同時(shí)，在High-side Buck拓?fù)?，為了?qū)動(dòng)高側(cè)的MOSFET，線(xiàn)路中存在BOOT電容。在每次二極管導(dǎo)通過(guò)程中，芯片內(nèi)部路徑會(huì)對(duì)BOOT電容充電。在輸入和輸出壓差較低、調(diào)光頻率較低和調(diào)光占空比較低的條件下，二極管的導(dǎo)通時(shí)間較短，BOOT電容能量衰減較快，會(huì)觸發(fā)BOOT電容欠壓保護(hù)，造成驅(qū)動(dòng)光源閃爍。解決由于BOOT電容欠壓造成的閃爍問(wèn)題，可以選擇增大輸入輸出壓差、增大調(diào)光頻率和更換Floating Buck調(diào)光拓?fù)洹?/p>

一個(gè)可行的方式是，在調(diào)光占空比較低的條件下，封鎖驅(qū)動(dòng)器輸出，如圖2所示。

圖2：一種在低調(diào)光占空比下封鎖輸出的方法

在外部調(diào)光信號(hào)占空比大于設(shè)定值時(shí)，滯環(huán)回比較器輸出為高，使能驅(qū)動(dòng)器輸出；在外部調(diào)光信號(hào)占空比大于設(shè)定值，滯環(huán)比較器輸出為低，封鎖驅(qū)動(dòng)器輸出。其中，滯環(huán)比較器的上閾值和下閾值如如下所示。

圖3：滯環(huán)比較器的開(kāi)關(guān)特性

同時(shí)，需要合理地設(shè)置低通濾波器的截止頻率，此處設(shè)置為三分之一倍的調(diào)光頻率

本文針對(duì)High-side Buck，在低壓差、低調(diào)光頻率和低調(diào)光占空下的閃爍問(wèn)題，提出一個(gè)基于占空比的關(guān)斷的方案，可有效解決此應(yīng)用問(wèn)題。

審核編輯：郭婷