半導體行業(yè)首席分析師scotten jones最近綜合semicon west的信息，概括了asml high end產(chǎn)品的開發(fā)及應用現(xiàn)狀和計劃。

據(jù)Jones介紹，asml的nxe:3400b 45臺、nxe:3400c 76臺、nxe:3600d 75臺等共出貨了200臺以上的nxe:3400/3600臺，是euv產(chǎn)品中最多的nxe:3600d。第一個nxe 3800e預計將在第四季度上市。

euv光刻系統(tǒng)從2014年第一季度到2019年第四季度，nxe:3400c在客戶端使用30 mj/cm2的電力，達到了約140芯片/小時的生產(chǎn)效率。nxe:3600d在現(xiàn)場的功率為30mj/cm2，略高于160 wph，在asml測試中達到185 wph。nxe:3800e的目標是220 wph以上。

nxe的實際工廠產(chǎn)量將持續(xù)增加，到2020年，年吞吐量超過50萬晶圓的系統(tǒng)只有一個，2021年增至15個，2022年增至51個。

euv的問題之一是系統(tǒng)耗電量過大，根據(jù)asml的資料，euv持續(xù)提高能源效率，每片晶片的能耗減少了三倍。

以新一代0.55 na euv為例，第一批exe:5000將于2024年初出廠，2025年投產(chǎn)，asml將與imec一起在貝爾德霍文工廠建設高級na euv演示實驗室（demo lab）， 2023年底前啟動0.55 na euv resograb。

根據(jù)該計劃，exe:5200的量產(chǎn)高值光圈暴露工具將于2025年初上市。

瓊斯表示，如果縮小技術節(jié)點，0.55 na暴露工具最終也需要多圖解，asml正在研究na約為0.75的“hyperna”工具，但尚未確定具體的變量。重要的問題是什么時候/需要這些工具。

在duv系列中，nt:2100i采用了4種新功能，今后d內(nèi)存的邏輯及切割誤差比1.3納米大幅改善。