進(jìn)入21世紀(jì)，集成電路市場(chǎng)化程度很高，更多元器件出現(xiàn)在我們生活中的每一個(gè)領(lǐng)域，大到航空航天，軍工汽車等領(lǐng)域，小到生活中各種消費(fèi)品如手機(jī)，電腦，手表，電視等領(lǐng)域，都少不了各種元器件的應(yīng)用，元器件和我們的生活有著密切的聯(lián)系。

與此同時(shí)元器件還會(huì)帶來(lái)一些危險(xiǎn)，市場(chǎng)上炸機(jī)事件時(shí)有發(fā)生，汽車故障，電路板著火等多數(shù)都和器件質(zhì)量有關(guān)，所以，預(yù)先篩選優(yōu)質(zhì)可靠的器件成為各大廠家的當(dāng)務(wù)之急。

高溫反向偏壓試驗(yàn) 定義

高溫反向偏壓試驗(yàn)（High TemperatureReverse Bias）,簡(jiǎn)稱HTRB，是分立器件可靠性最重要的一個(gè)試驗(yàn)項(xiàng)目，也就是高溫時(shí)連續(xù)供給某一規(guī)格反向電壓并長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)要求被測(cè)樣品反向漏電流能夠穩(wěn)定于范圍值，模擬器件在長(zhǎng)期運(yùn)行條件下的耐受能力從而推斷器件在實(shí)際使用時(shí)的壽命及應(yīng)力大小。

在器件量產(chǎn)或使用前按照實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景模擬實(shí)驗(yàn)，提前摸清器件應(yīng)力情況，可避免因應(yīng)力、環(huán)境導(dǎo)致的失效及影響。

高溫反向偏壓試驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)

1、實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?/strong>

暴露與時(shí)間和應(yīng)力有關(guān)的器件缺陷，測(cè)量目前器件是否符合規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)要求并檢查封裝或者晶圓自身存在質(zhì)量問(wèn)題。

2、測(cè)試相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)：

可覆蓋車規(guī)、工規(guī)及AEC-Q101、AEC-Q102、AQG324、JEDEC、 JESD 22-A108、JEDEC、 JESD 22-A101、MIL-STD-750、GJB 128等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求。

3、適應(yīng)器件種類：

它可以涵蓋多種半導(dǎo)體分立器件（二極管，三極管,MOSFET管（增強(qiáng)型，耗盡型），達(dá)林頓管，可控硅和IGBT）的高溫反偏試驗(yàn)，并適用于多種封裝。