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虹科案例|nanoGUNE應(yīng)用Onyx系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)石墨烯電學(xué)性質(zhì)的無(wú)損表征

虹科光電 ? 2022-06-30 09:28 ? 次閱讀
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01

挑戰(zhàn):高分辨率、快速無(wú)損表征石墨烯

二維材料,是指電子僅可在兩個(gè)維度的納米尺度(1-100nm)上自由運(yùn)動(dòng)(平面運(yùn)動(dòng))的材料,如納米薄膜、超晶格、量子阱。二維材料是伴隨著2004年曼徹斯特大學(xué)Geim小組成功分離出單原子層的石墨材料——石墨烯(graphene) 而提出的。

石墨烯(Graphene)是一種以sp2雜化連接的碳原子緊密堆積成單層二維蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)的新材料,是世上最薄卻也是最堅(jiān)硬的納米材料,它幾乎是完全透明的,只吸收 2.3%的光;導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá) 5300 W/m·K,高于碳納米管和金剛石,比鉆石還堅(jiān)硬,強(qiáng)度比世界上最好的鋼鐵還要高上 100 倍,常溫下其電子遷移率超過(guò) 15000 cm2/V·s,又比納米碳管或矽晶體(monocrystalline silicon)高,而電阻率只約 10-6 Ω·cm,比銅或銀更低,為目前世上電阻率最小的材料。因?yàn)樗碾娮杪蕵O低,電子的移動(dòng)速度極快,因此被期待可用來(lái)發(fā)展出更薄、導(dǎo)電速度更快的新一代電子元件或電晶體。

正由于石墨烯具有優(yōu)異的光學(xué)、電學(xué)、力學(xué)特性,它在材料學(xué)、微納加工、能源、生物醫(yī)學(xué)和藥物傳遞等方面具有重要的應(yīng)用前景,被認(rèn)為是一種未來(lái)革命性的材料。

CIC nanoGUNE是一個(gè)成立于2009年的西班牙研究中心,其使命是解決納米科學(xué)和納米技術(shù)的基礎(chǔ)和應(yīng)用研究,促進(jìn)該領(lǐng)域高級(jí)研究人員的教育和培訓(xùn),其中石墨烯是他們研究的重點(diǎn)材料之一。除此以外,Graphenea是nanoGUNE的第一家初創(chuàng)公司,致力于工業(yè)石墨烯的制造。

通常,在利用石墨烯等材料之前,最重要是通過(guò)各類(lèi)表征技術(shù)測(cè)量出材料的各類(lèi)參數(shù)從而對(duì)材料性質(zhì)與質(zhì)量做出判斷。通常針對(duì)于大面積材料,可以利用四探針?lè)ǖ玫奖粶y(cè)樣品的電導(dǎo)率,操作簡(jiǎn)單且檢測(cè)快速,但必須接觸樣品,由此可能會(huì)使樣品產(chǎn)生損傷。而對(duì)于納米尺寸的材料而言,常用的拉曼光譜、AFM和TEM方法可以通過(guò)非接觸的方式得到分辨率高達(dá)nm級(jí)別的圖像,然而這需要樣品制備步驟與較長(zhǎng)的掃描時(shí)間。

因此,對(duì)于nanoGUNE的材料研究而言,他們需要的是一個(gè)快速的系統(tǒng)來(lái)檢測(cè)不同性質(zhì)的材料,而不會(huì)破壞它們并且具有高精度。另一方面,Graphenea希望檢測(cè)材料,以進(jìn)行石墨烯制造過(guò)程的質(zhì)量控制和新先進(jìn)材料的開(kāi)發(fā)。兩者都在尋找一種解決方案,以高分辨率、非接觸式、非破壞性和快速的方式表征塊狀、薄膜和2D材料(如石墨烯)的電性能(如電導(dǎo)、電阻或載流子遷移率)。


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02

虹科解決方案:太赫茲 Onyx 系統(tǒng)

虹科提供的太赫茲 Onyx 系統(tǒng)是 nanoGUNE 和 Graphenea 的完美解決方案。

基于太赫茲頻譜技術(shù)的 Onyx 是市場(chǎng)上第一個(gè)旨在利用太赫茲波實(shí)現(xiàn)石墨烯、薄膜和其他2D材料的全區(qū)域無(wú)損表征的系統(tǒng),填補(bǔ)了宏觀和納米尺度表征工具之間的空白,探測(cè)面積可從0.5 mm2到更大面積(m2),能夠以最高50um的空間分辨率快速表征 (12cm2/min)大面積樣品,促進(jìn)了材料研究領(lǐng)域的工業(yè)化。

