大家知道,為實現(xiàn)低相位噪聲性能,尤其是超低相位噪聲性能,必須使用低噪聲電源才能達到最佳性能。但文獻上沒有詳細說明如何通過一種系統(tǒng)化方法來量化電源噪聲電壓電平對相位噪聲的影響。本文旨在改變這種狀況。
本文提出了電源調(diào)制比(PSMR)理論,用來衡量電源缺陷如何被調(diào)制到RF載波上。通過電源噪聲對RF放大器相位噪聲的貢獻來驗證這一理論;測量結(jié)果表明,可以計算并且相當準確地預測該貢獻。基于此結(jié)果,本文還討論了描述電源特性的系統(tǒng)化方法。

審核編輯:劉清
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原文標題:PSMR與PSRR不同之處
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