進行功率設計時，如何選擇合適的部件可能非常棘手，有時還讓人極度煩惱。對于 SiC FET 和 SiC 肖特基二極管，利用 FET-Jet 計算器（第 2 版）可以幫您免除盲目猜測的煩惱。閱讀本博文，深入了解這款靈活便捷的工具，幫助您選擇器件并查看其性能，快速準確地一次敲定設計。

這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務擴展到電動汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源等快速增長的市場。

如果您尚未找到合適部件，UnitedSiC 的免費網(wǎng)頁式FET-Jet 計算器可以為您帶來啟示，幫助您選擇滿足相關功率設計需求的 SiC FET 和 SiC 肖特基二極管。您只需從下拉菜單中選擇想要使用的 AC-DC 或 DC-DC 轉(zhuǎn)換器拓撲結構，可以是隔離型或非隔離型。然后，就可以自動無縫地在連續(xù)、臨界或非連續(xù)模式之間切換。只需設置輸入、輸出和所需功率，就可以選擇 UnitedSiC 提供的系列 SiC FET 和肖特基二極管。該工具可立即計算出整體效率、組件損耗（分為動態(tài)損耗和傳導損耗）以及電流應力水平。您甚至可以指定并聯(lián)器件、多個轉(zhuǎn)換器“支路”和外部散熱器性能，以便預測結溫。

全新的第 2 版計算器進一步簡化了 SiC FET 和肖特基二極管的選擇過程，并且轉(zhuǎn)換器類型中可選的拓撲結構數(shù)量增加了一倍，達到了 26 種。

在第 2 版中，損耗和溫升以條形圖形式呈現(xiàn)，以便即時直觀地顯示傳導損耗、導通損耗和關斷損耗。還新增了一個非常實用的功能：可針對不同器件和驅(qū)動電壓提供柵極電阻 RGon 和 RGoff 建議，并且提供建議緩沖組件值，以優(yōu)化電壓過沖控制。

圖 2：FET-Jet 可選的轉(zhuǎn)換拓撲結構

計算器中的新拓撲結構也帶來了一些額外的選擇。比如，針對 AC-DC 區(qū)域中復雜的 “三級 ANPC 電壓源型逆變器” 拓撲結構，計算器支持選擇 PWM 策略：LF middle、HF middle 和 Max ON，同時還有三種調(diào)制方案可供選擇：正弦-三角波、空間矢量和 60° 不連續(xù) PWM。并聯(lián)器件數(shù)量以及部分拓撲結構中的支路/相位數(shù)量都無限制地增加。請試著點擊數(shù)量，查看條形圖的動態(tài)變化情況，了解其優(yōu)勢以及損耗和溫度的變化趨勢。無需擔心，如果選擇無效，計算機中會出現(xiàn)警告提示。其他新功能包括：部件標記解碼器的鏈接、指示性波形圖，還新增了以 PDF 文件格式下載計算器結果的選項，以便您保存記錄。

FET-Jet 計算器（第 2 版）工具經(jīng)過改良，可迅速查看所選器件的性能，幫助您正確選擇器件，快速準確地一次敲定設計。該工具會定期更新 UnitedSiC 的最新部件，包括在硬開關和軟開關拓撲結構中具有出色性能的第 4 代 SiC FET。我們清楚您的需求，還可以讓工程師選擇極為夸張的組合，比如：在升壓轉(zhuǎn)換器設計 50 個支路和并聯(lián) 1000 個 FET。無需注冊，請盡情使用！