f6e61996-f7c8-11ec-a2f4-dac502259ad0.jpgONYX 系統(tǒng)基于太赫茲頻譜技術(shù),發(fā)射的太赫茲波與材料相互作用后的時(shí)域信號(hào)被收集,隨后通過(guò)傅里葉變換轉(zhuǎn)化為頻譜信號(hào)后,將此信號(hào)與參考信號(hào)的頻譜數(shù)據(jù)進(jìn)行分析即可得到被測(cè)樣品的光學(xué)參數(shù),包括電導(dǎo)率、電阻率、電荷載流子遷移率、電荷載流子密度、折射率與基板厚度。這些參數(shù)僅需一次測(cè)量便可全部得到,無(wú)需樣品制備與過(guò)長(zhǎng)掃描時(shí)間,實(shí)現(xiàn)了簡(jiǎn)易高速的測(cè)量。

Onyx 系統(tǒng)符合 IEC TS 62607-6-10:2021 技術(shù)規(guī)范,該規(guī)范涉及使用太赫茲時(shí)域光譜法測(cè)量石墨烯基材料的片狀電阻。


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03

結(jié)果:快速可靠的工具,助力材料研究

虹科解決方案 Onyx 系統(tǒng)提供一種非破壞性、非接觸式、快速和高分辨率的檢測(cè)方法,可繪制塊狀材料、薄膜和 2D 材料(如石墨烯)的電學(xué)特性圖。作為一種不需要樣品制備的非接觸式、非破壞性方法,同一研究樣品可以用太赫茲時(shí)域光譜(THz-TDS)進(jìn)行多次分析,而無(wú)需對(duì)其進(jìn)行修改調(diào)整??色@得整個(gè)樣品區(qū)域而不是單個(gè)點(diǎn)的電特性圖,可以識(shí)別缺陷,均勻度等。

在高影響因子同行評(píng)審的期刊上發(fā)表的幾篇科學(xué)文章已經(jīng)用到了Onyx系統(tǒng)獲得的數(shù)據(jù)。以下示例是與Graphenea合作發(fā)布的。

在文章“Mapping the conductivity of graphene with Electrical Resistance Tomography” 【“用電阻斷層掃描繪制石墨烯的電導(dǎo)率”】(Cultrera等人,科學(xué)報(bào)告,2019,9:10655)中,使用接觸方法(電阻層析成像(ERC)和van der Pauw測(cè)量)和非接觸式THz-TDS Onyx測(cè)量獲得了大面積石墨烯樣品的電阻測(cè)量結(jié)果。

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上圖比較了使用 ERC 和 Onyx(TDS)獲得的10×10 mm2區(qū)域的化學(xué)氣相沉積(CVD)石墨烯電導(dǎo)率圖。Onyx 圖像包含100×100個(gè)像素,每個(gè)像素對(duì)應(yīng)于一個(gè)測(cè)量值,并允許以非破壞性和非接觸方式沿石墨烯樣品表面識(shí)別異質(zhì)性,確保測(cè)量后樣品的完整性。

在文章“Towards standardisation of contact and contactless electrical measurements of CVD graphene at the macro-, micro- and nano-scale”【“在宏觀,微觀和納米尺度上實(shí)現(xiàn)CVD石墨烯接觸式和非接觸式電氣測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)化”】(Melios等人,科學(xué)報(bào)告,2020,10:3223),展示了一種從納米到宏觀尺度測(cè)量石墨烯電學(xué)性質(zhì)的綜合方法。

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電學(xué)表征是通過(guò)使用多種技術(shù)的組合實(shí)現(xiàn)的,包括范德堡幾何中的磁傳輸,使用 Onyx 系統(tǒng)的太赫茲時(shí)域光譜繪制(上面顯示了兩個(gè)電阻率圖)和校準(zhǔn)的開(kāi)爾文探針力顯微鏡。結(jié)果顯示出不同技術(shù)之間良好的一致性。此外,在GRACE EMPIR/EURAMET項(xiàng)目中還發(fā)布了兩份關(guān)于石墨烯電學(xué)表征的良好實(shí)踐指南:“Good Practice Guide on the electrical characterization of graphene using non-contact and high-throughput methods” 【“使用非接觸式和高通量方法對(duì)石墨烯進(jìn)行電表征的良好實(shí)踐指南”】(2020年,由A. Fabricius,A.等人編輯,ISBN:978-88-945324-2-5)。“Good Practice Guide on the electrical characterisation of graphene using contact methods” 【“使用接觸方法對(duì)石墨烯進(jìn)行電表征的良好實(shí)踐指南”】(2020年,由A. Fabricius等人編輯,ISBN:978-88-945324-0-1)。這兩個(gè)指南旨在滿(mǎn)足在高度受控的環(huán)境條件下進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化電氣測(cè)量的需求。

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