據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省和荷蘭經(jīng)濟(jì)和氣候政策省于6月21日簽署了促進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域等合作的合作備忘錄（MOC: Memorandum of Cooperation）。

根據(jù)備忘錄，日本晶圓代工商Rapidus和荷蘭***巨頭ASML將共同推進(jìn)2納米工藝的量產(chǎn)，并聯(lián)手進(jìn)行技術(shù)開發(fā)。Rapidus計(jì)劃利用經(jīng)產(chǎn)省提供的補(bǔ)貼，采購歐洲最先進(jìn)的EUV光刻設(shè)備，該設(shè)備是ASML量產(chǎn)尖端半導(dǎo)體工藝所需的關(guān)鍵設(shè)備。

MOC的要點(diǎn)為以下5項(xiàng)：

1、在保持半導(dǎo)體及光子學(xué)等相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域企業(yè)間的現(xiàn)有合作的同時(shí)，促進(jìn)政府、產(chǎn)業(yè)界、研究機(jī)構(gòu)的合作

2、共享關(guān)于政策和國際合作狀況的信息

3、探索其他相關(guān)領(lǐng)域雙邊計(jì)劃的可能性

4、分享Rapidus研發(fā)項(xiàng)目的重要性

5、促進(jìn)日本LSTC（Leading-edge Semiconductor Technology Center）與荷蘭Competence Centres的合作

在5個(gè)要點(diǎn)中，Rapidus的公司名稱被列舉出來，這一點(diǎn)備受矚目。在簽約儀式上，日本經(jīng)產(chǎn)相西村康稔以Rapidus為例，向荷蘭政府說明Rapidus在日本的重要性，并表示期望能進(jìn)一步獲得EUV***的合作。

Rapidus的目標(biāo)是在2024年底也從ASML引進(jìn)日本首款EUV***。然而，全球范圍內(nèi)EUV***供應(yīng)短缺，面臨著臺積電、三星、海力士、美光、英特爾等行業(yè)巨頭的競爭。這份合作備忘錄的簽署標(biāo)志著日本和荷蘭在半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作邁出了重要一步。

據(jù)悉，業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，要實(shí)現(xiàn)2nm工藝，High NA EUV設(shè)備是必須的。與現(xiàn)有EUV設(shè)備相比，High NA EUV設(shè)備可以繪制出更細(xì)微的半導(dǎo)體電路。

對于High NA EUV設(shè)備的開發(fā)，ASML計(jì)劃2023年開始在公司進(jìn)行seting作業(yè)并與客戶初步接洽，2025年量產(chǎn)機(jī)開始出貨。隨著全球半導(dǎo)體制造廠商全部向ASML下了 High NA EUV設(shè)備訂單，預(yù)計(jì)從大規(guī)模量產(chǎn)開始的2025年起，將展開激烈的競爭。

High NA EUV設(shè)備雖然比目前使用的EUV設(shè)備價(jià)格高，但因能夠一次性實(shí)現(xiàn)超細(xì)微工藝(單次平移)，從而可大幅提升生產(chǎn)效率。特別是三星電子在3nm工藝量產(chǎn)后，為了量產(chǎn)2nm工藝，也有必要主動(dòng)確保High NA EUV設(shè)備。據(jù)推測，現(xiàn)有的EUV設(shè)備價(jià)格為2000億至3000億韓元（約10~15億人民幣），而High NA EUV設(shè)備價(jià)格高達(dá)5000億韓元（約25億人民幣）。

審核編輯：劉清