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國芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M080120HC可替代C2M0080120D降低電機驅(qū)動功率損耗,導(dǎo)通延遲20ns

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2022-09-30 16:33 ? 次閱讀
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據(jù)評估,世界上超過一半的電能消耗用于各種電動機。因此,降低電動機的功率損耗并提高電力轉(zhuǎn)換的效率顯得尤為重要。

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電動機驅(qū)動電路一般原理圖

本文主要講到基本半導(dǎo)體的碳化硅功率MOSFET B1M080120HC,該器件具有延遲極短、超高耐壓、低導(dǎo)通阻抗、小封裝等優(yōu)勢,可以和WOLFSPEED的C2M0080120D、羅姆的SCT2080KE、英飛凌的IMW120R090M1H、ST的SCT30N120、安森美的NTHL080N120SC1型號實現(xiàn)pin to pin替換,為電動機驅(qū)動提供解決方案,具有巨大的市場前景。

具體應(yīng)用優(yōu)勢如下:

1、在電氣特性方面,B1M080120HC可承受的最高電壓達1200V,連續(xù)漏極電流最高可達44A,柵極閾值電壓典型值為3V,即使用普通MCU或者使用TTL電平也可輕松驅(qū)動,完全滿足電動機驅(qū)動的電氣要求。

2、B1M080120HC導(dǎo)通延遲時間20ns,關(guān)斷延遲時間44ns,真正實現(xiàn)電動機驅(qū)動高頻率切換。而且自身功率耗散最高可達241W,可延長其壽命周期,具有更高的穩(wěn)定性。

3、B1M080120HC的導(dǎo)通阻抗的典型值僅為80mΩ,能夠?qū)崿F(xiàn)較高的系統(tǒng)效率。

4、B1M080120HC的封裝為TO-247-3,工作結(jié)溫范圍為-55~+150℃,結(jié)殼熱阻為0.518K/W,滿足電動機驅(qū)動的工作環(huán)境,可確保系統(tǒng)不會因為損耗過大導(dǎo)致結(jié)溫過高而損壞芯片,更好的應(yīng)用于高溫環(huán)境。

綜上所述,基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M080120HC可以實現(xiàn)高功率密度,并且在一般輸出功率的應(yīng)用中無需額外添加散熱器,節(jié)省了系統(tǒng)空間。

注:如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系刪除。

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