在鬧鐘模塊設計中需要控制蜂鳴器電路的導通來控制蜂鳴器的發(fā)聲與否，常常有兩種方式可以實現(xiàn)電路導通的控制：

1、通過三極管作為開關器件控制電路導通；

2、通過MOS作為開關器件控制電路導通。

但是三級管的內阻比MOS的內阻大，意味著其電路導通時電流通過三極管時消耗的能力比MOS消耗的能量要多得多，因此在低功耗場景下往往優(yōu)先選擇MOS作為開關器件控制電路。本文推薦安森德的N溝道MOS管ASDM60N03ZA用于鬧鐘模塊來降低系統(tǒng)整體功耗水平。

鬧鐘模塊常見的應用電路圖如圖所示：

MCU通過輸出高低電平信號來控制ASDM60N03ZA的導通與否，因為MCU輸出的高電平信號一般為3.3V左右，因此N-MOS的閾值電壓Vgsth需小于3.3V才能在MCU輸出高電平時能完全導通，MCU的低電平信號為0V左右所以閾值電壓Vgsth的最小值要大于0V，ASDM60N03ZA的閾值電壓為1V到2.5V滿足上述要求，且不易造成誤導通情況的發(fā)生，同時ASDM60N03ZA的導通內阻僅為50mΩ，大大減少因為內阻做功消耗掉的能量。

ASDM60N03ZA封裝圖

以下為ASDM60N03ZA的其他優(yōu)勢點：

1、漏源電壓Vds=60V，滿足絕大多數(shù)電池供電產(chǎn)品的耐壓要求。

2、漏級電流Id=3A，可適用于3A以下的電源電路中，在消費領域適用范圍廣。

3、可Pin to Pin替代AOS/美國萬代的A03416，國產(chǎn)替代進口。

國芯思辰批量供應安森德ASDM60N03ZA，有需要的客戶可在國芯思辰官網(wǎng)進行樣品申請。

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