techcet預(yù)測，ald/cvd薄膜沉積所需的前體材料市場，金屬前體將增長7%，high-k前體將增長5%，介質(zhì)前體將增長8%。

ald/cvd解決方案是增加的ald前體材料和cvd工藝的對新材料的關(guān)注和需求增加，因此受到了影響，零部件制造企業(yè)為了提高費用和性能的新制造正找解決方案，持續(xù)努力的前沿?！?/p>

公司方面認為，特別是鎢的使用得益于垂直積累3d nand及所有市場的晶片投射量的增加。六氟化鎢WF6的供需平衡將持續(xù)到2023年，但wf6的供應(yīng)將被限制到2025年，2026年將面臨短缺威脅。鉬固體前體代替wf6，并從開發(fā)轉(zhuǎn)為大量生產(chǎn)，可以緩解潛在的不足問題。但mo的應(yīng)用可能性尚不確定，因為晶片因素要考慮與wf6相同或更高的費用和性能。

該研究所還為改善元件的技術(shù)變化其他核心領(lǐng)域是例如高κ柵極電介質(zhì)、金屬柵電極、溝道和溝道材料的應(yīng)變/應(yīng)力外延、存儲單元和高κ電容器、互連布線、勢壘、種子層、覆蓋層、絕緣體和光刻。新課題是通過材料（如hf、zr、la、co、ru、mo）和ald、等離子體輔助方法（如ald、等離子體輔助方法）持續(xù)調(diào)整大小。