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數(shù)字集成電路測(cè)試流程

Semi Connect ? 來(lái)源:Semi Connect ? 作者:Semi Connect ? 2023-05-26 10:08 ? 次閱讀
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數(shù)字集成電路的測(cè)試主要包括直流參數(shù)測(cè)試 (DC Test)、交流參數(shù)測(cè)試(AC Test)、功能測(cè)試(Function Test)、可測(cè)性設(shè)計(jì)(DFT)測(cè)試等。典型的數(shù)字集成電路測(cè)試順序如圖所示。

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首先進(jìn)行的是接觸測(cè)試,要在測(cè)試開(kāi)始時(shí)驗(yàn)證被測(cè)電路與測(cè)試系統(tǒng)連接良好,消除由于接觸不良造成的影響;其次進(jìn)行功能測(cè)試,驗(yàn)證被測(cè)電路是否具有預(yù)期的邏輯功能;然后進(jìn)行直流參數(shù)測(cè)試,在被測(cè)電路引腳上進(jìn)行電壓或電流測(cè)試;最后進(jìn)行交流參數(shù)測(cè)試,測(cè)量電路轉(zhuǎn)換狀態(tài)的時(shí)序關(guān)系,確保電路在正確的時(shí)間點(diǎn)發(fā)生狀態(tài)轉(zhuǎn)換口??蓽y(cè)性設(shè)計(jì)測(cè)試主要基于故障模型,生成測(cè)試算法,在電路內(nèi)部設(shè)計(jì)相應(yīng)的結(jié)構(gòu);測(cè)試時(shí),輸人引腳的信號(hào)狀態(tài)變化及電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)引起的內(nèi)部節(jié)點(diǎn)狀態(tài)變化,都將影響輸出引1腳的信號(hào)狀態(tài)變化??蓽y(cè)性設(shè)計(jì)主要采用掃描鏈設(shè)計(jì)(SCAN)、內(nèi)建自測(cè)試(BIST)設(shè)計(jì)等方法,通過(guò)測(cè)試向量來(lái)實(shí)現(xiàn),在測(cè)試順序上會(huì)與功能測(cè)試放在一起。

(1)接觸測(cè)試:主要通過(guò)加流測(cè)壓 (Force-Current/ Measure- Voltage, FIMV)來(lái)驗(yàn)證電路所有號(hào)1腳、電源、地之間,以及測(cè)試系統(tǒng)、測(cè)試負(fù)載板、測(cè)試插座等接觸良好,沒(méi)有短路與開(kāi)路。

(2)功能測(cè)試:通常采用由電平、時(shí)序、波形格式構(gòu)成的測(cè)試向量(Pattern)的方式進(jìn)行測(cè)試。執(zhí)行功能測(cè)試時(shí),首先必須確認(rèn)電源電壓、VO電壓、輸出電流負(fù)載、輸出采樣等,將測(cè)試向量以被測(cè)電路測(cè)試規(guī)范規(guī)定的速率送人電路輸人端,然后逐個(gè)周期、逐個(gè)引腳檢查電路的輸出,如果任何輸出引腳的邏輯狀態(tài)、電壓、時(shí)序與測(cè)試向量中規(guī)定的不符,則功能測(cè)試沒(méi)有通過(guò);如果完全相符,則表示功能測(cè)試通過(guò)。功能測(cè)試一般包括測(cè)試向量生成、測(cè)試向量運(yùn)行和測(cè)試結(jié)果驗(yàn)證等步樂(lè)。功能測(cè)試原理圖如圖所示。

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(3) 直流參數(shù)測(cè)武:直流參數(shù)包括輸人高/低電流、輸人高/低電平、輸出高/低電平、輸出短路電流 、靜態(tài)電流、動(dòng)態(tài)電流等。直流參數(shù)測(cè)試通常利用測(cè)試系統(tǒng)的精密測(cè)量單元 (Precision Measurement Unit, PMU) 或電源供電模塊 (Device Power Supply,DPS) 等硬件資源,主要通過(guò)加壓測(cè)流(Force - Voltage/Measure - Current,FVMI) 或加流測(cè)壓(FIMV)來(lái)進(jìn)行測(cè)試,當(dāng)然有些參數(shù)也會(huì)采用加壓測(cè)壓(Force-Voltage/Measure-Voltage, FVMV) 及加流測(cè)流 ( Force-Current/ Measure-Current, FIMI) 的模式來(lái)進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試時(shí),如果測(cè)試線路上的電流較大,則必須采用開(kāi)爾文連接(Kelvin Connections),以消除該線路上產(chǎn)生的電壓降。針對(duì)輸出引腳某一高/低狀態(tài)下的電壓或電流進(jìn)行測(cè)試時(shí),需要先運(yùn)行一段測(cè)試向量,使電路被測(cè)引腳處于期望的高/低狀態(tài),然后再進(jìn)行測(cè)量。隨著測(cè)試技術(shù)的不斷進(jìn)步,當(dāng)前主流數(shù)字信號(hào)測(cè)試系統(tǒng)在每個(gè)數(shù)字通道上均包含PMU,可實(shí)現(xiàn)對(duì)被測(cè)電路的多個(gè)引1腳直流參數(shù)的并行測(cè)試。

(4) 交流參數(shù)測(cè)試:交流參數(shù)包括頻率(Frequency)、上升/下降時(shí)間(Rise/Fall Time)、傳輸延遲時(shí)間(Propagation Delay)、建立/保持時(shí)間 (Setup/Hold Time) 等。可通過(guò)不斷改變功能測(cè)試中測(cè)試向量的時(shí)間沿進(jìn)行掃描測(cè)試,或者直接采用測(cè)試系統(tǒng)的時(shí)間測(cè)量單元 (Time Measurement Unit, TMU)進(jìn)行交流參數(shù)測(cè)試,其測(cè)試精度由 所采用的測(cè)試資源的精度決定。目前,主流數(shù)宇集成電路測(cè)試系統(tǒng)可測(cè)試的數(shù)字集成電路引腳數(shù)己超過(guò)7000 個(gè),測(cè)試速率可達(dá)到Cbit/ s,時(shí)沿精度可達(dá) 100ps 以下。隨著數(shù)字集成電路規(guī)模的不斷擴(kuò)大,新的測(cè)試技術(shù)需要不斷提高測(cè)試效率,朝著高并行測(cè)試、并發(fā)測(cè)試的方向發(fā)展。

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:數(shù)字集成電路測(cè)試,數(shù)位積體電路測(cè)試, Digital IC Test

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