5G小基站是實現(xiàn)5G網(wǎng)絡覆蓋的關鍵組成部分，一般應用在流量需求大的熱點區(qū)域，如大型商場等。目前各運營商都在進行5G基礎設施，未來將實現(xiàn)5G網(wǎng)絡環(huán)境的覆蓋，極大地改善人們的使用體驗。

5G小基站的設計中，當然也離不開傳統(tǒng)的功率器件的需求，例如大電流的MOS管等。本文推薦安森德的N溝道MOS ASDM100R066NQ，應用在小基站的設計中，耐壓可以達到100V，導通電流達到68A。

ASDM100R066NQ用在5G小基站的設計中有以下特點：

1、導通電阻5.9mΩ，采用了先進的溝槽技術和設計，能夠提供非常低的導通電阻，有利于產(chǎn)品整體設計。

2、漏極飽和電流為68A，最大脈沖電流可以達到140A，可以滿足大電流應用的設計。

3、零柵壓漏極電流為1μA，有利于產(chǎn)品低功耗的設計。

4、耗散功率最大為108W。

5、工作結溫和存儲溫度范圍為-55℃至155℃，可以滿足小基站設計的環(huán)境要求。

6、采用DFN5X6-8的封裝，散熱性能好，占用空間小。

總的來說，安森德ASDM100R066NQ應用穩(wěn)定，具有高功率密度、輸出線性好、能效高、溫升低等優(yōu)勢，不僅能夠從參數(shù)各方面適用于5G小基站，而且在使用方面還能完美替代ST的STB100N10F7場效應管。