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6.1.4 半絕緣區(qū)域的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-01-06 09:23 ? 次閱讀
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6.1.4 半絕緣區(qū)域的離子注入

6.1 離子注入

第6章碳化硅器件工藝

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

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