們越發(fā)擔(dān)心自己的私人資產(chǎn)受到損害。

因此，無論何種類型和地點，人們對連接設(shè)備安全保障能力的關(guān)注勢必大幅提升；針對物聯(lián)網(wǎng)終端、聯(lián)網(wǎng)車輛和設(shè)備的網(wǎng)絡(luò)安全法規(guī)也將不斷增加，以保護代碼、數(shù)據(jù)完整性、隱私和憑證，維護產(chǎn)品生命周期，并實現(xiàn)安全的OTA遠程更新。

最后，電動汽車等智能能源和應(yīng)用的不斷發(fā)展，將繼續(xù)推動電子技術(shù)和計算的需求，以控制車輛、支持聯(lián)網(wǎng)服務(wù)并實現(xiàn)駕駛輔助功能。何況，如今世界多個國家和地區(qū)都在逐步將駕駛輔助功能列為汽車的強制出廠要求，例如歐盟新車安全評鑒協(xié)會規(guī)定2024年起，新車必須配備DMS駕駛員監(jiān)控系統(tǒng)。

此外，高水平的自動駕駛模式的演進也將進一步提升汽車對算力的需求，因此，汽車對高速、高容量存儲的需求將達到前所未有的高度。

審核編輯 ：李倩