在儀表設(shè)計(jì)中，數(shù)據(jù)的安全存貯非常重要。如電子式電能表，它在運(yùn)行期間時(shí)刻都在記錄數(shù)據(jù)，如果功能設(shè)計(jì)的比較多，那么保存的數(shù)據(jù)量大，擦寫(xiě)次數(shù)比較多。一般需要有一個(gè)高性能的存貯器才能滿足需求。

某客戶在設(shè)計(jì)儀表時(shí)，需要用到一個(gè)壽命長(zhǎng)、數(shù)據(jù)保存安全期長(zhǎng)的存儲(chǔ)器，該客戶最終確定了拍字節(jié)的新型鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)PB85RS128，該FRAM芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為16,384×8位，通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和SRAM不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。該芯片中使用的存儲(chǔ)單元可用于1E6 次讀/寫(xiě)操作*1，它的讀/寫(xiě)耐久性大大超過(guò)FLASH和EEPROM，且不會(huì)像FLASH或EEPROM那樣需要很長(zhǎng)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)間，而且它不需要等待時(shí)間。

目前，拍字節(jié)PB85RS128是非常適合儀表設(shè)計(jì)要求的存貯器。它的性能指標(biāo)完全達(dá)到設(shè)計(jì)要求，解決了儀表中的設(shè)計(jì)憂慮。更重要的是，它的存貯時(shí)間短，在異常掉電時(shí)，利用FRAM高速寫(xiě)特性，瞬時(shí)將企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)的FTL Changes和Write Buffer保存到VFRAM中，徹底解決了企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)異常掉電引起的數(shù)據(jù)丟失問(wèn)題。在出現(xiàn)儀表突然斷電的情況數(shù)據(jù)能及時(shí)、安全的存貯。

拍字節(jié)PB85RS128主要參數(shù)如下：

· 容量：128Kb

· 接口類型：SPI接口(模式0和模式3)

· 工作電壓：2.7伏至3.6伏

· 工作頻率：25兆赫茲

· 功耗：4.2毫安（25兆赫茲）

· 低功耗：9微安（待機(jī)）

· 數(shù)據(jù)保持：10年@85℃（200年@25℃）

· 高速讀特性：支持40MHz高速讀命令

· 工作環(huán)境溫度范圍：-40℃至85℃

· 封裝形式：8引腳SOP封裝，符合RoHS

為了普及使用，拍字節(jié)PB85RS128封裝形式除能夠與EEPROM及串行閃存兼容的SOP外，還提供可穿戴設(shè)備用WSON等超小型封裝形式的產(chǎn)品。同時(shí)，使用TSOP或SOP封裝形式提供256Kbit至16Mbit的并行存儲(chǔ)器。在利用SRAM及數(shù)據(jù)保存用電池供電的應(yīng)用中，并行存儲(chǔ)器被用作進(jìn)一步降低能耗或減少電池的解決方案。此外，在企業(yè)級(jí)SSD及NVDIMM等應(yīng)用場(chǎng)景，拍字節(jié)提供了256Mbit至4Gbit的DDR接口。

對(duì)于新型鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)，國(guó)芯思辰PB85RS128擁有較快的響應(yīng)速度以及高性價(jià)比的價(jià)格優(yōu)勢(shì)，可以完美替代賽普拉斯和富士通，能夠給客戶提供更好的價(jià)格和交期。

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