常用的過電流保護(hù)措施包括硬件關(guān)閉和軟件關(guān)閉。硬件關(guān)閉意味著在檢測到過流和短路信號(hào)時(shí)，頁腳的輸出為高，門信號(hào)被快速阻止以禁用IGBT。但是，一旦檢測到過電流信號(hào)就關(guān)閉了硬件，則輸出會(huì)連續(xù)跳躍，這可能會(huì)導(dǎo)致故障。為了提高保護(hù)電路的抗干擾能力，在硬件短路保護(hù)信號(hào)之后，即通過F信號(hào)，增加了軟件阻斷功能。

保護(hù)電路設(shè)置：如果負(fù)載繼續(xù)短路，則變頻器中的這些集成電路可能會(huì)使IGBT承受數(shù)毫秒的重復(fù)高電流脈沖。短路期間的強(qiáng)電流脈沖會(huì)危及IGBT的安全，并可能導(dǎo)致不可逆轉(zhuǎn)的損壞。因此，一旦負(fù)載短路，應(yīng)盡可能減少IGBT短路過電流的工作時(shí)間，從而應(yīng)通過外部電路來阻止輸入控制信號(hào)，以“防止IGBT短路”。持續(xù)傳輸。高電流脈沖。僅集成驅(qū)動(dòng)器電路不足以完全保護(hù)IGBT，必須添加輔助保護(hù)電路以禁用輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

IGBT的控制原理(部分或全部)取決于柵極射極電壓。

1、關(guān)閉。如果在柵極上施加負(fù)偏壓或柵極電壓低于閾值，則該溝道被禁止，N區(qū)域中不會(huì)注入空穴，在所有情況下，集電極電流都會(huì)隨著電流MOsF的快速下降而逐漸減小。開關(guān)階段，因?yàn)樵陂_關(guān)開始之后，N層中仍然有載流子(少數(shù)載流子)，剩余電流(工作后的電流)值的減小就完成了

2、導(dǎo)通。 IGBT硅芯片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET的結(jié)構(gòu)非常相似。主要區(qū)別在于IGBT的P增加。

3、反向阻斷。當(dāng)對收集鼓施加反向偏壓時(shí)，它會(huì)受到反向偏壓的控制，并且耗盡層將關(guān)閉以擴(kuò)展到N區(qū)域。如果您將該層的厚度減小得太多，將無法實(shí)現(xiàn)有效阻斷能力。因此，這種可能性非常重要。另一方面，如果您太大地增加了該區(qū)域的大小，它將繼續(xù)增加并增加壓降。

4、激活壓降。電導(dǎo)率調(diào)制效果降低了電阻Ra并降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的電壓降;

IGBT提供的通用變頻電源已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了實(shí)用化和串行化。討論了設(shè)備的主電路，控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)以及保持效果，抑制變壓器偏磁的方法。給出了單相變頻電源的控制電路，控制電路，保護(hù)電路和主要技術(shù)指標(biāo)的設(shè)計(jì)原理。盡管第一個(gè)晶閘管的靜態(tài)靜態(tài)電源克服了變頻單元的許多缺點(diǎn)，但晶閘管的關(guān)斷取決于負(fù)載或附加的關(guān)斷電路，控制復(fù)雜，性能動(dòng)態(tài)也不理想，難以取得新的突破，取得技術(shù)成就。

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