各向異性刻蝕是一種減材微加工技術(shù)，旨在優(yōu)先去除特定方向的材料以獲得復(fù)雜且通常平坦的形狀。濕法技術(shù)利用結(jié)構(gòu)的晶體特性在由晶體取向控制的方向上進行蝕刻。

然而，概述了一些定性方面用于解釋各向異性的性質(zhì)：它應(yīng)該是由于邊緣 Si原子和蝕刻自由基之間的分子相互作用而導(dǎo)致 Si-Si背界強度的變化產(chǎn)生的。蝕刻速率的極坐標圖包含有關(guān)蝕刻反應(yīng)分子機制的寶貴信息，可用于顯著增強微加工技術(shù)。因此，從束縛強度等原子參數(shù)開始并描繪各向異性圖的工具應(yīng)該為判斷不同模型的擬合或局限性提供真正的進步。

實現(xiàn)各向異性蝕刻輪廓的第一種方法是側(cè)壁保護方法，例如，在使用基于 CF4的等離子體蝕刻 Si期間，離子輔助反應(yīng)的效果略微取決于離子能量在這種方法中，晶圓表面的側(cè)壁由 SiO2等無機材料保護或在蝕刻過程中等離子體中產(chǎn)生的有機聚合物，整個晶圓表面及其圖案側(cè)壁均需覆蓋保護材料。由于離子和自由基的方向性，表面的保護層被腐蝕掉，但是由于幾乎沒有撞擊離子，圖形側(cè)壁的保護層沒有被剝離，這是側(cè)壁保護方法的基本機制。