本系列博文共有 6 個部分，將為您介紹電動汽車、電池充電和數據中心等快速增長的應用領域，以及基于極具前景的技術的新器件如何成為取代硅器件的合理選擇。

這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務擴展到電動汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數據中心電源等快速增長的市場。

為什么說選擇 SiC FET 是正確的。

眾所周知，“硅” 仍在市場占有一席之地，但隨著功率效率和性能水平對快速增長領域（即電動汽車、電池充電、數據中心等領域）的成功變得愈發(fā)重要，基于新技術的新器件也將成為取代硅器件的合理選擇。那些新器件指的正是 SiC FET。

在 “您會使用硅制成的碳化硅嗎？” 系列的 6 篇博文中，UnitedSiC 工程副總裁 Anup Bhalla 博士與 Power Systems Design (PSD) 一起向讀者闡述了為什么 SiC FET 是廣泛應用的正確選擇，以及如何適用于仍包含 MOSFET、超結、IGBT 和 GaN HEMT 的環(huán)境。本系列博文為工程師介紹了與功率晶體管和二極管相關的重要品質因數，以及在進行設計選擇時應該考慮的要素。本系列博文將涵蓋超共源共柵拓撲結構的概念，以及如何將其用于電源應用等內容。

SiC FET 已經走出了專業(yè)應用領域，并已快速成為當今 HW 電源設計人員的主流電源解決方案。如果您考慮在下一個設計中使用 SiC，但不清楚其產品優(yōu)勢，或者想要進一步了解這個高速發(fā)展的 SiC 電源解決方案，則可以閱讀本系列博文。希望您喜歡！

第 1 部分：您會使用由硅制成的碳化硅嗎？

您需要了解有關碳化硅 (SiC) 和寬帶隙 (WBG) 技術的基礎知識嗎？本系列博文的第一篇文章不僅涵蓋適合各種級別讀者的基礎知識，還為從事高功率應用的電氣工程師進行了詳細說明。

了解更多信息。https://www.powersystemsdesign.com/articles/are-you-sic-of-silicon-part-1/22/14274

第 2 部分：您會使用由硅制成的碳化硅嗎？

本系列博文的第 2 篇文章探討了封裝在提高功率晶體管性能方面的重要作用。Bhalla 博士還向讀者介紹了如何將封裝應用于 SiC 技術以及為什么封裝對充分挖掘寬帶隙 (WBG) 技術潛力至關重要。

了解更多信息。https://www.powersystemsdesign.com/articles/are-you-sic-of-silicon-part-2/22/14407

第 3 部分：您會使用由硅制成的碳化硅嗎？

開發(fā)強大可靠的車載充電器 (OBC) 解決方案對于電動汽車 (EV) 的成功采用至關重要。汽車的充電速度越快，消費者就會越早接受將電池和電力驅動作為汽油或柴油發(fā)動機的可行替代品。寬帶隙 (WBG) 和碳化硅 (SiC) 技術可以滿足所有要求，這也是此技術的理想應用，本系列博文的第三篇文章將對此進行闡述。

了解更多信息。https://www.powersystemsdesign.com/articles/are-you-sic-of-silicon-part-3/22/14585

第 4 部分：您會使用由硅制成的碳化硅嗎？

本系列博文的第四篇文章將從電池充電開始，探討電動汽車牽引逆變器的應用。讀者將會了解汽車制造商開發(fā)純電動汽車時使用的方法，以及這對動力傳動系統(tǒng)的意義。

了解更多信息。https://www.powersystemsdesign.com/articles/are-you-sic-of-silicon-part-4/22/14760

第 5 部分：您會使用由硅制成的碳化硅嗎？

電子產品涉及到低電壓、高電壓和極高電壓三個方面。而碳化硅 (SiC) 等功率半導體技術則明確地專注于突破較高電壓領域的難題。UnitedSiC 在超共源共柵架構等方面取得了突破性進展，也由此成為該領域相關器件和模塊技術的領導者。本文由 Power Systems Design 負責撰寫，主要向工程領域的讀者介紹 SiC MOSFET、SiC IGBT 及其對應的硅器件所適用的功率頻譜。

了解更多信息。https://www.powersystemsdesign.com/articles/are-you-sic-of-silicon-part-5/22/15016

第 6 部分：您會使用由硅制成的碳化硅嗎？

大容量、高質量和更高的功率密度是電信行業(yè)應用的優(yōu)先考慮因素。如本文所述，隨著 5G 的大規(guī)模推廣，相關要求變得越來越嚴格。通過探討電信公司和數據中心使用的電源拓撲結構，讀者將了解為什么電源開發(fā)人員對寬帶隙 (WBG) 和碳化硅 (SiC) 技術越來越感興趣。

了解更多信息。https://www.powersystemsdesign.com/articles/are-you-sic-of-silicon-part-6/22/15156

關于作者

Anup Bhalla 博士

UnitedSiC 工程副總裁

在 UnitedSiC 擔任工程副總裁，主管所有產品開發(fā)工作。他于 2012 年加入 UnitedSiC，此前曾在 Harris、Vishay Siliconix、AOS 工作，而且是 Alpha and Omega Semiconductor 的聯(lián)合創(chuàng)始人。他獲得了倫斯勒理工學院的電氣工程博士學位，擁有 100 多項專利。